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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 关态电流
  • 1 篇 开关电流比
  • 1 篇 栅极感应漏极泄露
  • 1 篇 纳米管无结场效应...
  • 1 篇 横向带到带隧穿

机构

  • 1 篇 深圳锐越微技术有...
  • 1 篇 上海电力大学

作者

  • 1 篇 杨芳
  • 1 篇 李清华
  • 1 篇 王良
  • 1 篇 刘伟景

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=横向带到带隧穿"
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一种新型的纳米管无结场效应晶体管
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微电子学 2024年
作者： 刘伟景 王良 李清华 杨芳 上海电力大学 深圳锐越微技术有限公司
为了降低纳米管无结场效应晶体管（NT-JLFET）的关态电流，提出了一种新型NT-JLFET的结构。新结构（C-NT-JLFET）在常规NT-JLFET的源-沟道界面和漏-沟道界面引入环状低掺杂浓度区。利用Sentaurus TCAD仿真软件对常规NT-JLFET和C-NT-JLFE... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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