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基于氧化锡薄膜的表面传导场致发射阴极阵列的制备及性能研究

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真空科学与技术学报 2014年第8期34卷 814-818页

作者：张永爱林婷林木飞林锑杭周雄图郭太良福州大学物理与信息工程学院福州350002

利用磁控溅射和阳光刻技术在玻璃基底上成功制备了不同厚度SnO2的表面传导场致发射阴极阵列,并测试其场致发射性能。X射线衍射和X射线光电子谱测试表明,沉积在阴极和栅极之间的薄膜为SnO2薄膜;原子显微镜测试表明,SnO2薄膜形貌的粗糙度... 详细信息

利用磁控溅射和阳光刻技术在玻璃基底上成功制备了不同厚度SnO2的表面传导场致发射阴极阵列,并测试其场致发射性能。X射线衍射和X射线光电子谱测试表明,沉积在阴极和栅极之间的薄膜为SnO2薄膜;原子显微镜测试表明,SnO2薄膜形貌的粗糙度随沉积时间的增长而增加,晶粒大小也随着膜厚的增加而增大。场发射测试表明,制备的SnO2表面传导场致发射阴极阵列的传导电流和发射电流完全被栅极电压控制;在SnO2薄膜厚度为60nm时,阳极电压和栅极电压分别为3200 V和200 V,阴阳间距为500μm时,SnO2表面传导场致发射阴极阵列的电子发射效率为0.72%,发光亮度为650 cd/m2,表明SnO2薄膜在表面传导场致发射阴极阵列方面有着较好的应用潜力。

关键词：氧化锡薄膜表面传导场致发射阴极阵列

溅射功率对氧化锡薄膜结构和电化学性能的影响

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电化学 2008年第1期14卷 66-70页

作者：蔡敏真宋杰吴启辉郑明森吴孙桃董全峰厦门大学物理系福建厦门361005 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室化学化工学院化学系福建厦门361005 厦门大学萨本栋微机电研究中心福建厦门361005

应用射频磁控溅射技术在硅基底上制备氧化锡薄膜,着重研究溅射功率对薄膜结构和电化学性能的影响.XRD,SEM分析及恒电流充放电测试表明,随着溅射功率的增大,薄膜的结晶程度提高;生长速率和晶粒尺寸增大;电池的贮锂容量减少,且首圈不可逆... 详细信息

应用射频磁控溅射技术在硅基底上制备氧化锡薄膜,着重研究溅射功率对薄膜结构和电化学性能的影响.XRD,SEM分析及恒电流充放电测试表明,随着溅射功率的增大,薄膜的结晶程度提高;生长速率和晶粒尺寸增大;电池的贮锂容量减少,且首圈不可逆容量损失增大.溅射功率对薄膜的电化学性能有较大的影响.

关键词：氧化锡薄膜阳极材料磁控溅射电化学性能

溶胶-凝胶法在钛-聚合瓷修复体纯钛表面镀制氧化锡薄膜的最佳条件分析

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山东医药 2016年第28期56卷 23-25页

作者：王苏娟陈雪芳李延鑫王莉张颖奇邢台市第三医院河北邢台054000 河北省眼科医院中国石油天然气集团公司中心医院

目的探讨溶胶-凝胶法在钛-聚合瓷修复体纯钛表面镀制氧化锡薄膜的最佳条件。方法取80个纯钛片,均进行表面喷砂处理,取其中30个分为五组,分别涂布0.20、0.30、0.37、0.50、0.60 mol/L的含锡溶胶,分别经过300、500、700℃热处理。观察到0.... 详细信息

目的探讨溶胶-凝胶法在钛-聚合瓷修复体纯钛表面镀制氧化锡薄膜的最佳条件。方法取80个纯钛片,均进行表面喷砂处理,取其中30个分为五组,分别涂布0.20、0.30、0.37、0.50、0.60 mol/L的含锡溶胶,分别经过300、500、700℃热处理。观察到0.20 mol/L溶胶镀的含锡薄膜几乎不存在,0.6 mol/L溶胶镀的含锡薄膜裂纹过大、薄膜接近脱落;0.30、0.37、0.50 mol/L溶胶镀的含锡薄膜较完好,有细微裂缝且均匀。从剩余50个纯钛片中取5个为对照组(A组),不涂溶胶;余45个分为三组(每组15个),分别涂布0.30、0.37、0.50 mol/L的溶胶,再分别经过300℃(B1、B2、B3组)、500℃(C1、C2、C3组)、700℃(D1、D2、D3组)温度热处理。在场发射扫描电镜下观察各组钛表面形貌,采用万能材料试验机测量各组剪切结合强度,应用X线衍射分析仪分析界面成分。结果D1组表面形貌平整,薄膜致密,均匀一致,仅有微量细小的裂纹;其余各组钛表面均不平整,有裂纹。D1组剪切结合强度明显高于其他各组(P均薄膜中出现大量的氧化钛、钛化锡、氧化锡,含量均高于其他组(P均氧化锡薄膜的最佳条件。

