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四层不对称波导的一些近似关系式

物理学报 1984年第11期 1610-1618页

作者：王德宁潘慧珍中国科学院上海冶金研究所

本文在四层不对称波导的归一化电场方程和本征方程基础上,导出了归一化有效折射b表达式和限制因子Γ_x等的近似关系式,并提出了不对称近场和远场高斯分布的近似表达式。应用上述分析,研究了四层不对称波导的动态特性。文中导出了注入... 详细信息

本文在四层不对称波导的归一化电场方程和本征方程基础上,导出了归一化有效折射b表达式和限制因子Γ_x等的近似关系式,并提出了不对称近场和远场高斯分布的近似表达式。应用上述分析,研究了四层不对称波导的动态特性。文中导出了注入载流子分布,增益分布的解析表达式,可方便地计算模增益,阈值电流密度,最佳有源区厚度和最佳阈值电流密度。并进一步研究了结构参数对器件的影响。

关键词：不对称分布限制因子近场电磁场馈电设备波导表达式归一化正态分布高斯分布本征方程 exp 远场分布有源区厚度

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低阈值压缩双异质结构激光器的制造

Journal of Semiconductors 1986年第6期 624-630页

作者：杜国同杨德林肖建伟高鼎三吉林大学重庆光电技术研究所

本文介绍了我们研制的低阈值压缩双异质结构(CDH)激光器,目前最低阈值27.5mA(CW,21℃,腔长L=125μm).本文还讨论了降低 CDH激光器阈值的两个主要问题,给出了描述CDH结构电流分布的粗略公式.

关键词：激光器光激射器电子器件低阈值 CDH 有源区厚度电流扩展双异质结构

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半导体激光器的波导模式控制

半导体光电 1987年第3期 10-17页

作者：陈军风挺重庆光电技术研究所

本文描述了增益波导结构和矩形波导结构半导体激光器的横模和纵模的控制问题。为制作基横模、单纵模振荡的激光器提供了一些可供参考的数据。

关键词：激光器侧向选模光激射器电子器件轴向模激光模式纵模有源区厚度横模波导模式

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收缩双异质结构激光器

吉林大学自然科学学报 1985年第4期 77-82页

作者：杜国同肖建伟高鼎三邓希敏杨健徐辉扈广荣李正庭电子科学系半导体光电子学与集成光学研究室

本文介绍了我们研制的收缩双异质结构激光器(CDH),与氧化物隔离条形激光器相比,该激光器的阈值较低,消除了光功率-电流曲线的扭曲现象(kink)。本文还讨论了这种激光器的电流集中效应和模式导引机制。

关键词：激光器非平面衬底光激射器电子器件 CDH 有源区厚度基横模

用质量迁移方法研制1.3μm低阈值单基横模半导体激光器

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微纳电子技术 1986年第3期 13-17+6页

作者：张保平李克诚

本文对H;加PH;气氛中InP的迁移规律进行了探讨研究。结果表明,迁移区宽度随有源区厚度的减小、时间的增长及温度的升高而增大;随PH;量的增大,迁移区宽度有从上升到饱和再下降的趋势。采用H;加PH;气氛中的迁移方法,制作了1.3μm InGaAsP/... 详细信息

本文对H;加PH;气氛中InP的迁移规律进行了探讨研究。结果表明,迁移区宽度随有源区厚度的减小、时间的增长及温度的升高而增大;随PH;量的增大,迁移区宽度有从上升到饱和再下降的趋势。采用H;加PH;气氛中的迁移方法,制作了1.3μm InGaAsP/InP半导体激光器。在20℃,CW工作下,所得最低闽值电流为30mA。单面微分量子效率可达30％,直到2倍阈值,获得了稳定的单基横模工作,平行于p;结面上远场分布的光束角θ;=18°,到1.74倍闽值仍保持单纵模工作。

关键词：半导体激光器 GaAs 质量迁移半导体光激射器有源区厚度基横模单纵模迁移方法

条形注入式半导体双异质结激光器的侧向波导和侧向模式稳定性

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半导体光电 1983年第2期 23-33页

作者：孟庆巨高鼎三吉林大学半导体系

本文首先简要地对注入式条形半导体双异质结激光器的侧向模式导引机制和模式稳定性的基础理论研究和基本实验研究工作作了较为综合的评述和扼要的分析。分析指出,在通常条形双异质结激光器中,侧向波导主要是自由载流子波导。这种自由载... 详细信息

