检索结果-南通市图书馆

EAST辐射偏滤器运行模式下等离子体杂质浓度评估方法

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核技术 2022年第3期45卷 59-66页

作者：计华健张洪明杨秀达尹相辉李克栋何梁符佳王福地沈永才万顺宽吕波龚学余龚先祖臧庆王嵎民林新王守信南华大学电气工程学院衡阳421001 中国科学院合肥物质研究院等离子体物理研究所合肥230031 合肥师范学院物理与材料工程学院合肥230070 合肥综合性国家科学中心能源研究院合肥230031 中国科学技术大学研究生院科学岛分院合肥230031

通过在偏滤器区域充入适量氖气(Ne)或氩气(Ar),东方超环(Experimental Advanced Super-conducting Tokamak,EAST)托卡马克装置实现了辐射偏滤器运行模式。在辐射偏滤器运行模式下,靶板热负荷显著降低,有效缓解了高能粒子流对偏滤器靶板... 详细信息

通过在偏滤器区域充入适量氖气(Ne)或氩气(Ar),东方超环(Experimental Advanced Super-conducting Tokamak,EAST)托卡马克装置实现了辐射偏滤器运行模式。在辐射偏滤器运行模式下,靶板热负荷显著降低,有效缓解了高能粒子流对偏滤器靶板的损伤。但是在偏滤器区域充入过量杂质气体时,杂质粒子会沿着磁力线进入主等离子体,影响主等离子体的约束性能,甚至导致等离子体破裂。因此,有必要研究偏滤器区域等离子体杂质浓度的估算方法,分析充入杂质气体时该区域杂质的定量变化,以此来评估充入的杂质气体对芯部等离子体约束性能的影响。本文针对不同的杂质种类,建立了不同的杂质浓度估算方法。对于钨杂质,通过极紫外光谱(Extreme Ultraviolet Spectroscopy,EUV)诊断系统测量偏滤器区域钨杂质的辐射强度,再根据碰撞-辐射模型对该区域的钨杂质浓度进行了估算。对于Ne杂质,则通过等离子体有效电荷数(Z_(eff))的变化进行了Ne杂质浓度估算。基于估算结果,对辐射偏滤器条件下的芯部杂质行为进行了讨论。上述杂质浓度评估方法对开展辐射偏滤器条件下等离子体约束性能研究,优化辐射偏滤器运行参数有重要意义。

关键词：杂质浓度杂质输运脱靶运行极紫外光谱仪有效电荷数

杂质浓度对超声波传播特性及流量测量精度影响的研究

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中国粮油学报 2020年第10期35卷 176-181页

作者：张蒙杜广生程浩杨悦山东大学能源与动力工程学院济南250061

杂质颗粒引起超声波在水等流体中衰减,会影响超声波流量计测量精度。本研究基于圆球的辐射声压公式的理论,探究了杂质颗粒对超声波传播散射衰减的影响机理;通过建立两相流模型,分析管路中含杂质颗粒工况下,不同杂质浓度在流场中的分布规... 详细信息

杂质颗粒引起超声波在水等流体中衰减,会影响超声波流量计测量精度。本研究基于圆球的辐射声压公式的理论,探究了杂质颗粒对超声波传播散射衰减的影响机理;通过建立两相流模型,分析管路中含杂质颗粒工况下,不同杂质浓度在流场中的分布规律,进而分析其对超声波传播特性和流量检测精度的影响;通过建立两相流测量实验方案,对比分析不同流量情况下由杂质浓度不同产生的超声波信号衰减和测量误差,验证了数值计算方法的正确性。本研究可以为在含杂质工况下,开展超声波流量计的检测精度研究提供理论支撑,具有重要的应用价值。

关键词：杂质浓度衰减两相流测量精度

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HgCdTe晶片杂质浓度的检测

红外技术 1994年第4期16卷 13-16页

作者：杨彦廖仕坤宋炳文刘新进昆明物理研究所

采用红外透射法测ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片的组分ｘ．范德堡法测晶片的载流子浓度ｎ０。用实测值ｘ和ｎ０计算出在相同低温热处理条件下不同组分（０．１９０＜ｘ＜０．２３０）的ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片７７Ｋ时本征浓度ｎｉ和杂质浓度ｎｄ... 详细信息

