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有机发光器件ITO阳极表面能的研究

华中科技大学学报（自然科学版） 2003年第2期31卷 40-42页

作者：钟志有尹盛刘陈徐重阳华中科技大学电子科学与技术系

在测量ITO接触角的基础上 ,应用调和平均法计算了不同表面处理ITO阳极的表面能和极性度 .结果表明 :ITO的表面能和极性度随其表面处理方式而变化 ,并且表面能的变化主要来源于极性分量的增减 ;经氧等离子体处理后的ITO具有最大的表面能... 详细信息

在测量ITO接触角的基础上 ,应用调和平均法计算了不同表面处理ITO阳极的表面能和极性度 .结果表明 :ITO的表面能和极性度随其表面处理方式而变化 ,并且表面能的变化主要来源于极性分量的增减 ;经氧等离子体处理后的ITO具有最大的表面能和极性度 ,这一结果对于优化ITO阳极 /有机层界面的性质。

关键词：有机发光器件 ITO阳极表面能极性度表面处理接触角表面张力

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有机发光器件的光学调控研究进展

中国材料进展 2016年第8期35卷 606-612页

作者：欧清东唐建新苏州大学功能纳米与软物质研究院苏州纳米科技协同创新中心江苏苏州215123

有机发光器件已经在全彩显示屏、可穿戴设备以及环境友好的室内照明领域获得了越来越多的关注。近年来,材料设计、器件结构以及制备工艺的革新,推动OLED器件性能在大面积、高效率、长寿命和高显色指数方面取得了一系列突破性进展。光学... 详细信息

有机发光器件已经在全彩显示屏、可穿戴设备以及环境友好的室内照明领域获得了越来越多的关注。近年来,材料设计、器件结构以及制备工艺的革新,推动OLED器件性能在大面积、高效率、长寿命和高显色指数方面取得了一系列突破性进展。光学耦合效率是影响OLED器件中光电转换过程的关键因素之一,如何调控光学耦合、避免器件内部的光子流失、提高出光效率,对于发展高效率、高稳定的OLED技术具有重要意义。本文将围绕光学调控技术在波长依赖性、出光角度敏感性以及制备工艺兼容性方面,系统分析OLED器件中光学损耗机制,综述近年来国内外在OLED微纳结构光学调控的研究进展,并介绍最新发展的软纳米压印仿生微纳结构光学耦合调控方法。此光调控技术实现了绿光OLED器件效率达到366 cd·A^(-1)、白光OLED效率达到123.4 lm·W^(-1)、柔性白光OLED效率达到106 lm·W^(-1),为新型OLED的光学调控提供了新思路。

关键词：有机发光器件光学调控光损耗模型光取出软纳米压印

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有机发光器件中缺陷态行为表现

光电子．激光 2002年第5期13卷 445-449页

作者：吴春亚熊绍珍郝云陈有素杨恢东周祯华张丽珠南开大学光电子所国家教育部光电子信息技术科学重点实验室天津300071 五邑大学薄膜与纳米材料研究所天津300071 天津机电工业学校

对有机发光二极管 (OL ED)的 I- V特性曲线 ,用有内建电场 Ei 的修正 F- N模型 ,或陷阱电荷限制电流 (TCL)模型进行了模拟分析 ,均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正 F- N模型拟合 ,Ei 不是常数而是随电场变化的 ;对满足 TCL 模型的... 详细信息

对有机发光二极管 (OL ED)的 I- V特性曲线 ,用有内建电场 Ei 的修正 F- N模型 ,或陷阱电荷限制电流 (TCL)模型进行了模拟分析 ,均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正 F- N模型拟合 ,Ei 不是常数而是随电场变化的 ;对满足 TCL 模型的 OL ED器件 ,其 I- V特性呈现类似于无机半导体器件中的“迟滞回线”状 ,而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化。这些均说明 OL ED中存在着缺陷态。

关键词：有机发光器件缺陷态行为表现有机发光二极管

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新型高色纯度弱电流猝灭性蓝色有机发光器件

光学学报 2006年第2期26卷 275-278页

作者：曹进张晓波委福祥蒋雪茵张志林朱文清许少鸿上海大学材料科学与工程学院上海201800

以ADN为基质,分别以不同掺杂剂制备了四种蓝色有机发光器件,器件结构为:CuPc(12 nm)/NPB(40 nm)/AND∶Dopant(50 nm)/Alq(12 nm)/LiF(4 nm)/Al。掺杂剂有:BCzVB(amino-substituted distyrylarylenederivatives)、TBPe、BCzVBi和DSA-ph四种。研究了最佳掺杂浓度以及器件的亮度、电流密度、效率和色坐标等电学特性和光学特性。其中掺杂BCzVB制备了色纯度高、低电流猝灭性的蓝色有机发光器件,色坐标达到x=0.146,y=0.162,最大亮度为11600 cd/m2(15 V),电流效率为2.8 cd/A,流明效率为1.79 lm/W;以ADN为基质,分别以TBPe、BCzVBi和DSA-ph为掺杂剂,制备了另外三种对比器件。器件ADN∶TBPe色坐标为x=0.162,y=0.222(蓝绿光),效率随电流的增加而降低很快;器件ADN∶BczVBi有较好的色纯度(色坐标:x=0.164,y=0.146),但电流效率较低:2.03 cd/A,效率随电流的增加降低幅度也较快。器件ADN∶DSA-ph效率较高为8 cd/A,效率随电流增加变化幅度不大,但色纯度比较差(x=0.153,y=0.306),适合于做白色有机发光器件。

