检索结果-南通市图书馆

用离子辐照模拟研究反应堆结构材料中金属/金属界面原子扩散行为

引用

原子核物理评论 2006年第2期23卷 215-220页

作者：魏孔芳王志光中国科学院近代物理研究所

介绍了利用载能离子辐照模拟研究反应堆结构材料中金属/金属界面原子扩散行为的实验进展,特别是辐照参数(如辐照剂量、辐照温度、核能损、电子能损以及膜结构等)对界面原子扩散行为的影响,并对可能的机理进行了简要的评述。

关键词：辐照剂量辐照温度电子能损核能损金属/金属界面原子扩散

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高电荷态离子Ar～（q+），Pb～（q+）在Si，Cu，W靶表面上的原子溅射研究

高电荷态离子Ar～（q+），Pb～（q+）在Si，Cu，W靶表面上的原子...

引用

作者：丁大杰兰州大学

学位级别：硕士

人们对低速高电荷态离子(Slow Highly Charged Ion)与固体靶相互作用这一课题在近二十年里进行了很多研究，如离子中性化过程，X-射线，俄歇电子发射，电子溅射，表面原子溅射等。在实验和理论上都得到了很多有价值的结果。高电荷态离... 详细信息

人们对低速高电荷态离子(Slow Highly Charged Ion)与固体靶相互作用这一课题在近二十年里进行了很多研究，如离子中性化过程，X-射线，俄歇电子发射，电子溅射，表面原子溅射等。在实验和理论上都得到了很多有价值的结果。高电荷态离子具有很大的势能，它与固体表面碰撞时有可能溅射出比自身数目大得多的原子。因而有可能在低动能入射，不损伤固体内部结构的情况下，在材料表面实现纳米蚀刻。所以高电荷态离子在固体靶表面引起靶原子溅射一直倍受关注。我们在中国科学院近代物理研究所ECR源实验平台进行了高电荷态离子Ar(E=20-320keV，q=8，11，13，15，16)，pb(E=80-720keV，q=20，24，30，32，35，36)轰击洁净的Si，Cu，W固体靶实验。对靶材料采取一系列的化学，物理处理方式使其洁净。实验中，我们从不同的入射角度(15°-75°)测量了电中性和带正电溅射粒子的相对产额(99.9％为靶原子)。测量了以下入射离子在靶上的相对溅射产额： (a)入射离子Ar，E=160keV，q=8，11，13，15，16 (b)入射离子Ar，E=96，112，128，144，160，176，208，240，288，320keV (c)入射离子Ar，E=20keV (d)入射离子pb，E=400keV，q=20，24，30，32，35，36 (e)入射离子pb，E=216，252，288，324，360，432，504，576，648，720keV (f)入射离子pb，E=80keV 实验结果表明：在上述实验条件下，(1)，Ar，pb轰击Si，Cu，W靶，靶表面没有发生爆炸而导致原子溅射：其中Ar轰击Si，Cu，W靶，没有明显的势能溅射效应。(2)，存在0.30v＜v＜0.40v一个入射离子速度共振区，该区域不依赖于靶的材料性质，但原子溅射产额明显增多;(3)，溅射产额明显地依赖于入射离子的核能损，核能损越大产额越多，其中Ar在Si靶表面引起溅射的产额与核能损成正比关系。

关键词：低速高电荷态离子相对溅射产额速度共振区核能损

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

载能离子辐照镁铝尖晶石的损伤特性研究

载能离子辐照镁铝尖晶石的损伤特性研究

引用

作者：张梦山东大学

学位级别：硕士

MgAl2O4晶体是最具科学和技术价值的功能材料之一,一方面它具有优异的抗辐照性,这是材料作为核反应堆嬗变靶最关键的特性,而目前关于MgAl2O4晶体在不同种类和能量离子辐照下的抗辐照性研究仍有待完善,另一方面由于它对中红外光波的低吸... 详细信息

