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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 电子科学与技术（可...
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 光学工程
    • 1 篇 仪器科学与技术
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 3 篇 正胶剥离
  • 1 篇 离子束刻蚀
  • 1 篇 光刻机
  • 1 篇 衬底
  • 1 篇 cr-au
  • 1 篇 电子设备
  • 1 篇 套刻
  • 1 篇 电子束曝光机
  • 1 篇 磁性多层膜
  • 1 篇 基片
  • 1 篇 集成电路工艺
  • 1 篇 电子束曝光
  • 1 篇 微细加工技术
  • 1 篇 激光直写
  • 1 篇 半导体器件
  • 1 篇 红外探测器件
  • 1 篇 纳米柱
  • 1 篇 摄影设备

机构

  • 1 篇 昆明物理研究所
  • 1 篇 清华大学
  • 1 篇 电子科技大学

作者

  • 1 篇 黄承彩
  • 1 篇 曾俊英
  • 1 篇 陈培毅
  • 1 篇 任敏
  • 1 篇 邓宁

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=正胶剥离"
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正胶剥离Cr-Au电极
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引用
红外技术 1988年 第6期 30-32页
作者： 曾俊英 黄承彩 昆明物理研究所
应用正胶剥离工艺,成功地剥离了InSb光伏12元红外探测器件的Cr-Au电极。这种工艺所具有的优点是常规化学腐蚀所不能及的。
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
纳米尺度自旋转移矩器件的制备工艺
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引用
微纳电子技术 2011年 第11期48卷 685-688,701页
作者： 任敏 陈培毅 邓宁 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054 清华大学微电子学研究所 北京100084
提出一种改进的自旋转移矩器件的制备工艺:在电子束曝光形成纳米级图形之后,依次采用离子束刻蚀、带胶绝缘层淀积再正胶剥离的图形转移方法,成功制备了纳米柱状赝自旋阀结构磁性多层膜CoFe/Cu/CoFe/Ta,器件的横向尺寸为140nm×70nm。对... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 博看期刊 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
光学工艺 微细加工技术与设备
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引用
中国光学(中英文) 2006年 第4期 100-101页
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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