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正电子湮灭

核技术 1980年第1期 52-55页

作者：王友桐

一、正电子湮灭的特性1.正电子正电子可以与电子湮灭,产生电磁辐射放出高能γ光子。这时电磁辐射的总能量E_v=2mc~2+E_++E_-,这里,m为电子的静止质量,c为光速,E_+和E_-分别为正电子和电子的动能。如果正电子与闭壳层束缚电子(主要是K电... 详细信息

一、正电子湮灭的特性1.正电子正电子可以与电子湮灭,产生电磁辐射放出高能γ光子。这时电磁辐射的总能量E_v=2mc~2+E_++E_-,这里,m为电子的静止质量,c为光速,E_+和E_-分别为正电子和电子的动能。如果正电子与闭壳层束缚电子(主要是K电子)充分相互作用,可以发射一个γ光子,其能量为1.02MeV,但其几率很小,而两个γ光子发射是最可几过程。按动量转换的要求,两个γ光子在相对直线上发射,每个γ光子具有0.51MeV(即相当于mc~2)的能量。三个γ光子发射过程也发生,但其几率小于二个γ光子发射过程,此三个γ光子具有

关键词：正电子素氢原子 PS 单态三态正电子寿命谱光子发射正电子湮灭寿命测量角关联

国产RPV钢铁离子辐照脆化行为的正电子湮灭研究

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金属学报 2018年第4期54卷 512-518页

作者：张天慈王海涛李正操 SCHUT Henk 张征明贺铭孙玉良清华大学核能与新能源技术研究院高温堆总体室先进反应堆工程与安全教育部重点实验室先进核能技术协同创新中心北京100084 清华大学材料学院先进材料教育部重点实验室北京100084 Department of Radiation Science and Technology Delft University of TechnologyMekelweg 152629 JB DelftNetherlands 上海电气核电设备有限公司上海201306

选取服役于我国高温气冷示范电站的反应堆压力容器(reactor pressure vessel,RPV)钢A508-3和纯Fe,采用3 Me V铁离子进行高温(250℃)与室温(约25℃)辐照,辐照损伤分别达0.1、0.5和1.0 dpa,对样品分别进行正电子湮灭和纳米压痕硬度研究。... 详细信息

选取服役于我国高温气冷示范电站的反应堆压力容器(reactor pressure vessel,RPV)钢A508-3和纯Fe,采用3 Me V铁离子进行高温(250℃)与室温(约25℃)辐照,辐照损伤分别达0.1、0.5和1.0 dpa,对样品分别进行正电子湮灭和纳米压痕硬度研究。结果表明,辐照会使材料内部产生缺陷,这种缺陷以空位型缺陷和溶质原子团簇缺陷为主。且高温辐照产生的缺陷密度低于室温辐照,其中高温的退火效应使材料内部缺陷发生一定程度的回复。辐照后RPV钢和纯Fe都产生了一定程度的硬化,硬化程度随辐照损伤的增加而增高。对于RPV钢,高温辐照比室温辐照使材料内部产生更少的空位型缺陷和更多的溶质原子团簇型缺陷,因而RPV钢的辐照硬化可能主要是由溶质原子团簇型缺陷引起的。

关键词：国产RPV钢辐照脆化正电子湮灭高温气冷堆

正电子湮灭术在测量金刚石膜空位型缺陷中的应用

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材料导报 2000年第6期14卷 30-32页

作者：郭忠诚陈星明方亮王万录廖克俊重庆大学理学院应用物理系重庆大学机械学院制造工程研究所重庆400044

对正电子湮灭术(PAS)应用于金刚石薄膜中检测空位型缺陷的研究现状进行了综述,对由正电子寿命谱、多普勒宽化因子等数据得到空垃型缺陷的浓度与大小等信息的方法进行了归纳与总结,并对正电子技术研究金刚石膜缺陷尚需注意的一些问题进... 详细信息

对正电子湮灭术(PAS)应用于金刚石薄膜中检测空位型缺陷的研究现状进行了综述,对由正电子寿命谱、多普勒宽化因子等数据得到空垃型缺陷的浓度与大小等信息的方法进行了归纳与总结,并对正电子技术研究金刚石膜缺陷尚需注意的一些问题进行了初步分析讨论。

关键词：金刚石薄膜正电子湮灭空位缺陷测量

热释发光-正电子湮灭法研究SrAl_2O_4基磷光体长余辉发光机制

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无机材料学报 2004年第1期19卷 201-206页

作者：林元华南策文张中太王雨田清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084 中国科学院高能物理所北京100039

利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,S... 详细信息

利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0.94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu1+)*的复合,导致了长余辉现象的发生.并且由于陷阱深度的变化,导致余辉性能出现较大的差异.

关键词：热释发光正电子湮灭长余辉陷阱能级

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变温条件下HDPE/CB的正电子湮灭特性

功能材料 2002年第3期33卷 335-337,340页

作者：贾少晋张志成范扬眉张宪峰韩容典都志文翁惠民中国科学技术大学应用化学系安徽合肥230026 中国科学技术大学近代物理系安徽合肥230026

对掺杂了 2 5份 (phr)导电炭黑 (CB)的样品进行了正电子湮灭寿命谱的变温测量 ,在玻璃化转变温度以上 ,随着温度的增加 ,自由体积的大小线性增加 ,在玻璃化转变温度以下 ,自由体积的大小基本不变。o Ps的强度在 -4 0℃下基本不变 ,从-4 ... 详细信息

对掺杂了 2 5份 (phr)导电炭黑 (CB)的样品进行了正电子湮灭寿命谱的变温测量 ,在玻璃化转变温度以上 ,随着温度的增加 ,自由体积的大小线性增加 ,在玻璃化转变温度以下 ,自由体积的大小基本不变。o Ps的强度在 -4 0℃下基本不变 ,从-4 0℃以上开始增加 ,但在 5 0℃以上上升有加快的趋势。