采用红外透射法测ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片的组分ｘ．范德堡法测晶片的载流子浓度ｎ０。用实测值ｘ和ｎ０计算出在相同低温热处理条件下不同组分（０．１９０＜ｘ＜０．２３０）的ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片７７Ｋ时本征浓度ｎｉ和杂质浓度ｎｄ．得到比值ｎｄ／ｎｉ与组分ｘ的关系曲线。对此曲线分析可知，７７Ｋ时ＨｇＣｄＴｅ（０．１９０＜Ｘ＜０２３０）并不处于杂质电离饱和区，而是处于过渡区，故不可以将霍耳系数Ｒ确定的载流于浓度ｎ０视为杂质浓度ｎｄ。

关键词：碲镉汞杂质浓度红外透射法检测

相对标定电荷交换复合谱及束发射谱测量杂质浓度的方法研究

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核聚变与等离子体物理 2020年第3期40卷 193-199页

作者：何小斐余德良刘亮魏彦玲陈文锦钟武律何小雪吴豪核工业西南物理研究院成都610041

采用数值模拟方法计算了HL-2A装置上电荷交换复合谱和束发射谱的强度,并根据两种光谱的比值得到碳和氦杂质的浓度,与初始假设对比后验证了该方法理论上的可靠性。实验上采用一台三光栅光谱仪系统,利用同一视线、同时测量了碳(CⅥ)、氦(H... 详细信息

采用数值模拟方法计算了HL-2A装置上电荷交换复合谱和束发射谱的强度,并根据两种光谱的比值得到碳和氦杂质的浓度,与初始假设对比后验证了该方法理论上的可靠性。实验上采用一台三光栅光谱仪系统,利用同一视线、同时测量了碳(CⅥ)、氦(HeⅡ)的电荷交换复合谱及中性束发射谱,首次在HL-2A装置上同步获得了C6+、He2+离子的绝对浓度剖面。该方法采用了相对强度标定而非复杂的绝对强度标定,并且避免了中性束衰减计算。

关键词：电荷交换复合谱束发射谱杂质浓度相对标定

一种反求杂质浓度的数值方法——基于CV数据的逐点反求多次循环法

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电子学报 1992年第5期20卷 33-38页

作者：傅兴华陈军宁贵州大学物理系贵阳550025 东南大学徽电子中心南京210018

根据CV数据用数值模拟反求杂质浓度时,遇到了不确定性问题。本文认为这实际上是用CV数据反求杂质浓度时的非单值性问题。针对数值方法的非单值性问题,本文提出了逐点反求多次循环的算法。本算法已成功地应用于分布陡峻的高斯离子注入分... 详细信息

根据CV数据用数值模拟反求杂质浓度时,遇到了不确定性问题。本文认为这实际上是用CV数据反求杂质浓度时的非单值性问题。针对数值方法的非单值性问题,本文提出了逐点反求多次循环的算法。本算法已成功地应用于分布陡峻的高斯离子注入分布及矩形阶跃分布,反求的杂质浓度分布与理论杂质浓度分布符合得很好。

关键词：杂质浓度循环算法 CV数据

As^+/N_2^+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布

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Journal of Semiconductors 2004年第4期25卷 394-399页

作者：韩宇肖鸿飞高雅君马德录辽宁大学物理系原子与辐射研究所沈阳110036 沈阳大学物理系沈阳110036

采用双晶 X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的 As+ / N2 + 组合离子注入 Si的衍射曲线 ,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型 ,对衍射曲线进行拟合 ,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布 .在 5 0 0～ ... 详细信息

采用双晶 X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的 As+ / N2 + 组合离子注入 Si的衍射曲线 ,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型 ,对衍射曲线进行拟合 ,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布 .在 5 0 0～ 90 0℃下进行等时热退火 ,对辐射损伤经退火的晶格恢复进行了研究 .用 L SS理论计算了同样注入条件下的杂质浓度分布。

