检索结果-南通市图书馆

碳纳米颗粒形貌对聚乙烯复合材料性能影响的正电子湮没研究

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精细与专用化学品 2024年第2期32卷 13-19页

作者：高洁周振豪梅佳明韩小兵湖北科技学院辐射化学与功能材料湖北省重点实验室核技术与化学生物学院湖北咸宁437100

在高性能聚合物纳米复合材料的构筑中,为了实现碳纳米颗粒的精准选择,揭示碳纳米颗粒形貌对聚合物复合材料微观结构及宏观性能的影响十分必要。采用热压法制备了富勒烯、碳纳米管、石墨烯和炭黑等不同形貌碳纳米颗粒填充改性的聚乙烯复... 详细信息

在高性能聚合物纳米复合材料的构筑中,为了实现碳纳米颗粒的精准选择,揭示碳纳米颗粒形貌对聚合物复合材料微观结构及宏观性能的影响十分必要。采用热压法制备了富勒烯、碳纳米管、石墨烯和炭黑等不同形貌碳纳米颗粒填充改性的聚乙烯复合材料,并利用正电子湮没寿命谱探讨了碳纳米颗粒形貌对复合材料自由体积特性的影响。此外,系统地研究了碳纳米颗粒形貌对聚乙烯复合材料流变、力学、电学和热学性能的影响,并将形貌对宏观性能的影响与复合材料自由体积分数的变化进行了关联。

关键词：碳纳米颗粒形貌正电子湮没微观结构性能

提拉法下Yb:YAG单晶缺陷的正电子湮没研究

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无机材料学报 2023年第3期38卷 316-321页

作者：石小兔张庆礼孙贵花罗建乔窦仁勤王小飞高进云张德明刘建党叶邦角中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所光子器件与材料安徽省重点实验室合肥230031 中国科学技术大学研究生院科学岛分院合肥230026 先进激光技术安徽省实验室合肥230037 中国科学技术大学核探测与核电子学国家重点实验室合肥230026

为满足固体激光器的应用需求,研究人员不断改进YAG激光晶体生长技术,其中控制YAG中的缺陷结构对于晶体的生长尤为重要。本工作对提拉法两种工艺制备的晶体样品进行了缺陷研究,特别是晶体散射点的起源。正电子湮没技术是一种对材料微观... 详细信息

为满足固体激光器的应用需求,研究人员不断改进YAG激光晶体生长技术,其中控制YAG中的缺陷结构对于晶体的生长尤为重要。本工作对提拉法两种工艺制备的晶体样品进行了缺陷研究,特别是晶体散射点的起源。正电子湮没技术是一种对材料微观结构十分灵敏且有效的核物理技术分析表征手段,对空位缺陷、微孔等极为敏感。根据正电子湮没寿命谱与多普勒展宽谱的分析结果,无论工艺、有无散射点,样品的正电子寿命及多普勒展宽线性参数均存在差异。这说明晶体主要缺陷是YAG结构中的本征缺陷,散射点可能是空位团聚引起的纳米微孔,研究表明该技术可以灵敏地表征YAG晶体散射点。正电子湮没实验反映的晶体单晶质量差异与X射线衍射、单晶摇摆曲线、光透过率以及位错密度结果吻合。在研究晶体的物理性能和缺陷与材料微结构的关系上正电子湮没技术具有独特的技术优势,同时正电子湮没技术可以在微观尺度上有效反映晶体质量。

关键词：晶体缺陷正电子湮没 Yb:YAG晶体提拉法

正电子湮没谱学在金属材料氢/氦行为研究中的应用

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物理学报 2020年第17期69卷 243-257页

作者：朱特曹兴忠中国科学院高能物理研究所多学科研究中心北京100049

用于核反应堆的金属结构材料中氢/氦泡的前躯体——(氢/氦)-空位复合体的形成受到温度、辐照剂量等多方面因素的影响,研究其在材料中的形成和演化行为对气泡形核的理解及先进核反应堆材料的发展起着至关重要的作用.然而,受到分辨率的局... 详细信息