关键词：金属烤塑氧化锡薄膜溶胶-凝胶钛-聚合瓷修复体剪切结合强度

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氧化锡薄膜电阻器的发展

压电与声光 1970年第2期 40-45页

本文叙述采用氧化锡薄膜电阻器的理由,并说明从实验室的试验到每周能方便地喷涂五百万根电阻瓷体的工艺发展史。

关键词：氧化锡炉管电阻锡化合物电阻抗非线绕电阻器薄膜电阻器氧化锡薄膜

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纳米晶氧化锡薄膜的接触特性

光学技术 2001年第4期27卷 346-347页

作者：王占和郝群祝侃蒋煜婧北京理工大学电子工程系北京100081 北京理工大学光电工程系北京100081

在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0～ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻。

关键词：氧化锡薄膜纳米晶电极传输线模型接触特性

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氧化锡薄膜的冷电子发射

应用科学学报 1987年第3期 249-253页

作者：章壮健杨锡良孙云龙高龙关复旦大学

氧化锡薄膜高阻区具有冷电子发射的特性.本文所给出的初步实验结果表明,氧化锡薄膜主要发射区表面的元素成分和配比均发生了变化,发射电子能量分布不同于场致发射的电子能量分布.气体的种类和压强都可以对它的电子发射性能产生不同的影响.

关键词：氧化锡薄膜冷电子高阻表面成分场致发射电子发射

溶胶—凝胶法在纯钛表面镀制氧化锡薄膜对钛塑结合强度的影响

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溶胶—凝胶法在纯钛表面镀制氧化锡薄膜对钛塑结合强度的影响

作者：王苏娟河北联合大学

学位级别：硕士

目的探索溶胶凝胶法在纯钛表面镀制含锡薄膜的适宜浓度;通过剪切强度试验检测氧化锡薄膜对钛塑结合强度的影响，来确定薄膜的最佳的溶胶浓度和热处理温度;场发射扫描电镜观察镀膜的表面形态及X线衍射分析仪分析薄膜的化学成分，为临床... 详细信息

目的探索溶胶凝胶法在纯钛表面镀制含锡薄膜的适宜浓度;通过剪切强度试验检测氧化锡薄膜对钛塑结合强度的影响，来确定薄膜的最佳的溶胶浓度和热处理温度;场发射扫描电镜观察镀膜的表面形态及X线衍射分析仪分析薄膜的化学成分，为临床钛塑修复体的应用提供实验依据。方法将切削的80个纯钛片（10mm×20mm×2mm），进行喷砂，超声清洗，自然风干。先取30个纯钛片镀上0.20mol/L、0.30mol/L、0.37mol/L、0.50mol/L、0.60mol/L这5种不同浓度的含锡溶胶，经过300℃、500℃、700℃温度的热处理，用场发射扫描电镜观察纯钛表面镀制的氧化锡的薄膜，来确定完好的氧化锡薄膜的浓度。然后将50个纯钛试件分为10个实验组，每组5个。除对照组外，其他试件分别涂布0.3mol/L、0.37mol/L、0.5mol/L的溶胶，再经过300℃、500℃、700℃温度热处理，选用万能材料试验机测量纯钛-聚合瓷的结合强度，应用X线衍射分析仪分析界面成分。数据采用SPSS17.0软件对剪切结合强度值进行方差分析及组间SNK检验（Student-Newman-Keul， q检验）。结果1氧化锡溶胶浓度的选择：0.2mol/L的溶胶镀的金属表面薄膜，几乎不存在，0.6mol/L的溶胶镀的金属表面薄膜裂纹过大，薄膜接近脱落，这两种情况都不理想。0.3mol/L、0.37mol/L、0.5mol/L的溶胶镀的金属表面薄膜完好，仅有细微裂缝且均匀。2剪切结合强度的测试结果：10个实验组的剪切结合强度经单因素方差分析表明各组之间存在着显著性差异（P锡薄膜组剪切结合强度值显著高于其他各组（P薄膜）呈现表面形貌较平整，有较多细小的裂纹;C组（同上，经500℃热处理后的薄膜）呈现表面形貌云层状，杂乱无序，有裂纹存在;D组（同上，经700℃热处理后的薄膜）呈现表面形貌平整，薄膜致密，均匀一致，有细小的裂纹。4纯钛表面薄膜的X线衍射分析结果是：300℃的情况下薄膜中出现微量的SnTi3;500℃的情况下薄膜中出现少量的SnTi3、SnO2;700℃的情况下薄膜中出现大量的SnTi3、SnO2。结论1制备较理想薄膜的溶胶浓度是0.3mol/L、0.37mol/L、0.5mol/L。2纯钛表面镀制浓度为0.3mol/L含锡溶胶，且在700℃下进行热处理形成的氧化锡薄膜提高钛-聚合瓷的结合强度最好。3锡的存在形式是SnTi3、SnO2，是牢固的化学结合方式。

