检索结果-南通市图书馆

微电子学 2007年第6期37卷 819-821页

作者：顾爱军孙锋洪根深江南大学江苏无锡214075 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

横向SOI双极技术具有工艺简单、寄生电容小等优势,被认为是射频领域最有希望的技术之一。为了得到可用于射频领域的SOI横向栅控双极晶体管特性,采用一种SOI横向栅控双极晶体管器件结构,研究范围包括工艺实现过程和器件性能特性。实验表... 详细信息

横向SOI双极技术具有工艺简单、寄生电容小等优势,被认为是射频领域最有希望的技术之一。为了得到可用于射频领域的SOI横向栅控双极晶体管特性,采用一种SOI横向栅控双极晶体管器件结构,研究范围包括工艺实现过程和器件性能特性。实验表明,该器件工艺与平面CMOS工艺完全兼容,通过对栅端电压的控制,可以实现hFE在一个较大的范围内自由调节,具有更大的使用灵活性。

关键词： SOI 横向双极晶体管射频

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不同钝化和氧化工艺LPNP晶体管辐射效应研究

不同钝化和氧化工艺LPNP晶体管辐射效应研究

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作者：甄兆丰哈尔滨工业大学

学位级别：硕士

本文以不同钝化和氧化工艺LPNP双极晶体管为研究对象,采用Co-γ射线、30Me V Si离子和1 Me V电子进行辐照试验。通过对晶体管电性能的测试分析,探究不同工艺对晶体管电离辐射损伤、位移损伤及电离/位移协同效应的影响机制。结合深能级... 详细信息

本文以不同钝化和氧化工艺LPNP双极晶体管为研究对象,采用Co-γ射线、30Me V Si离子和1 Me V电子进行辐照试验。通过对晶体管电性能的测试分析,探究不同工艺对晶体管电离辐射损伤、位移损伤及电离/位移协同效应的影响机制。结合深能级瞬态谱和TCAD仿真进一步分析辐射缺陷的演化过程。试验结果表明,不同工艺晶体管在高低剂量率Co-γ射线辐照下,主要产生界面态陷阱和氧化物电荷,界面态陷阱会导致晶体管表面复合速率增加,进而导致基极电流增加和电流增益退化,而氧化物电荷对界面态的作用有一定的抑制作用。与高剂量率辐照相比,晶体管在低剂量率下产生的界面态陷阱浓度更高,造成的电流增益退化更严重,表现出低剂量率辐射增强效应(ELDRS),结合文献和TCAD仿真较好的验证了此结论。当晶体管受到Co-γ射线辐照时,在给定的反应温度及气氛等条件下,低温湿氧层作为钝化层的晶体管电流增益退化最小,低温湿氧层和氮化层组合的晶体管退化最严重;在30 Me V Si离子辐照下,主要在硅体内产生空位、间隙原子等缺陷,导致少子寿命降低和基极电流增加。在此条件下,低温湿氧层作钝化层的晶体管损伤最严重,低温湿氧层与氮化层组合的晶体管损伤最小;在1 Me V电子辐照下,会同时产生电离辐射损伤和位移损伤。在相同辐射吸收剂量下,Co-γ射线产生电离辐射损伤能力最强,而30 Me V Si离子产生位移损伤能力最强。不同钝化工艺晶体管在,在Co-γ射线辐照后,含有氮化层的晶体管损伤最严重,氧化物作为钝化层的晶体管损伤最小,这是因为在氮化层的制备过程中引入大量氢,氧化层中空穴俘获会释放质子到界面形成界面态陷阱,氢的存在使得界面态陷阱浓度变大;在30 Me V Si离子辐照后,钝化层的影响规律正好与上述相反,这是因为氧化层制备过程中会引入大量可动离子电荷,氮化层可以吸收并固定可动离子电荷,所以产生的损伤相对较小。含有不同氧化层的晶体管受到电离辐射损伤后,有干氧层的晶体管损伤最严重,这是因为湿氧层制备过程中会在界面处引入水分子,当氧化层中质子释放到界面产生悬挂键时,水分子可以与悬挂键反应使其重新钝化,最后产生的界面态陷阱浓度较低;湿氧层制备的温度越低,引入的界面电荷浓度越高,辐照后产生的损伤越严重。

关键词：横向双极晶体管电离辐射损伤效应位移损伤效应钝化工艺氧化工艺

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电路总论

引用

电子科技文摘 2001年第3期 28-29页

Y2000-62422-20 0103805采用横向双极晶体管薄膜 CMOS 绝缘体上硅工艺的带隙电路=A bandgap circuit operating up to 300℃ us-ing Lateral bipolar transistors in thin-film CMOS-SOItechnology[会,英]/Adriaensen,S.& Dessard,V.//1... 详细信息

关键词：横向双极晶体管绝缘体上硅带隙电路数据恢复电路系统级设计总论薄膜文章不同方法工艺

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