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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 电子科学与技术（可...
    • 2 篇 材料科学与工程（可...

主题

  • 3 篇 横向晶闸管
  • 1 篇 触发特性
  • 1 篇 维持电压
  • 1 篇 cmos集成电路
  • 1 篇 防静电保护结构
  • 1 篇 电参数
  • 1 篇 双向
  • 1 篇 分流
  • 1 篇 esd
  • 1 篇 放电管
  • 1 篇 闩锁
  • 1 篇 设计
  • 1 篇 pmos
  • 1 篇 低触发电压

机构

  • 1 篇 国网广安供电公司
  • 1 篇 长沙理工大学
  • 1 篇 四川大学
  • 1 篇 郑州大学
  • 1 篇 上海交通大学
  • 1 篇 电子科技大学

作者

  • 1 篇 李浩亮
  • 1 篇 赵明
  • 1 篇 陈瑞博
  • 1 篇 李岷
  • 1 篇 陈磊
  • 1 篇 戴庆元
  • 1 篇 邓旭聪
  • 1 篇 蒋刚
  • 1 篇 刘志伟
  • 1 篇 邹望辉
  • 1 篇 许海龙

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=横向晶闸管"
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双向低触发电压横向晶闸管放电管研究
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人工晶体学报 2021年 第2期50卷 353-360页
作者： 蒋刚 邓旭聪 赵明 国网广安供电公司 广安638000 四川大学电子信息学院 成都610065
依据触发电压V_(S)、触发电流I_(S)、维持电流IH及触发电压、维持电流高低温变化率指标要求,利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件完成了双向低触发电压横向晶闸管(SCR)放电管的设计。详细分析了对触发特性产生显著影响的结构参数(N^(-)... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
利用横向晶闸管设计ESD保护结构
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引用
微电子学与计算机 2002年 第8期19卷 57-60页
作者： 李岷 戴庆元 上海交通大学微电子技术研究所 上海200030
文章采用横向晶闸管设计ESD保护电路结构,给出了保护结构的版图以及等效电路。同时,对所设计的结构进行计算分析,并在PSPICE中建立了该结构的仿真模型。最后,使用计算机进行模拟验证,分析仿真结果以检验所设计结构的有效性和可靠性。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
一种用于5V电源ESD防护的新型高维持电压MLSCR
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引用
微电子学 2019年 第2期49卷 288-291,298页
作者： 陈瑞博 李浩亮 刘志伟 陈磊 邹望辉 许海龙 郑州大学信息工程学院 郑州450000 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610000 长沙理工大学物理与电子科学学院 长沙410000
针对5 V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR)。相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高的维持电压和相对较低的触发电压,有效避免了传统MLSCR面临的闩锁风险。基于0.18μm BCD工艺,采用TCAD... 详细信息
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