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基于GaN器件的有源箝位正激变换器设计

现代电子技术 2024年第6期47卷 119-123页

作者：汪渭滨徐海军王伟中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

有源箝位正激变换器因为开关管的软开关控制,可以降低高频下的开关损耗,已是中型功率隔离变换器实现高效率、高功率密度的主流解决方案。文中基于有源箝位正激变换器设计一款输入28 V、输出3.3 V/30 A的电源样机,开关频率为700 kHz,原... 详细信息

有源箝位正激变换器因为开关管的软开关控制,可以降低高频下的开关损耗,已是中型功率隔离变换器实现高效率、高功率密度的主流解决方案。文中基于有源箝位正激变换器设计一款输入28 V、输出3.3 V/30 A的电源样机,开关频率为700 kHz,原边主开关管采用低栅极电荷、低输出电容、零反向恢复损耗的氮化镓(GaN)器件,再结合平面变压器技术及次级同步整流(SR)技术,使样机峰值效率达到95.13%。最后通过对样机测试结果分析来验证方案的高效率和高功率密度。

关键词：有源箝位正激变换器氮化镓开关管栅极电荷平面变压器同步整流

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MOS管栅极电荷Q_g测试仪的设计

天津工业大学学报 2011年第6期30卷 63-66页

作者：钟晴晴林志贵张彩霞天津工业大学电气工程与自动化学院天津300387 天津工业大学电子与信息工程学院天津300387

以AD9218芯片为AD采集芯片、MCF56F8257 DSC为主控制器,设计了一款便携式的Qg测试仪,并给出了设计原理及实验结果.结果表明,该设计能准确测得Qg,同时也为同类参数测量提供参考.

关键词： MOS管栅极电荷测试仪 AD9218 MCF56F8257

第三代STripFET^(TM)实现了通态电阻与栅极电荷之间的最佳折衷——电信和计算机用的DC-DC变换器的新效率标准

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电力电子 2004年第3期2卷 41-44,54页

作者： G.贝尔沃德 F.迪乔瓦尼 A.马格里 M.梅利托肖亮意大利ST微电子公司北京航空航天大学

为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求,研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施, 它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFETTM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说,它受益... 详细信息

为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求,研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施, 它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFETTM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说,它受益于新型集成技术,还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑,并示出效率结果,以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较,以表明 STripFETTM的性能优点。此外,还给出许多特殊功能。

关键词： STripFET^TM 通态电阻栅极电荷电信计算机 DC-DC变换器效率标准

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基于IGBT开关等效模型的栅极电荷计算

基于IGBT开关等效模型的栅极电荷计算

安捷伦率先推出适用于功率电路设计的功率器件分析仪仪器表征全部功率器件参数——Ron、漏电流、Ciss、Coss、Crss和栅极电荷

2020年中国家用电器技术大会

作者：刘利书美的集团中央研究院

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为栅极电压控制型器件,其开通(关断)过程中积累(释放)的栅极电荷对智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)的开关速度、功率损耗等参数有重要影响。针对目前对栅极电荷研究不够充分的现状,本文系统地分析I... 详细信息

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为栅极电压控制型器件,其开通(关断)过程中积累(释放)的栅极电荷对智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)的开关速度、功率损耗等参数有重要影响。针对目前对栅极电荷研究不够充分的现状,本文系统地分析IGBT功率器件的开关过程,建立物理等效模型,提出了栅极电荷的定量计算方法。在计算得到密勒电容(Miller Capacitance)充电时间的基础上,本文推导出了IGBT开通过程中栅极-发射极电荷Q,栅极-集电极电荷Q及总电荷Q的表达式,为控制减少功率器件的开关损耗等奠定了基础。

关键词：智能功率模块绝缘栅双极型晶体管密勒电容栅极电荷

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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电子测量与仪器学报 2014年第5期28卷 519-519页

近日，安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布推出业界首款适用于电路设计的功率器件分析仪AgilentB1506A。B1506A能够在不同工作条件和-50℃～＋250℃温度范围内对功率器件参数进行全面自动表征，覆盖高达1500A和3kV的电流和电压范围。

关键词：安捷伦科技公司功率器件器件参数仪器表征电路设计分析仪漏电流栅极电荷

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低栅极电荷MOSFET可简化栅极驱动设计

电子设计工程 1998年第9期 25-25页

作者：张宪广西安通信学院

在高频快速开关电源变换器设计中，设计者通常要求电源变换设备能够在极短的时间内转移栅电荷，并产生噪声较低的干净波形。采用国际整流器公司的“低电荷”ＬＣ系列ＨＥＸＦＥＴ能够降低栅极驱动要求和开关损耗并可简化驱动电路。这类... 详细信息

在高频快速开关电源变换器设计中，设计者通常要求电源变换设备能够在极短的时间内转移栅电荷，并产生噪声较低的干净波形。采用国际整流器公司的“低电荷”ＬＣ系列ＨＥＸＦＥＴ能够降低栅极驱动要求和开关损耗并可简化驱动电路。这类器件的输入电容较小，所以较容易驱动...

关键词：栅极驱动 MOSFET 栅极电荷开关损耗电源变换器谐振变换器

Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标

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电子设计工程 2012年第10期20卷 145-145页

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3～36 A电流,采用多种封装。

关键词：功率MOSFET 低导通电阻栅极电荷性能指标 n沟道器件封装

是德科技率先发布适合当代半导体功率器件开发的关键参数表征解决方案——提供CiSS、Coss、Crss、栅极电荷／栅极电阻测量和自动热测试

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计算机测量与控制 2015年第5期23卷 1845-1845页

是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布旗下B1505A功率器件分析仪／曲线追踪仪发布重要增强，成为业界首个支持晶圆上和封装器件所有关键参数表征的解决方案，能够提升当代半导体功率器件开发效率。

关键词：半导体功率器件参数表征开发效率栅极电荷电阻测量科技热测试封装器件

意法半导体:多漏极结构降低高压大功率MOSFET导通电阻和栅极电荷

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电子设计技术 2002年第6期 30-30页

近几年来,由于汽车电子系统和高效率DC/DC转换器对大功率MOSFET提出了更多、更高的要求,在低压MOSFET的优化设计方面己经取得了很大的进展。对于60伏以下的MOSFET,利用意法半导体的STripFET技术或者其它公司的“沟道技术(TRENCH)”。己... 详细信息

近几年来,由于汽车电子系统和高效率DC/DC转换器对大功率MOSFET提出了更多、更高的要求,在低压MOSFET的优化设计方面己经取得了很大的进展。对于60伏以下的MOSFET,利用意法半导体的STripFET技术或者其它公司的“沟道技术(TRENCH)”。己经实现了降低导通电阻和栅极电荷的目标。然而,这些方法很难用到电压

关键词：导通电阻栅极电荷 MOSFET 漏极高压大功率