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具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 283-290页

作者：徐秋霞钱鹤段晓峰刘海华王大海韩郑生刘明陈宝钦李海欧中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院物理研究所北京100080 中国科学院物理研究所北京100080 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩... 详细信息

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.

关键词：应变硅沟道压应力 Ge预非晶化注入等效氧化层厚度栅长 CMOS

栅长为1.5微米延迟时间为50微微秒的高速GaAsFET逻辑器件

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微电子学 1981年第5期 44-46页

作者：李忠义

对于GaAs场效应晶体管来说,虽然栅长为1.5微米是够长的了,但仍能试制出电路延迟时间为50微微秒(功耗为5.7毫瓦/门)的GaAs场效应晶体管逻辑集成电路。与硅栅MOS场效应晶体管的制造方法相同,是以栅金属作掩蔽,用离子注入方法形成n~+的漏... 详细信息

对于GaAs场效应晶体管来说,虽然栅长为1.5微米是够长的了,但仍能试制出电路延迟时间为50微微秒(功耗为5.7毫瓦/门)的GaAs场效应晶体管逻辑集成电路。与硅栅MOS场效应晶体管的制造方法相同,是以栅金属作掩蔽,用离子注入方法形成n~+的漏区和源区。由于该n~+层的横向扩散,不使栅金属和n~+层不致电气短路,然后进行深离子注入,使表面载流子浓度稍微降低些。

关键词：场效应晶体管单极晶体管场效应器件延迟时间逻辑器件栅长微微秒 GaAsFET

亚微米栅长的超高速GaAs LSI中采用的p型隐埋层SAINT

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微纳电子技术 1987年第1期 37-42+17页

作者： Kimiyoshi Yamasaki 丁奎章

为了制作亚微米栅长的超高速GaAs LSI,研制了一种p型耗尽层隐埋在有源层下的新型SAINT FET。设计的p型层有效地抑制了在n+自对准（SAINT）MESFET中会引起严重短沟道效应的衬底电流。因为由Be离子注入形成的整个p型层,都被与其上面n型沟... 详细信息

为了制作亚微米栅长的超高速GaAs LSI,研制了一种p型耗尽层隐埋在有源层下的新型SAINT FET。设计的p型层有效地抑制了在n+自对准（SAINT）MESFET中会引起严重短沟道效应的衬底电流。因为由Be离子注入形成的整个p型层,都被与其上面n型沟道层对应的内建势所耗尽,因此,p型层不会增加寄生电容。p型层的杂质浓度由最佳运算速度所限制。减薄有效沟道厚度所造成的短沟道效应的减弱,使漏电流增加了一倍左右,并使环形振荡器的传输延迟时间缩短了60％,室温下获得的最大跨导为420mS/mm,最小延迟时间为9.9ps/门。

关键词：栅长 FET 埋层短沟道效应 SAINT 亚微米 LSI

亚微米栅长MESFET中的迁移率、渡越时间和跨导

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微纳电子技术 1980年第6期38卷 47-50页

作者： J.Frey 王云生

Si、GaAs 和 InP 的亚微米栅长 MESFET 的二维模拟表明:器件渡越时间和跨导对高场扩散系数和速/场特性的依赖关系胜于对低场迁移率的依赖。合理的 InP 器件比 GaAs 器件有更短的渡越时间和更高的跨导,并且 InP 器件的某些参数的优值系... 详细信息

Si、GaAs 和 InP 的亚微米栅长 MESFET 的二维模拟表明:器件渡越时间和跨导对高场扩散系数和速/场特性的依赖关系胜于对低场迁移率的依赖。合理的 InP 器件比 GaAs 器件有更短的渡越时间和更高的跨导,并且 InP 器件的某些参数的优值系数也能与硅和 GaAs 器件媲美。

关键词： MESFET 栅长渡越时间跨导亚微米迁移率

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东芝试制成功栅长10nm晶体管

半导体信息 2004年第4期 28-29页

作者：章从福

面向存在低耗电要求的数字家电SoC(系统芯片),东芝日前试产了栅长10nm的晶体管。在2004年6月15日于美国檀香山开幕的半导体制造技术国际会议"2004 Symposium on VLSI Technology"上进行了技术发表。"目前已经证实晶体管能够正常开关,泄... 详细信息

面向存在低耗电要求的数字家电SoC(系统芯片),东芝日前试产了栅长10nm的晶体管。在2004年6月15日于美国檀香山开幕的半导体制造技术国际会议"2004 Symposium on VLSI Technology"上进行了技术发表。"目前已经证实晶体管能够正常开关,泄漏电流处在大体允许的范围内"(东芝)。设计工艺为22nm,预计2016年前后开始量产。其最大特点是采用了与现有技术相同的Bulk MOS结构晶体管。