用于核反应堆的金属结构材料中氢/氦泡的前躯体——(氢/氦)-空位复合体的形成受到温度、辐照剂量等多方面因素的影响,研究其在材料中的形成和演化行为对气泡形核的理解及先进核反应堆材料的发展起着至关重要的作用.然而,受到分辨率的局限,这种原子尺度的微结构很难用电镜等常规方法进行表征,以致于该问题的研究上可利用的数据相对较少.正电子湮没谱学是一种研究材料中微观缺陷的特色表征方法,近些年来慢正电子束流和新型核探测谱仪技术的不断发展以及基于慢束发展起来的多种实验测试方法的改进,使正电子湮没技术应用已拓展到金属材料中氢/氦行为的研究领域,在金属材料表面氢/氦辐照损伤的研究中发挥了重要作用.本文结合国内外相关进展以及本课题组的一些研究成果评述了正电子湮没谱学在金属材料氢氦行为研究中的应用,着重讨论了正电子湮没寿命谱、多普勒展宽谱、符合多普勒展宽三种测量方法在如下金属材料氢/氦行为研究中的优势:1)氢/氦气泡尺寸和浓度的估算;2)高能氢/氦离子辐照损伤缺陷及缺陷的退火、时效的演化行为;3)不同形变程度样品中氢/氦与形变缺陷的相互作用;4)不同能量或剂量氢/氦离子辐照对材料造成的损伤以及氢氦协同作用.

关键词：氢氦微观缺陷正电子湮没辐照损伤

正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理

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原子能科学技术 2019年第6期53卷 961-969页

作者：温阿利朱基亮范平马海亮张乔丽袁大庆中国原子能科学研究院北京102413 四川大学四川成都610064

关于CaCu3Ti4O12陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,... 详细信息

关于CaCu3Ti4O12陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜(SEM)测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu3Ti4O12陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb(CaCu3Ti4-xAl0.5xNb0.5xO12,x=0.2%、0.5%、5.0%)改变其晶粒和晶界的微观结构,研究CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示,掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高,其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小,阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。

关键词： CaCu3Ti4O12陶瓷 Al、Nb共掺高介电常数内阻挡层电容正电子湮没

正电子湮没谱和光致发光谱研究掺锌GaSb质子辐照缺陷

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物理学报 2010年第7期59卷 5116-5121页

作者：周凯李辉王柱武汉大学物理科学与技术学院武汉430072

用正电子湮没谱和光致发光谱研究了质子辐照后掺锌GaSb中的缺陷.通过分析正电子的缺陷寿命τ2及强度I2的变化发现,在高能质子的辐照下产生了双空位缺陷VGaVSb,可能同时产生了小的空位团.正电子平均寿命τav和S参数随着质子辐照剂量的变... 详细信息

用正电子湮没谱和光致发光谱研究了质子辐照后掺锌GaSb中的缺陷.通过分析正电子的缺陷寿命τ2及强度I2的变化发现,在高能质子的辐照下产生了双空位缺陷VGaVSb,可能同时产生了小的空位团.正电子平均寿命τav和S参数随着质子辐照剂量的变化也证明了这一结论.通过分析不同质子辐照剂量下掺锌GaSb的光致发光谱,发现GaSb中的Zn没有与辐照缺陷相互关联.质子辐照在样品中产生了非辐射复合中心.这种非辐射复合中心很可能是双空位和小空位团.利用光致发光谱推算了受主杂质Zn在GaSb中的能级位置.在经过质子辐照后的样品中发现了氢的存在,氢充当了浅受主杂质.通过退火实验观察到了样品中空位型缺陷的迁移合并和分解,发现氢原子加强了缺陷的移动能力.

关键词：缺陷 GaSb 正电子湮没光致发光谱

正电子湮没在石墨烯聚合物复合材料微观结构表征中的应用进展

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精细与专用化学品 2022年第11期30卷 45-50页

作者：韩小兵高洁陈涛陈志远湖北科技学院辐射化学与功能材料湖北省重点实验室非动力核技术研发中心湖北咸宁437100

深入研究材料的微观结构,实现微观结构与宏观性能的关联,对于高性能石墨烯聚合物复合材料的精准构筑具有重要的意义。正电子湮没是一种对材料微观结构探测有效的技术。在介绍正电子湮没技术基本原理的基础上,概述了近年来该技术在石墨... 详细信息

