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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 核科学与技术
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 2 篇 正电子捕获
  • 1 篇 空位缺陷
  • 1 篇 电子辐照
  • 1 篇 正电子寿命
  • 1 篇 中子辐照
  • 1 篇 碳化硅(sic)

机构

  • 1 篇 四川大学
  • 1 篇 香港大学
  • 1 篇 中南科学院高能物...

作者

  • 1 篇 邓爱红
  • 1 篇 beling c d
  • 1 篇 shan y y
  • 1 篇 张伶俐
  • 1 篇 熊兴民
  • 1 篇 fung s

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=正电子捕获"
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电子辐照前后的n型6H-SiC低温正电子捕获的研究
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四川大学学报（自然科学版） 2004年 第2期41卷 348-353页
作者： 张伶俐 邓爱红 Shan Y Y Beling C D Fung S 四川大学应用物理系 成都610065 香港大学物理系
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一种用于解释正电子寿命谱测量结果的模型,该模型中费米能级位置的改变可影响缺陷的电离以及正电子在缺... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应
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引用
核技术 1992年 第3期15卷 151-155页
作者： 熊兴民 中南科学院高能物理研究所 北京100080
用正电子湮没寿命测量方法研究了在中子辐照硅单晶缺陷中正电子捕获的温度效应。寿命谱被成功地分成两个组分,长寿命组分在109—300K的温度范围有325±9 ps的常数寿命值,它被认为是在负荷电双空位捕获的正电子寿命。正电子捕获率显示一... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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