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  • 1 篇 中国科学院微电子...

作者

  • 1 篇 李明
  • 1 篇 钱鹤
  • 1 篇 欧文

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=氧化硅/氮化硅/氧化硅"
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Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性
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Journal of Semiconductors 2003年 第5期24卷 516-519页
作者： 欧文 李明 钱鹤 中国科学院微电子中心 北京100029
对普遍采用的氧化硅 /氮化硅 /氧化硅 ( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析 ,研究了 ONO的漏电特性以及顶氧 ( top oxide)和底氧 ( bottom oxide)的厚度对 ONO层漏电的影响 .结果表明 ,采用较薄的底氧和较厚的顶氧 ... 详细信息
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