关键词：溶胶凝胶氧化锡薄膜钛-聚合瓷修复体结合强度

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绒面氧化锡薄膜的制备及其雾度控制的研究

绒面氧化锡薄膜的制备及其雾度控制的研究

作者：陈佳佳燕山大学

学位级别：硕士

选择绒面透明导电薄膜作为前电极材料，可以提高薄膜太阳能电池的效率。本文以四氯化锡和氟化铵为前驱物，采用喷雾热解法在石英玻璃基体上制备了绒面氧化锡薄膜，通过改变基体温度、沉积层数、四氯化锡浓度和醇水比等制备条件，探讨了... 详细信息

选择绒面透明导电薄膜作为前电极材料，可以提高薄膜太阳能电池的效率。本文以四氯化锡和氟化铵为前驱物，采用喷雾热解法在石英玻璃基体上制备了绒面氧化锡薄膜，通过改变基体温度、沉积层数、四氯化锡浓度和醇水比等制备条件，探讨了薄膜雾度变化规律及其与结构、形貌以及制备条件之间的关系。采用XRD对氧化锡薄膜的择优取向等结构特点进行了分析;采用FESEM、AFM表征薄膜的表面、断面形貌和表面粗糙度;并采用可见光透过率测试仪、紫外分光光度计和四探针电阻仪对薄膜的雾度、透射比和导电性进行测试分析，主要实验结果如下：不同条件沉积的氧化锡薄膜均为多晶的金红石结构SnO2，（200）晶面方向的择优取向最为明显。随基体温度的升高，（200）晶面方向择优取向程度呈现先增强后减弱的趋势，随沉积层数、四氯化锡浓度和异丙醇相对含量的增加，择优取向程度不断增强。氧化锡薄膜形貌随制备条件不同而发生一定的演化。薄膜厚度、表面颗粒尺寸和表面粗糙度随基体温度升高先增大后减小，随沉积层数、四氯化锡浓度和醇水比的增加而不断增大。增大薄膜（200）晶面择优取向度以及薄膜表面颗粒尺寸、膜厚和表面粗糙度对提高薄膜雾度有促进作用。综合考虑薄膜雾度以及透光性和导电性，氧化锡薄膜最佳制备条件范围为基体温度530～580℃、沉积层数20～30层、四氯化锡浓度0.8～1mol/L和醇水比7P2WP1W。

关键词：氧化锡薄膜喷雾热解法雾度织构因子表面形貌

石墨烯掺杂氧化锡薄膜的结构与光学性能的研究

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有色金属科学与工程 2012年第6期3卷 13-16页

作者：朱辰杰洪瑞金温和瑞江西理工大学冶金与化学工程学院江西赣州341000

以SnCl4.5H2O和石墨烯为原料,采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了SnO2掺杂石墨烯的薄膜,研究了膜层厚度对SnO2薄膜的结构与光学性能的影响.测试结果表明,石墨烯的掺入使氧化锡薄膜的晶体质量得到提高,薄膜样品的光学带边往长波方向... 详细信息

以SnCl4.5H2O和石墨烯为原料,采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了SnO2掺杂石墨烯的薄膜,研究了膜层厚度对SnO2薄膜的结构与光学性能的影响.测试结果表明,石墨烯的掺入使氧化锡薄膜的晶体质量得到提高,薄膜样品的光学带边往长波方向发生移动,即产生"红移"现象,随着石墨烯含量的增加,氧化锡薄膜光致发光强度表现为逐步淬灭的现象.

关键词：石墨烯氧化锡薄膜溶胶-凝胶法光致发光