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HLS脉冲八极磁铁注入方案设计与研究

核技术 2015年第6期38卷 24-29页

作者：王磊罗箐王琳李为民中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230027

脉冲多极磁铁注入方法是近年来储存环上新兴的一种束流注入方案,具有注入元件少和对储存束流扰动小等优点。本文研究了在合肥光源(Hefei Light Source,HLS)上储存环采用单块脉冲八极磁铁实现束流注入的设计方案。通过物理过程推导和计算... 详细信息

脉冲多极磁铁注入方法是近年来储存环上新兴的一种束流注入方案,具有注入元件少和对储存束流扰动小等优点。本文研究了在合肥光源(Hefei Light Source,HLS)上储存环采用单块脉冲八极磁铁实现束流注入的设计方案。通过物理过程推导和计算,在储存环上选择合适的八极磁铁的安装位置,初步确定相应的磁铁参数。对注入过程进行跟踪模拟,结果验证了注入束流的存活效率较高,对于储存束流的扰动比脉冲四极磁铁和脉冲六极磁铁注入方法更小,证明了在HLS上采用单块脉冲八极磁铁完成注入过程是可行的。

关键词：电子储存环脉冲八极磁铁束流注入注入效率

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HLSⅡ储存环脉冲四极磁铁注入系统设计研究

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HLSⅡ储存环脉冲四极磁铁注入系统设计研究

作者：刘淑会中国科学技术大学

学位级别：硕士

注入系统是储存环型同步辐射光源中的关键系统之一,注入方式的选择和注入系统的性能对于光源的性能和表现具有重要影响。束流注入理论的研究、注入系统技术的研究和改进成为同步辐射光源物理设计、光源升级改造研究中的重要内容之一。... 详细信息

注入系统是储存环型同步辐射光源中的关键系统之一,注入方式的选择和注入系统的性能对于光源的性能和表现具有重要影响。束流注入理论的研究、注入系统技术的研究和改进成为同步辐射光源物理设计、光源升级改造研究中的重要内容之一。论文阐述了环形加速器的束流注入物理过程,简单回顾了环形加速器主要采用的几种注入方式,介绍了合肥光源采用的四冲击磁铁局部凸轨注入系统,分析了局部凸轨注入方式的优点与不足。脉冲多极磁铁注入方法是近年来储存环光源上发展的一种新颖的注入方式。论文阐述了脉冲四极磁铁注入方法的设计理论与设计方法,以HLSII储存环为研究对象,研究了在HLSII储存环上采用脉冲四极磁铁注入方案的可行性,并进行了设计参数的优化。利用模拟程序数值模拟了HLSII储存环采用脉冲四极磁铁的束流注入过程,通过对注入过程中注入束流和已储存束流表现情况的定量分析,表明在HLSII储存环采用脉冲四极磁铁注入系统能够高效率的完成束流注入过程,同时能够减小注入过程对储存束流稳定性的影响,改善光源表现。根据HLSII脉冲四极磁铁注入系统的设计参数,论文研究了脉冲四极磁铁的物理设计。利用OPERA-3D/ELEKTRA/SS/TR软件定量计算分析了涡流效应对脉冲四极磁铁的磁场空间分布和时间分布特性的影响,合理选择脉冲四极磁铁磁芯材料能够有效地抑制涡流效应的影响,获得满足物理设计要求的脉冲四极磁场。论文研究表明,HLSII储存环采用脉冲四极磁铁注入方式在物理上和技术上是可行的。相比于局部凸轨注入系统,新设计注入系统不仅能够完成束流多次注入积累过程,同时系统元件数目少,有利于降低系统建造成本和提高运行可靠性。

关键词：电子储存环束流注入注入效率储存束流扰动脉冲四极磁铁涡流效应 OPERA-3D

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离子注入中的硅片冷却

微电子学 1987年第2期 54-60页

作者： M·E·Mack 樊代文

1.前言近几年来在半导体制造业中使用离子注入工艺已显著增加。这一迅速增长的主要因素是在注入工艺中采用光刻胶作掩蔽。最大分辨率是由正胶,即光刻时暴露在其中的部分显影时被去掉的那种胶取得的。通常,正胶对于温度相当敏感,在注入... 详细信息

1.前言近几年来在半导体制造业中使用离子注入工艺已显著增加。这一迅速增长的主要因素是在注入工艺中采用光刻胶作掩蔽。最大分辨率是由正胶,即光刻时暴露在其中的部分显影时被去掉的那种胶取得的。通常,正胶对于温度相当敏感,在注入中过高的温度会使光刻胶产生气泡,改变临界尺寸并在其后工艺中使胶难以去除。大多数光刻胶在100℃以下不受影响。注入时几乎没有什么正胶能经得起150℃以上的温度。

关键词：硅片光刻胶圆盘离子束表面温度光致抗蚀剂辅料粒子束束流注入传导率离子掺杂离子注入

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国外离子注入机发展概况

微细加工技术 1984年第4期 41-54页

作者：吴健昌

离子注入机经过二十多年来的发展,其主要技术指标,如加速能量、束流、注入剂量控制的均匀性和重复性以及生产率等都已达到较高的水平,在半导体工业中获得广泛的应用。国外从事离子注入机生产的主要工厂从1971年的八家增加到14家左右。... 详细信息

