检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

氧化多孔硅/聚合物复合膜的折射率

光子学报 2006年第8期35卷 1149-1152页

作者：贾振红涂楚辙新疆大学信息科学与工程学院乌鲁木齐830046

用Bruggeman模型理论,分析了氧化多孔硅/聚合物复合膜的等效折射率与多孔硅孔隙率、氧化度和嵌入率的关系.实验研究了嵌入PMMA材料的氧化多孔硅/聚合物膜的等效折射率.证实了在多孔硅中嵌入聚合物可使薄膜的光学参量保持稳定.

关键词：氧化多孔硅聚合物复合膜折射率

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响

光电子．激光 2004年第8期15卷 951-954页

作者：蔡贝妮陈松岩曾明刚蔡加法厦门大学物理与机电工程学院厦门361005

在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅... 详细信息

在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响。实验发现,在电流密度1mA/cm2,氧化液温度60℃,氧化时间为10min的条件下,可以获得最强光致发光;在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍。

关键词：氧化多孔硅发光强度光致发光氧化电流密度 HF 增强阳极氧化水溶液条件发现

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Rh6G/氧化多孔硅复合膜的荧光光谱

发光学报 2009年第1期30卷 86-90页

作者：车永莉曹小龙李清山曲阜师范大学信息技术与传播学院山东日照276826 曲阜师范大学计算机科学学院山东日照276826 曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 鲁东大学山东烟台264025

为了发展性能良好的固体染料激光器,多孔介质中镶嵌激光染料是一种可行的途径。将氧化多孔硅作为基质材料,通过浸泡的方式将激光染料Rh6G嵌入其中,形成Rh6G/氧化多孔硅复合膜,对比研究了Rh6G在无水乙醇、多孔硅、多孔氧化硅中的荧光特... 详细信息

为了发展性能良好的固体染料激光器,多孔介质中镶嵌激光染料是一种可行的途径。将氧化多孔硅作为基质材料,通过浸泡的方式将激光染料Rh6G嵌入其中,形成Rh6G/氧化多孔硅复合膜,对比研究了Rh6G在无水乙醇、多孔硅、多孔氧化硅中的荧光特性。结果表明,经高温氧化后,氧化多孔硅透明度提高,其荧光强度明显变弱,在复合膜中已检测不到其荧光行为。相比于在无水乙醇溶液中,在氧化多孔硅中Rh6G发射光谱的半峰全宽有所展宽,峰值波长略有红移,对称性大为提高,具有类似单体发光特性,这种现象与纳米孔对Rh6G的聚集程度的限制有关。

关键词：氧化多孔硅阳极氧化 Rh6G 荧光光谱

用氧化多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2003年第5期24卷 449-453页

作者：宁瑾刘忠立刘焕章葛永才中国科学院半导体研究所微电子中心北京100083

提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器 .用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙 ,用约 15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板 .采用该方法制备的微传声器 ,在 50 0 Hz至 11k Hz的工作频率下 ,灵敏度范围为 -55d B(1.78m V/Pa... 详细信息

提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器 .用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙 ,用约 15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板 .采用该方法制备的微传声器 ,在 50 0 Hz至 11k Hz的工作频率下 ,灵敏度范围为 -55d B(1.78m V/Pa)到 -4 5d B(5.6m V/Pa) ,随着频率的升高 ,灵敏度呈上升趋势 ,截止频率超过 2 0 k

关键词：氧化多孔硅牺牲层微传声器灵敏度电容式

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备

仪器仪表学报 2003年第Z2期24卷 280-281页

作者：陈忠民刘泽文刘理天李志坚清华大学微电子学研究所北京100084

对N^+型硅衬底上用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备进行了研究。实验过程中通过控制阳极氧化反应中HF溶液的浓度、电流密度和反应时间形成了不同厚度和孔隙度的多孔硅厚膜,并采用两步氧化的方法得到氧化多孔硅厚膜。实验得到的... 详细信息

对N^+型硅衬底上用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备进行了研究。实验过程中通过控制阳极氧化反应中HF溶液的浓度、电流密度和反应时间形成了不同厚度和孔隙度的多孔硅厚膜,并采用两步氧化的方法得到氧化多孔硅厚膜。实验得到的平整的氧化多孔硅厚膜最大厚度为60μm。对氧化多孔硅作为衬底隔离材料应用于硅基射频集成电路进行了初步的探索。

关键词：多孔硅氧化多孔硅射频

用电化学腐蚀法制备氧化多孔硅波导定向耦合器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

激光杂志 2005年第1期26卷 11-12页

作者：贾振红涂楚辙地里木拉提.土尔逊李芮新疆大学信息科学与工程学院乌鲁木齐830046

用一种聚合物材料薄膜作为掩膜 ,通过在电化学腐蚀过程中控制腐蚀电流和时间 ,首次制备出了氧化多孔硅波导定向耦合器。实验中用波长为 980nm的激光作为信号光源 ,观测到了样品的耦合光信号。给出了耦合器耦合系数不确定的因素 ,同时也... 详细信息

用一种聚合物材料薄膜作为掩膜 ,通过在电化学腐蚀过程中控制腐蚀电流和时间 ,首次制备出了氧化多孔硅波导定向耦合器。实验中用波长为 980nm的激光作为信号光源 ,观测到了样品的耦合光信号。给出了耦合器耦合系数不确定的因素 ,同时也分析了多孔硅波导传输损耗形成的原因。

关键词：氧化多孔硅波导定向耦合器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构

功能材料与器件学报 2003年第3期9卷 319-322页

作者：宁瑾刘忠立刘焕章葛永才中国科学院半导体研究所微电子中心传感技术国家重点实验室北京100083

提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又... 详细信息

提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性。实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构。

关键词：氧化多孔硅牺牲层制备悬空微结构阳极氧化硅微机械加工技术微型传感器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

氧化多孔硅上制作Cu电感的研究

微细加工技术 2004年第4期 50-55页

作者：陈忠民刘泽文刘理天李志坚清华大学微电子学研究所北京100084

给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术。由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值。实验过程中将孔隙度>56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化为OP... 详细信息

给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术。由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值。实验过程中将孔隙度>56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化为OPS厚膜,通过种子层溅射/光刻/电镀Cu/刻蚀种子层的方法完成了Cu线圈的电镀。获得了1nH的电感,其Q值在10GHz的频率下达到了9,电感的自谐振频率超过20GHz。

关键词：氧化多孔硅电镀电感射频

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

氧化多孔硅的发光机制

西北师范大学学报（自然科学版） 2000年第1期36卷 22-26页

作者：马书懿西北师范大学物理系兰州大学物理系甘肃兰州730000

利用阳极氧化法制备了5种光致发光峰位不同的多孔硅,对该系列样品于400℃氧化处理1,2,4,8min和24min.通过研究其光致发光谱、红外吸收谱和瞬态谱,证明氧化多孔硅的光致发光来源于氧化硅中的发光中心.

关键词：阳极氧化法光致发光纳米硅粒氧化多孔硅