关键词： HDPE/CB 正电子湮灭炭黑 PTC 自由体积

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理想正电子湮灭寿命谱解析程序DPSⅠ

计算物理 2003年第6期20卷 561-564页

作者：杨树军北京市100039

　用C++语言编写了仅考虑样品体内信息的理想正电子湮灭寿命谱的解析程序DPSⅠ.程序采用带有记忆功能,并带有局部搜索的改进型模拟退火算法.对一般情况的理想寿命谱,DPSⅠ均可给出全局最优解;对于含有相对强度较小或重叠较为严重的多成... 详细信息

　用C++语言编写了仅考虑样品体内信息的理想正电子湮灭寿命谱的解析程序DPSⅠ.程序采用带有记忆功能,并带有局部搜索的改进型模拟退火算法.对一般情况的理想寿命谱,DPSⅠ均可给出全局最优解;对于含有相对强度较小或重叠较为严重的多成份寿命谱,也可给出可接受的近似全局最优解.DPSⅠ的实现为开发实验测量寿命谱解析程序奠定了基础.

关键词：正电子湮灭寿命谱 C++语言模拟退火算法 DPS I程序反演

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γ辐照对PE的正电子湮灭特性影响

高分子材料科学与工程 2003年第2期19卷 164-167页

作者：贾少晋张志成范扬眉张宪峰韩荣典中国科学技术大学应用化学系中国科学技术大学近代物理系安徽合肥230026

实验中对纯 L LDPE,LDPE和 HDPE经受了不同剂量辐照的 L LDPE,LDPE和 HDPE样品进行了正电子湮灭寿命谱的测定。当辐射剂量低于 2 5 k Gy时 ,o- Ps的强度 ( I3)和寿命 ( τ3)也随辐射剂量的增大而变小 ,当辐射剂量高于 2 5 k Gy时 ,o- P... 详细信息

实验中对纯 L LDPE,LDPE和 HDPE经受了不同剂量辐照的 L LDPE,LDPE和 HDPE样品进行了正电子湮灭寿命谱的测定。当辐射剂量低于 2 5 k Gy时 ,o- Ps的强度 ( I3)和寿命 ( τ3)也随辐射剂量的增大而变小 ,当辐射剂量高于 2 5 k Gy时 ,o- Ps的强度 ( I3)和寿命 ( τ3)基本不变 ,对照 L LDPE,L DPE和HDPE的 o- Ps的强度 ( I3)和寿命 ( τ3) ,可知道自由体积与材料的力学性能有一定的关联。

关键词： γ辐照 PE 正电子湮灭特性影响自由体积聚乙烯

块状LaNi_5基纳米合金的正电子湮灭研究

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中国稀土学报 2003年第3期21卷 299-302页

作者：隋郁熊良钺龙期威苏文辉哈尔滨工业大学理学院应用物理系凝聚态科学与技术研究中心黑龙江哈尔滨150001 中国科学院国际材料物理中心

利用高温高压技术,在不同的压力和温度(～4.5GPa,～800℃)下将LaNi5基快淬合金粉直接压制成了块状纳米晶合金。X射线衍射分析表明,高压使其晶粒内部发生了明显的压致晶粒碎化,其平均晶粒尺寸在4.5GPa下从75.5nm降至24.6nm。利用正电子... 详细信息

利用高温高压技术,在不同的压力和温度(～4.5GPa,～800℃)下将LaNi5基快淬合金粉直接压制成了块状纳米晶合金。X射线衍射分析表明,高压使其晶粒内部发生了明显的压致晶粒碎化,其平均晶粒尺寸在4.5GPa下从75.5nm降至24.6nm。利用正电子湮灭技术研究了这种晶粒碎化效应对纳米合金内部缺陷结构的影响。测试结果表明,在高温高压的作用下,由于界面上原子的迁移和弛豫加剧,导致晶界上尺寸较大的微孔隙缺陷逐渐转化为尺寸较小的自由体积缺陷,使得纳米合金的致密度逐渐增强,显微硬度逐渐升高,从而在高温高压下得到致密的块状纳米合金材料。

关键词：凝聚态物理学压致碎化 LaNi5基合金纳米固体正电子湮灭稀土

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碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究

华中理工大学学报 1991年第1期19卷 137-139页

作者：王建安张端明李国元何元金华中理工大学物理系清华大学

碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,或称MCT),是60年代问世的一种性能优良的红外探测材料,它的电性能在很大程度上取决于电子结构中的缺陷:自然缺陷(空穴、填隙原子、空位和络化物等);扩散缺陷(位错、晶粒边界、沉积、熔点物和非掺入的杂质等).键... 详细信息

碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,或称MCT),是60年代问世的一种性能优良的红外探测材料,它的电性能在很大程度上取决于电子结构中的缺陷:自然缺陷(空穴、填隙原子、空位和络化物等);扩散缺陷(位错、晶粒边界、沉积、熔点物和非掺入的杂质等).键稳模型断言,在MCT中,a.缺陷的形成和动态特性是热激活的;***-Te键很弱,汞空位是主要的自然缺陷;c.大多数扩散缺陷是电激活的.但是,迄今不能清楚地说明缺陷形成的动态过程及其与材料电性能的关系.正电子湮没技术(PAT)对于研究原子尺度的缺陷极其敏感.本文以PAT为手段,研究MCT退火过程中,缺陷浓度与电阻率的关系,以及充分退火后MCT的电阻率与温度的关系.

关键词：碲镉汞电子结构缺陷正电子湮灭