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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 电气工程
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 2 篇 计算机科学与技术...

主题

  • 2 篇 栅接地n型金属氧化...
  • 2 篇 静电放电
  • 1 篇 沟道宽度
  • 1 篇 漏极接触孔到栅间...
  • 1 篇 沟道长度

机构

  • 2 篇 西安电子科技大学

作者

  • 2 篇 吴晓鹏
  • 2 篇 杨银堂
  • 2 篇 董刚
  • 1 篇 高海霞
  • 1 篇 刘海霞

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=栅接地N型金属氧化物半导体"
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漏极接触孔到栅间距对GGnMOS保护器件的影响
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西安电子科技大学学报 2014年 第4期41卷 26-30页
作者： 吴晓鹏 杨银堂 董刚 高海霞 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地n型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
沟道尺寸对深亚微米GGnMOS保护器件特性的影响
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西安电子科技大学学报 2015年 第6期42卷 113-117页
作者： 吴晓鹏 杨银堂 刘海霞 董刚 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地n型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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