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作者：孙炳炎河北科技大学

学位级别：硕士

UV光致可剥离胶是常态显示高的粘合力,经过UV照射后粘合力急剧下降的一类胶黏剂,广泛应用于晶圆切割领域。随着半导体晶圆制程对缩小尺寸需求高涨,晶圆越来越薄,在切割和拾取阶段极易损坏,对剥离胶的性能提出了更高要求。我国开发的剥... 详细信息

UV光致可剥离胶是常态显示高的粘合力,经过UV照射后粘合力急剧下降的一类胶黏剂,广泛应用于晶圆切割领域。随着半导体晶圆制程对缩小尺寸需求高涨,晶圆越来越薄,在切割和拾取阶段极易损坏,对剥离胶的性能提出了更高要求。我国开发的剥离胶在常态粘合力、UV减粘性和残胶量等核心指标上与薄晶圆切割用剥离胶的商业化要求还有较大差距。本文针对上述限制薄晶圆切割用UV光致可剥离胶发展的技术瓶颈,基于蓖麻油多元醇的独特性能,设计合成一种可热/光双固化的蓖麻油基聚氨酯丙烯酸酯预聚物,开展基于该预聚物的全交联结构UV光致可剥离胶的制备、性能和固化机理研究。首先,在无溶剂条件下,通过蓖麻油(CO)中的羟基和异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)中的NCO间的缩合反应,得到含NCO基的聚氨酯预聚物(CO-PU),加入适量丙烯酸羟乙酯(HEA)部分封端,制得同时含NCO基和丙烯酸酯基的可热/光双固化蓖麻油基聚氨酯丙烯酸酯预聚物(CO-PUB)。接着,通过使IPDI过量,利用“一锅法”制备了蓖麻油基聚氨酯预聚物和IPDI/HEA加成物(HEA-IPDI-HEA)的混合物。为后续进行对比研究,同时制备只含丙烯酸酯基的蓖麻油丙烯酸酯预聚物(CO-MA)和聚氨酯丙烯酸酯预聚物(CO-PUA)。通过红外光谱、核磁共振波谱、质谱等对预聚物进行了表征,证明成功制备了上述预聚物。接着,将CO-PUB作为交联剂与含羟基的丙烯酸酯共聚物基胶混合,通过NCO/OH热固化反应制得一种可光聚合的网状结构压敏胶,然后与多官能度丙烯酸酯共聚物单体、光引发剂按照一定比例混合构建了一种用于晶圆切割工艺的全交联结构的UV光致可剥离胶。结果表明,这一新型的全交联结构的UV光致可剥离胶光照前具有很高的粘性,能满足硅晶片切割过程的固定要求,UV光照前剥离强度最高可达到34 N/25 mm,远高于已报道的其他类型UV光致可剥离胶。此外,该剥离胶光固化所需UV剂量低,通过UV光照射后,胶膜的固化收缩率高,剥离强度大幅降低(小于1 N/25 mm),剥离性能良好,无残胶。此外,用“一锅法”制备的蓖麻油基聚氨酯预聚物和HEA-IPDI-HEA的混合物代替CO-PUB,也可制备出剥离性能良好的UV光致可剥离胶。

关键词：全交联UV光致可剥离胶蓖麻油聚氨酯丙烯酸酯预聚物剥离性能残胶

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相移掩模保护膜残留胶清洗方式研究

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电子工业专用设备 2012年第7期41卷 26-28页

作者：尤春严剑荫陈卓无锡中微掩模电子有限公司江苏无锡214035

相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统的清洗方式是采用硫酸+双氧水(SPM)来进行清洗。不过对... 详细信息

相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统的清洗方式是采用硫酸+双氧水(SPM)来进行清洗。不过对于相移掩模来说,SPM清洗方式容易造成硫酸根残留,进而造成产品Haze问题,影响产品使用。通过采用不同的清洗方法进行对比和优化实验,找出了最佳的非SPM方式去除保护膜残留胶的方法。

关键词：掩模保护膜残胶结晶硫酸+双氧水

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