关键词：光电子学高色纯度弱电流猝灭性有机发光器件蓝色

沉积亚单层荧光染料提高有机发光器件的发光效率

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光子学报 2005年第8期34卷 1145-1148页

作者：肖步文李传南李新红马春生刘式墉吉林省长春市吉林大学集成光电子学国家重点实验室

结合掺杂薄层作为发光探针层的方法和亚单层(submonolayer)有机发光技术,利用沉积在有机发光器件发光层中的亚单层奎丫啶酮(Quinacridone,QAD)分子作为探针,同时改变QAD层的位置,对有机发光器件中激子的形成与扩散进行了研究,器件结构为... 详细信息

结合掺杂薄层作为发光探针层的方法和亚单层(submonolayer)有机发光技术,利用沉积在有机发光器件发光层中的亚单层奎丫啶酮(Quinacridone,QAD)分子作为探针,同时改变QAD层的位置,对有机发光器件中激子的形成与扩散进行了研究,器件结构为ITO/NPB(60nm)/Alq3(xnm)/QAD(0.05nm)/Alq3[(60-x)nm]/LiF/Al(其中x=0,2.5,5,7.5nm).通过对各器件不同条件下的电致发光谱、发光强度和发光效率的对比研究,得到在x=5nm处引入亚单层QAD可以使QAD分子通过能量转移而获得的激子数量最多,进而可以实现高效率的发光.

关键词：有机发光器件亚单层奎丫啶酮激子能量转移

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有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装

功能材料与器件学报 2003年第2期9卷 179-184页

作者：黄卫东王旭洪盛玫徐立强 Frank Stubhan 罗乐冯涛王曦张富民邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 上海新代车辆技术有限公司上海200050

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20～180℃的基板温度范围和10～30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和S... 详细信息

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20～180℃的基板温度范围和10～30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。

关键词：有机发光器件氮化硅薄膜等离子体化学气相沉积封装防水性能 OLED

有机发光器件的研制与应用 OLED显示技术之二

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电视技术 2000年第8期24卷 55-57页

作者：朱旭明黄元暨南大学电子工程系广东广州510632

介绍了ＯＬＥＤ显示器件的结构原理与发光显示特点及三种不同的工艺模式，并阐明了有机发光器件的优点及其应用。

关键词： OLED 显示器件有机发光器件

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有机发光器件的研究进展及应用前景(综述)

暨南大学学报（自然科学与医学版） 2002年第1期23卷 66-73页

作者：刘彭义唐振方孙汪典暨南大学物理系

介绍了有机电致发光器件OLED(有机发光二极管 )发展的历程 ,论述了有机电致发光材料及其发光原理和器件结构 ,讨论了该领域的研究热点问题 ,展望了OLED在新世纪的应用前景 .

关键词：有机发光器件研究进展应用前景有机电致发光有机发光二极管发光原理

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有机发光器件的光电性能研究

陶瓷学报 2010年第3期31卷 408-411页

作者：王英连曾仁芬叶君耀景德镇陶瓷学院机电学院景德镇333403 景德镇陶瓷学院信息学院景德镇333403

采用真空蒸发镀膜的方法制备了ITO/TPD(30nm)/Alq3(40nm)/LiF/Al结构的有机发光器件,讨论了Alq3的沉积速率和缓冲层LiF的厚度对器件光电性能的影响。结果表明:Alq3膜的沉积速率为0.2nm/s时所形成的器件光电性能最好,启亮电压为10V,最大... 详细信息

采用真空蒸发镀膜的方法制备了ITO/TPD(30nm)/Alq3(40nm)/LiF/Al结构的有机发光器件,讨论了Alq3的沉积速率和缓冲层LiF的厚度对器件光电性能的影响。结果表明:Alq3膜的沉积速率为0.2nm/s时所形成的器件光电性能最好,启亮电压为10V,最大发光效率为2.58cd/A;不同厚度LiF层的注入,使器件的光电性能有了不同程度的改善,LiF层厚度为2nm时效果最佳,启亮电压降至7V,亮度提高了1345cd/m2,最大发光效率达4.4cd/A。

关键词：有机发光器件 Alq3 沉积速率 LiF