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硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制
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高技术通讯 2005年 第5期15卷 58-61页
作者: 莫春兰 方文卿 刘和初 周毛兴 江风益 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 南昌330047
利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED... 详细信息
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金刚石电子材料生长的研究进展
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半导体技术 2013年 第9期38卷 641-650,680页
作者: 袁明文 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一。介绍了金刚石基的电子器件及其材料生长的研究进展,分析了金刚石... 详细信息
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铝酸锂上非极性面氮化镓基LED材料生长与器件
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中国科技成果 2010年 第12期11卷 17-18页
我国能源危机日益严峻,而半导体照明可大大达到节电目的。半导体照明技术广泛应用于白光通用照明、装饰照明、汽车等各类运输工具照明、交通信号显示、背景显示、大屏幕、特种工作照明、军用照明及旅游、轻工产品等各个领域。业内普遍... 详细信息
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GaAs基1.55微米自组织InAs量子点材料生长研究进展
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现代物理 2021年 第4期11卷 88-97页
作者: 曾丽娜 杨云帆 秦振 李林 刘兆悦 李再金 赵志斌 陈浩 乔忠良 曲轶 刘国军 海南师范大学物理与电子工程学院 海南省激光技术与光电功能材料重点实验室海南 海口 吉林大学教育技术中心 吉林 长春
光纤通讯用GaAs基高性能1.55微米量子点激光器引起了人们的广泛关注。然而,由较大晶格失配引起的应变、位错等缺陷,导致GaAs基InAs量子点材料的光增益严重降低。目前利用低温外延生长,InGaAs或AlGaAsSb缓冲层,GaAsSb盖层,高In组分InGaA... 详细信息
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AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究
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河南科技学院学报 2009年 第3期37卷 45-47页
作者: 贾德宇 空军第一航空学院航空电子工程系 河南信阳464000
AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性,利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料.利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN/GaN异质结构,通过汞探针C-V测量和Hall效应测量,发现其电学特性明显优于常规AlGaN/GaN异质结构... 详细信息
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AlGaN材料的MOCVD生长研究
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激光与红外 2005年 第11期35卷 873-876页
作者: 赵德刚 杨辉 梁骏吾 李向阳 龚海梅 中国科学院半导体研究所 北京100083 中国科学院上海技术物理所 上海200083
文章研究了A lGaN材料的MOCVD生长机制。在位监控曲线表明,A lGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于A l原子表面迁移率太小,随着TMA l流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着A l组分的增加而下降,A l... 详细信息
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AlInGaN/GaN HFET结构材料设计与生长技术研究
AlInGaN/GaN HFET结构材料设计与生长技术研究
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作者: 贾德宇 西安电子科技大学
学位级别:硕士
AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度(能带)和晶格常数(应变)的特性,利用这一特性可将异质结构的应变工程和能带工程发挥到最佳,从而实现性能更为出色的异质结构材料和微波功率器件。因此,AlInGaN/GaN异质结构材料和器件成为当前... 详细信息
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上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
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实验与分析 2017年 第2期 6-6页
近期,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件,针对... 详细信息
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中科院锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
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军民两用技术与产品 2017年 第13期 32-32页
中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得丫新进展,为获得晶圆级绝缘体上石墨烯奠定了基础,有助于推动石墨烯材料在做电子领域的应用。
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GaN-MOCVD深紫外LED材料生长设备
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中国科技成果 2010年 第12期11卷 20-20页
本课题的主要研究内容是针对GaN基深紫外LED外延材料生长的MOCVD设备的研制、开发和生产。研制的MOCVD设备基本性能指标:
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