关键词：组合离子注入双晶X射线衍射晶格应变退火杂质浓度

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二极管p-n结杂质浓度分布模型改进

中山大学学报（自然科学版） 2008年第3期47卷 37-40,46页

作者：李潮锐刘小伟中山大学物理科学与工程技术学院广东广州510275

简化的突变结或线性缓变结模型已能很好地近似二极管p-n结杂质浓度分布规律,但从精密的实验测量结果中发现传统模型存在局限性。基于随机选取常用产品的C-V实验数据,利用泊松方程并结合提出的改进模型,可以更准确地描述p-n结杂质浓度分... 详细信息

简化的突变结或线性缓变结模型已能很好地近似二极管p-n结杂质浓度分布规律,但从精密的实验测量结果中发现传统模型存在局限性。基于随机选取常用产品的C-V实验数据,利用泊松方程并结合提出的改进模型,可以更准确地描述p-n结杂质浓度分布。虽然部分样品C-V关系可由指数1/2或1/3独立表示,但数据拟合分析显示采用指数n=1/2和n=1/3两模型分量共同描述更合理。模型改进可获得更准确的p-n结杂质浓度分布规律及物理参数。

关键词： p—n结杂质浓度 C—V法泊松方程

低温下双极型晶体管电流增益和基区杂质浓度的新关系

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固体电子学研究与进展 1990年第1期10卷 115-116页

作者：郑茳魏同立东南大学微电子中心

近年来,低温(77K)微电子器件和电路的研究得到了国际上广泛重视,已成为半导体学科十分重要和活跃的领域之一.本文建立了低温下双极型晶体管电流增益和基区杂质浓度的新关系,这将成为低温双极型晶体管设计的重要理论依据.以n^+pn型晶体... 详细信息

近年来,低温(77K)微电子器件和电路的研究得到了国际上广泛重视,已成为半导体学科十分重要和活跃的领域之一.本文建立了低温下双极型晶体管电流增益和基区杂质浓度的新关系,这将成为低温双极型晶体管设计的重要理论依据.以n^+pn型晶体管为例进行分析,当基区杂质浓度N_B小于N_0=1×10^(17)cm^(-3)时,基区中无禁带变窄效应的存在,此时电流增益H_(FE)将随基区杂质浓度N_B上升而下降.

关键词：双极型晶体管电流增益杂质浓度

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高纯SiC粉料中杂质浓度的控制和测试

微纳电子技术 2020年第5期57卷 415-420页

作者：高卫赵丽霞李召永王毅吴会旺河北普兴电子科技股份有限公司石家庄050200 河北省新型半导体材料重点实验室(筹) 石家庄050200

采用燃烧合成法制备碳化硅(SiC)粉料,调整氢气和氩气体积流量比以及高纯氯化氢气体体积流量,使氮、铝和钒浓度低于二次离子质谱仪的检测下限,硼和钛浓度接近检测下限。使用制备的高纯SiC粉料生长单晶,获得电阻率大于1×10^9Ω·cm的衬底... 详细信息

采用燃烧合成法制备碳化硅(SiC)粉料,调整氢气和氩气体积流量比以及高纯氯化氢气体体积流量,使氮、铝和钒浓度低于二次离子质谱仪的检测下限,硼和钛浓度接近检测下限。使用制备的高纯SiC粉料生长单晶,获得电阻率大于1×10^9Ω·cm的衬底,粉料达到高纯半绝缘水平。通过研究发现,增加氢气体积流量可以降低粉料中的氮浓度,并使氮浓度低于检测限1×10^16 cm^-3,但是氢气体积流量过高会加重坩埚损耗,影响坩埚寿命和工艺稳定性;高纯氯化氢气体可以降低粉料中硼、铝、钒和钛的浓度,但其体积流量不宜过大,否则会引入新的氮杂质;粉料的色度a^*值与氮浓度呈反比关系,利用分光色差仪测试色度a^*值判断粉料氮浓度高低。

关键词：高纯碳化硅(SiC)粉料杂质浓度氢气与氩气体积流量比氯化氢色度a*值