关键词： nm 栅长半导体制造泄漏电流沟道效应数字家电绝缘膜设计工艺电流值控制栅极

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0.5μm栅长GaAsMESFET中的沟道长度效应

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微纳电子技术 1984年第4期 27-30页

作者： P.C.Chao 刘宗穆

本文比较了栅长为0.25μm,沟道长度(即源一漏间距)为2.1μm和0.5μm的GaAsMESFET的电性能。实验发现极短的沟道长度导致电子平均漂移速度、跨导和正向转换增益明显地增加。当0.25μm栅长器件的源-漏间距从2.1μm减小到0.5μm时,电子平... 详细信息

本文比较了栅长为0.25μm,沟道长度(即源一漏间距)为2.1μm和0.5μm的GaAsMESFET的电性能。实验发现极短的沟道长度导致电子平均漂移速度、跨导和正向转换增益明显地增加。当0.25μm栅长器件的源-漏间距从2.1μm减小到0.5μm时,电子平均漂移速度和本征直流跨导都增加约70％。还指出了输出电导和极间电容增加的不利影响。

关键词：沟道长度器件电性能物理性能 GaAsMESFET 栅长

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应变计栅长与可测应变波频率计算

成都科技大学学报 1981年第1期 119-124页

作者：何思龙

弹性体承受高频动载时,其应变是以波的形式在弹性体中传播。如用电阻应变计来测定机械结构和工程设施的这类高频动态应变,就要考虑在应变波的传播过程中各种因素对测量结果的影响。为了正确选择动态应变测量的应变计栅长,或计算已知栅... 详细信息

弹性体承受高频动载时,其应变是以波的形式在弹性体中传播。如用电阻应变计来测定机械结构和工程设施的这类高频动态应变,就要考虑在应变波的传播过程中各种因素对测量结果的影响。为了正确选择动态应变测量的应变计栅长,或计算已知栅长的应变计的可测应变波频率,必须研究应变计栅长与可测应变波频率的关系。对于这个问题,捷克***[1]在1961年把应变波看作正弦波,并以角度表示应变波的波长和应变计的栅长,导出应变计所测应变

关键词：栅长相对测量误差可测应变波应变计测力计频率计算

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亚微米栅长GaAs MESFET的性能

微纳电子技术 1984年第6期 61-68页

作者： Walter R. 罗海云

采用一个能解释电子能量弛豫效应的两维模型,研究了栅长、有源层厚度以及缓冲层电流对短栅长GaAs FET的静态和射频参数的影响。对于夹断电压相近的器件来说,饱和电流大致相等,但当器件存在衬底电导时,其跨导和增益带宽乘积将大大降低。... 详细信息

采用一个能解释电子能量弛豫效应的两维模型,研究了栅长、有源层厚度以及缓冲层电流对短栅长GaAs FET的静态和射频参数的影响。对于夹断电压相近的器件来说,饱和电流大致相等,但当器件存在衬底电导时,其跨导和增益带宽乘积将大大降低。对频率响应与栅长、施主浓度、栅电阻以及源电感的关系作了数字估算。业已证明此模型与测量的亚微米器件特性比较符合。

关键词：栅长频率响应缓冲层器件频率特性 MESFET 夹断电压亚微米

采用载流子饱和速度/电荷控制模型对亚微米栅长AlGaAs/GaAs调制掺杂EFT结构的设计计算

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微纳电子技术 1987年第3期 44-50页

作者： Mukunda.B.Das 汤西英

采用通常的电荷控制模型以及实际亚微米栅结构的载流子速度饱和概念,计算了AlGaAs/GaAs调制掺杂FET的直流和小信号交流特性。为了得到所希望的闽值电压和最大的栅电压幅度,设计者往往根据设计图表给出的优先选用的掺杂浓度来选择适当的n... 详细信息

采用通常的电荷控制模型以及实际亚微米栅结构的载流子速度饱和概念,计算了AlGaAs/GaAs调制掺杂FET的直流和小信号交流特性。为了得到所希望的闽值电压和最大的栅电压幅度,设计者往往根据设计图表给出的优先选用的掺杂浓度来选择适当的n-AlGaAs厚度。在存在或不存在源和漏串联电阻的情况下,给出了0.25μm和0.8μm栅长结构的典型Ⅰ/Ⅴ理论特性、饱和电流和跨导与栅电压图的关系。

关键词：亚微米器件薄层地层载流子密度载流子浓度调制掺杂 EFT AlGaAs/GaAs 栅长设计计算