深入研究材料的微观结构,实现微观结构与宏观性能的关联,对于高性能石墨烯聚合物复合材料的精准构筑具有重要的意义。正电子湮没是一种对材料微观结构探测有效的技术。在介绍正电子湮没技术基本原理的基础上,概述了近年来该技术在石墨烯聚合物复合材料微观结构表征中的应用,特别是在自由体积特性和界面相互作用表征中的应用。

关键词：正电子湮没石墨烯聚合物复合材料结构表征

正电子湮没技术测量冷却方式对Zr在Ni_3Al中扩散行为的影响

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核技术 2005年第12期28卷 909-912页

作者：郭建亭李玉芳熊良钺中国科学院金属研究所高温合金研究部沈阳110016

测量了在Ni3Al(Zr)合金经高温均匀化处理后,在空冷和水冷条件下的正电子寿命谱。结果表明,Ni3Al(Zr)合金经高温均匀化后,随即进行空冷时,随着Zr含量的增加,正电子在合金中的寿命谱特征参数降低,捕获率K降低。表明Zr原子扩散到晶界,并在... 详细信息

测量了在Ni3Al(Zr)合金经高温均匀化处理后,在空冷和水冷条件下的正电子寿命谱。结果表明,Ni3Al(Zr)合金经高温均匀化后,随即进行空冷时,随着Zr含量的增加,正电子在合金中的寿命谱特征参数降低,捕获率K降低。表明Zr原子扩散到晶界,并在晶界偏聚。而合金经高温均匀化后水冷时,合金的正电子寿命谱特征参数随着Zr含量的增加几乎没有变化。由于冷却速度较快,Zr原子来不及扩散到晶界上,而以固溶方式存在于Ni3Al基体中。

关键词：正电子湮没 Ni3Al Zr 水冷空冷扩散

氘化对KH_2PO_4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究

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物理学报 2015年第9期64卷 501-506页

作者：张丽娟张传超廖威刘建党谷冰川袁晓东叶邦角中国工程物理研究院激光聚变研究中心绵阳621900 中国科学技术大学核探测器与核电子学国家重点实验室合肥230026 中国科学技术大学近代物理系合肥230026

采用传统降温法从不同程度氘化(x=0,0.51,0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP)晶体,利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD)结构分析,对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究,讨论了氘化程度对晶体内... 详细信息

采用传统降温法从不同程度氘化(x=0,0.51,0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP)晶体,利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD)结构分析,对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究,讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响.XRD结果显示晶胞参数a,b值随氘含量的增加而增加,c值无明显变化;正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高,KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加,引起晶体晶格畸变;氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷,缺陷浓度不断减少;团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应,缺陷浓度表现为不断减少.多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升,晶体内部各类缺陷表现为同步变化.实验结果表明,KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱,而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强.

关键词：正电子湮没 KH2PO4晶体氘化微观缺陷

Fe-Ni基合金氢脆的正电子湮没寿命谱研究

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金属学报 2006年第5期42卷 469-473页

作者：张建李秀艳戎利建郑永男朱升云中国科学院金属研究所沈阳110016 中国原子能科学研究院北京102413

采用正电子湮没寿命谱研究了氢在不同热处理状态的Fe-Ni基沉淀强化奥氏体合金中的占位规律和作用机制,结合拉伸实验、扫描电镜和透射电镜观察研究了热处理和热充氢对合金微观组织及力学性能的影响．结果表明:热充氢导致固溶态合金内部... 详细信息

采用正电子湮没寿命谱研究了氢在不同热处理状态的Fe-Ni基沉淀强化奥氏体合金中的占位规律和作用机制,结合拉伸实验、扫描电镜和透射电镜观察研究了热处理和热充氢对合金微观组织及力学性能的影响．结果表明:热充氢导致固溶态合金内部的空位团浓度升高,合金强度上升,塑性略有下降;氢在峰值时效合金中不进入γ′／γ界面,而是主要进入含少量碳化物的晶界和晶内空位团,使合金塑性显著降低;过时效处理产生粗大γ′相,使γ′／γ界面成为氢陷阱,同时氢还进入存在连续碳化物的晶界,造成合金塑性的严重降低．

关键词： Fe-Ni基合金正电子湮没沉淀强化氢脆