MgAl2O4晶体是最具科学和技术价值的功能材料之一,一方面它具有优异的抗辐照性,这是材料作为核反应堆嬗变靶最关键的特性,而目前关于MgAl2O4晶体在不同种类和能量离子辐照下的抗辐照性研究仍有待完善,另一方面由于它对中红外光波的低吸收率,常被用于制造高性能光电器件,探究MgAl2O4晶体在高能离子辐照后作为波导结构的光学特性,可以扩展其在光电领域的应用。本论文将非弹性热峰模型计算与透射电子显微镜、棱镜耦合、端面耦合、X射线衍射、拉曼、原子力显微镜及紫外-可见光光谱测试实验结合,对中高能离子辐照后MgAl2O4晶体的损伤特性及其作为波导的光学特性进行研究,得到了以下结果:(1)研究了 645.0 MeV Xe35+和 352.8 MeV Fe15+辐照后的 MgAl2O4 晶体。其中离子速度在 0.32 MeV/u—5.00 MeV/u 范围内,电子能损在 9.4 keV/nm-26.0 keV/nm 范围内,当晶格系统沉积能量低于0.68 eV/atom(晶格系统温度低于2403 K)时,晶体无损伤;当沉积能量在0.68 eV/atom—1.30 eV/atom(晶格温度在2403 K-4027 K)范围内时,晶体中出现非连续径迹,径迹直径为0 nm—3 nm;当沉积能量在1.30 eV/atom-1.79 eV/atom(晶格温度在4027 K—6053 K)范围内时,非连续径迹演化为连续径迹,径迹直径为3 nm—7 nm。高能离子辐照MgAl2O4晶体时的电子能损和离子速度,共同决定晶体径迹损伤形态,通过计算得到电子能损和离子速度与晶格系统温度和沉积能量之间的定量关系,最终阐明电子能损和离子速度、晶体径迹损伤形态、晶格系统温度和沉积能量之间的联系。在3.0 × 1012 cm-2 Xe35+辐照下,晶体相比未辐照时表面粗糙度增大,且均匀分布了孤立的纳米丘结构,纳米丘结构的形成是由于晶体内部单离子径迹的融化,膨胀与淬火,在1.0 × 1013 cm-2 Xe35+辐照下,晶体表面粗糙度与纳米丘结构的尺寸进一步增大,表面相邻纳米丘结构开始重叠聚集;Xe35+辐照后的晶体径迹损伤区域部分振动键断裂、Mg2+和Al3+位置发生交换且晶格在[100]轴方向上发生拉伸应变;Xe35-和Fe15+辐照后的MgAl2O4晶体内部出现光学位垒,介于空气与光学位垒之间的MgAl2O4波导结构可支持近红外光的传输。(2)研究了 30.0 MeV Si5+和 90.0 MeV Ar12+辐照后的 MgAl2O4 晶体。在 3.0 ×1013 cm-2 Si5+和3.0 × 1012 cm-2 Ar12+辐照核能损诱导下,晶体dpa峰值处区域出现了缺陷团簇。Si5+和Ar12+辐照下的晶体离位损伤区域晶格在[100]轴方向上发生拉伸应变,且此区域晶体体积膨胀导致密度减小,折射率降低;在3.0 × 1013 cm-2 Si5+辐照下,晶体离位损伤区域部分相关振动键断裂;Si5+和Ar12+辐照核能损诱导晶体内部产生F-中心,晶体带隙减小。由上述结果得到中高能离子辐照后MgAl2O4晶体的损伤特性,在高能离子辐照下,晶格系统沉积能量高于0.91 eV/atom时,晶体产生径迹损伤,在中能离子辐照下,晶体的dpa大于0.002时,其内部产生缺陷团簇,此外,经离子辐照后的晶体损伤区域均产生一系列晶格结构变化;研究还发现了 Xe35+和Fe15+辐照后的MgAl2O4晶体可作为波导结构对近红外光进行传输。

关键词： MgAl2O4单晶离子辐照电子能损核能损波导结构

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：