离子注入机经过二十多年来的发展,其主要技术指标,如加速能量、束流、注入剂量控制的均匀性和重复性以及生产率等都已达到较高的水平,在半导体工业中获得广泛的应用。国外从事离子注入机生产的主要工厂从1971年的八家增加到14家左右。据80年的统计材料,全世界离子注入机的销售总额为8890万美金,如平均按每台30万美元折算(80年的价格),相当于年产量为300台左右。据最近国外文献报导,近几年离子注入

关键词：离子注入机美国主要技术指标美利坚合众国北美洲圆片束流注入发展概况

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市场要闻

集成电路应用 2003年第1期 70-73页

全球半导体生产设备销售额2002年10月份增长34% 一家业界集团近日称,全球用于生产半导体产品的设备销售额在2902年10月份迅速增长,这已经是该行业领域连续18个月销售下降之后第二个月获得增长。此次增长是全球芯片市场开始恢复的一个信号。

关键词：半导体材料销售额月份电工材料消费类电子产品半导体生产设备束流注入半导体制造装置先进封装

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离子注入法值得重视

金属热处理 1984年第11期 39-43页

作者：张国良北京师范大学

六十年代,首先在半导体器件上应用了离子注入工艺。与传统的热扩散工艺不同,这种工艺不用加热工件,只是将要加入的元素电离成离子(带电荷为e),在高压电场(电压为V)下离子得到能量E=eV,获得很高的运动速度,按照E=(1/2)mv~2=eV,离子在电... 详细信息

六十年代,首先在半导体器件上应用了离子注入工艺。与传统的热扩散工艺不同,这种工艺不用加热工件,只是将要加入的元素电离成离子(带电荷为e),在高压电场(电压为V)下离子得到能量E=eV,获得很高的运动速度,按照E=(1/2)mv~2=eV,离子在电场中的运动速度v=(2eV/m)式中,m为离子的质量。经过计算,在一个100kV的低能加速器电场下,离子运动速度与在900℃

关键词：离子注入工艺半导体器件电子设备金刚石拉丝模束流注入金属改性 ⅢB族元素稀土元素注入剂量动态摩擦系数不锈钢丝轴承滑移速度

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日本理化所分离扇回旋加速器的建造现状

原子核物理评论 1984年第2期 55-56页

作者：文兵

日本理化研究所正在建造一台新的加速器装置。该装置由一台主加速器—分离扇回旋加速器(SSC)和两台注入器——台重离子直线加速器(RILAC)和一台AVF 回旋加速器所组成。予计第一批重离子束将于1986年由SSC 和RILAC 联合提供。该所在1966... 详细信息

日本理化研究所正在建造一台新的加速器装置。该装置由一台主加速器—分离扇回旋加速器(SSC)和两台注入器——台重离子直线加速器(RILAC)和一台AVF 回旋加速器所组成。予计第一批重离子束将于1986年由SSC 和RILAC 联合提供。该所在1966年建成了一台K=90MeV 的弱聚焦回旋加速器,现在仍在运行。这台器建成后,其重点就是加速重离子。根据最近的统计,70%以上的束流时间(大概每年5000小时)用于加速重离子。目前对重离子束的要求正在增长中。重离子束不仅用于研究核物理和原子物理,而且用于研究其它领域,诸如:固体物理、辐射化学、材料试验、生物等

关键词：分离扇回旋加速器重离子直线加速器 SSC 主加速器注入器束流注入

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达累斯伯里的核结构设备带束运行的情况

原子核物理评论 1984年第2期 52-54+56页

作者：钱志华朱维和

目前世界上最大的串列静电加速器:英国达累斯伯里实验室的核结构设备（NSF）,已于1983年9月27日落成。该加速器用高45米、直径8米的压力钢筒作外壳并装在70米高的混凝土塔式建筑中。加速器设计的最初工作端电压直到20兆伏。NSF 是一种... 详细信息

目前世界上最大的串列静电加速器:英国达累斯伯里实验室的核结构设备（NSF）,已于1983年9月27日落成。该加速器用高45米、直径8米的压力钢筒作外壳并装在70米高的混凝土塔式建筑中。加速器设计的最初工作端电压直到20兆伏。NSF 是一种灵活的研究工具:它可产生从氢到铀的任何离子束,具有良好的能量和空间分辨率并易于调变能量。该设备于1982年后期开始为实验而运转并完成20个以上的实验。已用过25种以上的不同离子束,包括一些诸如Ca 的自然界中丰度极低的离子束。加速离子的最大质量数是Ni。加速器的工作电压为11至20兆伏,以提供所需的束流能

关键词：束流能量斯伯里电荷态束流注入加速管发射度输电梯串列静电加速器旋转伏特计碳箔磁四极透镜核结构核物理学

维利安半导体高束流离子注入机在亚洲又获得了五家新客户的定单

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集成电路应用 2003年第2期 55-55页

维利安半导体设备有限公司近日宣布,在亚洲又获得了五家新客户的高束流离子注入机的定单。型号为VIISta80单晶片高束流注入机分别安装在韩国,台湾地区和马来西亚的半导体工厂中。这些新客户中有一家是DRAM的生产厂家,一家IDM和三家晶圆... 详细信息

维利安半导体设备有限公司近日宣布,在亚洲又获得了五家新客户的高束流离子注入机的定单。型号为VIISta80单晶片高束流注入机分别安装在韩国,台湾地区和马来西亚的半导体工厂中。这些新客户中有一家是DRAM的生产厂家,一家IDM和三家晶圆代工厂。此

关键词：亚洲地区束流注入离子注入机利安定单