本文首先简要地对注入式条形半导体双异质结激光器的侧向模式导引机制和模式稳定性的基础理论研究和基本实验研究工作作了较为综合的评述和扼要的分析。分析指出,在通常条形双异质结激光器中,侧向波导主要是自由载流子波导。这种自由载流子波导受外界因素(诸如注入电流,受激发射复合等)的影响是相当明显的,这就使得侧向模式不稳定。而且由于自由载流子波导受外界因素影响而发生变化的现象是该结构自身所固有的问题,因此,通常条形双异质结激光器的侧向模式不稳定性是无法采用提高晶片质量或改进工艺技术等方法所能克服的。理论分析实践证明,为获得稳定的侧向模式,必须改进结构,采用具有侧向上刚性的、内建的实折射率波导或刚性的、内建的增益(或损耗)波导的结构。在本文的后半部分,我们较为详细地介绍了“有效折射率(等价折射率)方法”。采用这种方法,我们对SBH激光器的侧向模式导引机制和模式稳定性作了详细的推导和分析。次后,又对PCW,CDH(脊形)等有源区或限制层厚度变化的条形激光器的侧向模式导引机制和模式稳定性问题的分析和计算方法作了简要的介绍,其详细的计算我们将在另外的文章中给出。

关键词：双异质结激光器波导馈电设备有源区厚度侧向注入电流注入式

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氧化物条形激光器结构参数与阈值电流的关系

吉林大学自然科学学报 1983年第4期 73-79页

作者：杜国同全宝富邓希敏苗忠礼高鼎三吉林大学电子科学系

本文对氧化物隔离条形激光器的一些主要结构参数,特别对电流横向扩展效应进行了实验研究;并制得批量阈值低于100 mA的器件。

关键词：激光器腔长载流子浓度光激射器电子器件载流子密度有源区厚度电流扩展结构参数

室温连续工作的商台型GaAs—Alx Ga1-xAs双异质结激光器的研制

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半导体光电 1979年第3期 1-9页

作者：王家齐

介绍了室温连续工作的高台型 GaAs—AlxGa1-xAs 双异质结激光器的设计考虑,研制过程和结果。在理论设计考虑方面谈到了降低阈值电流密度和模式控制,改善调制特性,控制激射的峰值波长以及提高输出功率和效率诸方面对于材料选择,外延片结... 详细信息

介绍了室温连续工作的高台型 GaAs—AlxGa1-xAs 双异质结激光器的设计考虑,研制过程和结果。在理论设计考虑方面谈到了降低阈值电流密度和模式控制,改善调制特性,控制激射的峰值波长以及提高输出功率和效率诸方面对于材料选择,外延片结构设计,激光器结构参数的选择方面应当遵循的基本原则。为了提高激光器的寿命,在工艺上采取了降低外延中 H2中含 O2量,进行充 N2密封操作,使用新设计成功的挤压刮源式石墨舟,增加限制层 Al 含量及在有源区掺进少量 Al 等措施获得高质量外延片。在后部工艺,采用 P 面进行 P+Zn 扩散,改善淀积的 PSG—SiO2双重膜的质量,改进光刻精度,改进欧姆接触和装架工艺,减沾少污和引入的应力和损伤等项工艺措施,这样获得了主要电光参数较好,寿命超过200小时的室温连续工作的高台型 GaAs—AlxGa1-xAs双异质结激光器。

关键词：激光器结构参数光功率光激射器电子器件 GaAs x)As 有源区厚度外延片有源区液相外延生长液相外延外微分量子效率台型 Al_x Ga 石墨舟

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半导体激光器的最近进展

半导体光电 1979年第3期 31-48页

作者：南日康夫蒋涛日本电气株式会社中央研究所

自十五年前半导体激光器发明以来,它作为光通信的光源首次进入实用系统的机会终于来到了。作为一种可靠的通信系统的元件,半导体激光器必须具有重复性、可设计性和可靠性。本文评述了晶体生长、器件制作工艺以及重复性方面的技术发展。... 详细信息

自十五年前半导体激光器发明以来,它作为光通信的光源首次进入实用系统的机会终于来到了。作为一种可靠的通信系统的元件,半导体激光器必须具有重复性、可设计性和可靠性。本文评述了晶体生长、器件制作工艺以及重复性方面的技术发展。这就随之带来了理论和实验之间是否一致的问题,换言之,发展了器件物理学。本文还评述了与系统稳定工作和易于维修有关的可靠性物理学。

关键词：半导体激光器光通信半导体光激射器光波通信电信 GaAs 有源区厚度