咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 4 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 4 篇 正空间电荷
  • 2 篇 光电流
  • 1 篇 基极
  • 1 篇 中性分子
  • 1 篇 电子器件
  • 1 篇 钝化层
  • 1 篇 电压
  • 1 篇 电子设备
  • 1 篇 辐照剂量
  • 1 篇 次级电子
  • 1 篇 脉冲产生
  • 1 篇 场效应晶体管
  • 1 篇 收集极
  • 1 篇 双极晶体管
  • 1 篇 电离辐照
  • 1 篇 dmos
  • 1 篇 半导体三极管
  • 1 篇 剂量率
  • 1 篇 态密度
  • 1 篇 光子

机构

  • 1 篇 航空航天部半导体...
  • 1 篇 中国科学院高能物...
  • 1 篇 电子科技大学

作者

  • 1 篇 张波
  • 1 篇 宋钦岐
  • 1 篇 李泽宏
  • 1 篇 张良生
  • 1 篇 曹亮
  • 1 篇 李肇基
  • 1 篇 张成勋

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=正空间电荷"
共 4 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型
收藏
分享
引用
微电子学 2004年 第2期34卷 185-188页
作者： 李泽宏 张波 李肇基 曹亮 电子科技大学微电子研究所 四川成都610054
　提出了一种DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型。基于沟道杂质的非均匀分布,借助镜像法,导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和二维互作用势;求解泊松方程,由此给出DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型表示式。该模型的解析解与MEDICI... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
半导体器件辐照损伤机理及加固
收藏
分享
引用
微电子学与计算机 1980年 第6期 18-38页
作者： 张成勋
Ⅰ、前言在航天、导弹等军事电系统硬件信成化的过程中,必须对核武器效应的影响引起足够重视。在核爆炸环境内,半导体器件的表现通常是很脆弱的。它们对核爆炸释放的高能粒子有不同形式的响应:γ射线辐照的结果,在半导体器件内产生与剂... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
自淬灭流光的可能成因
收藏
分享
引用
科学通报 1985年 第15期30卷 1136-1138页
作者： 张良生 中国科学院高能物理研究所 北京
为定量地解释“选通多步雪崩室”(Gated Multistep Avalanche Chamber,GMAC)的高计数率击穿现象,作者在文献[2]中假设了一种气体放电机制,据此机制所作的计算与实验结果令人满意地一致。上述机制加以推广有可能解释自淬灭流光(self-Quen... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
抗辐射电子学讲座——第二讲　γ射线和γ脉冲产生的效应
收藏
分享
引用
质量与可靠性 1990年 第2期 44-47页
作者： 宋钦岐 航空航天部半导体器件失效分析中心
一、γ射线和电子引起的电离效应 核爆产生的γ射线是原子核释放出的高能电磁辐射。这种电磁辐射的能量约为1兆电子伏,以光速传播。核爆产生的早期核辐射形成一个γ脉冲,对电子器件产生瞬时效应。核爆早期核辐射的γ射线,缓发的γ射线... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页 <<  < 1 >  >>
回到顶部
执行限定条件