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文献类型

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馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...

主题

  • 2 篇 栅源极短路
  • 2 篇 栅源极失效
  • 2 篇 碳化硅mosfet
  • 1 篇 栅极泄漏电流
  • 1 篇 短路退化
  • 1 篇 阻断能力
  • 1 篇 判定方法

机构

  • 2 篇 华北电力大学

作者

  • 2 篇 彭娇阳
  • 1 篇 蔡雨萌
  • 1 篇 张浩然
  • 1 篇 孙鹏
  • 1 篇 赵志斌

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=栅源极失效"
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基于栅极泄漏电流的碳化硅MOSFET短路栅源极失效判定方法
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高电压技术 2022年 第6期48卷 2391-2400页
作者： 彭娇阳 孙鹏 张浩然 蔡雨萌 赵志斌 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室 北京102206
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)的短路坚固性是影响器件在高压高频功率变换领域应用的关键问题。在传统的碳化硅MOSFET栅源极短路研究中,依据器件关断后的波形中栅源... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
碳化硅MOSFET短路退化与失效研究
碳化硅MOSFET短路退化与失效研究
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引用
作者： 彭娇阳 华北电力大学(北京)
学位级别：硕士
在高频功率变换领域,碳化硅MOSFET的短路可靠性和坚固性是影响器件应用的关键问题。虽然碳化硅材料本身具有诸多优异特性,但由于碳化硅MOSFET的芯片尺寸较小、栅氧层较薄、短路电流密度较高,其短路耐受能力明显弱于硅基器件。在实际应... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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