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中国科技论文在线精品论文 2020年第4期13卷 465-472页

作者：刘强上海华力微电子有限公司上海201203

随着半导体器件工艺尺寸不断缩小,栅氧化层的厚度已接近极限,实际生产中栅氧完整性(gate oxide integrity,GOI)问题越来越凸现.本文主要研究由于内电介质层(internal dielectric layer,ILD)沉积中的等离子体损伤导致栅氧化层工艺失效问... 详细信息

随着半导体器件工艺尺寸不断缩小,栅氧化层的厚度已接近极限,实际生产中栅氧完整性(gate oxide integrity,GOI)问题越来越凸现.本文主要研究由于内电介质层(internal dielectric layer,ILD)沉积中的等离子体损伤导致栅氧化层工艺失效问题.采用不同沉积方式对ILD沉积,发现高密度等离子体(high density plasma,HDP)化学气相沉积过程中具有较重的等离子体,会降低器件的栅氧可靠性.HDP沉积过程中采用循环沉积-刻蚀-沉积来实现对所有填充结构轮廓的调整,实验结果发现降低沉积-刻蚀循环次数可以有效改善对栅氧等离子体损伤,但其填充效果会降低.采用高深宽比沉积工艺(high aspect ratio process,HARP)对栅氧等离子体损伤较小.由于受ILD轮廓问题影响,纯HARP填充工艺效果不佳.本文针对特殊的填充结构提出采用HDP与HARP结合的方式同时解决栅氧等离子体损伤及填充效果不佳的问题.

关键词：半导体技术栅氧完整性内电介质层等离子体损伤栅氧击穿

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先进逻辑（Logic）技术中CVD制程能力及其稳定性的改善研究

先进逻辑（Logic）技术中CVD制程能力及其稳定性的改善研究

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作者：许亮复旦大学

学位级别：硕士

随着集成电路技术的飞速发展,集成度越来越高,特征尺寸越来越小,导致了结构的立体化,布线的多层化,0.18μm逻辑FSG（Fluorine Silicon Glass,掺氟硅玻璃）结构除了在设计上的缩小外,最重要的是低介电常数材质的应用。即在层间介质氧化... 详细信息

随着集成电路技术的飞速发展,集成度越来越高,特征尺寸越来越小,导致了结构的立体化,布线的多层化,0.18μm逻辑FSG（Fluorine Silicon Glass,掺氟硅玻璃）结构除了在设计上的缩小外,最重要的是低介电常数材质的应用。即在层间介质氧化硅中掺杂氟,以减低其介电常数,用以减小分布电容从而降低RC延迟,进而增加产品之运行速度.此外,大量运用CVD（Chemical Vapor Deposition化学气相淀积）工艺的防反射涂层,富硅氧化硅,覆盖层的氧化硅它也是0.18μm逻辑FSG结构的重点之一。这些新增的薄膜对于整合及良率至为关键。在0.18μm逻辑工艺迈向成熟的过程中,主要遇到了四个问题：1＞栅氧完整性失效率太高2＞FSG气泡问题3＞顶层金属光刻返工低良率问题4＞STI （Shallow Trench Isolation浅沟道隔离）工艺的空洞问题等。针对这四个问题,论文分别分析了产生的原因,然后和整合工程师合作从CVD工艺角度探索解决方案,通过DOE（实验设计）方法,研究各参数对工艺性能的影响,优化和调整工艺参数（如气体流量、气压等）,使其具有工艺稳定和可靠等特点,以满足大生产的要求。

关键词： FSG气泡防反射涂层栅氧完整性 STI空洞

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