检索结果-南通市图书馆

通信技术 2009年第1期42卷 9-11页

作者：吴晓燕梅顺良吴辉清华大学电子工程系北京100084 中国移动通信集团广东有限公司深圳分公司广东深圳518048

基于移动通信终端设备对天线体积的要求,设计了一种新型的曲折线结构全向型陶瓷天线,其谐振频率为1.85GHz,S11=-15.5dB,最大尺寸为0.06λ0。对陶瓷天线二元阵列进行了仿真与测试,发现虽然在陶瓷中可以很好地控制单元天线的相位,但是在... 详细信息

基于移动通信终端设备对天线体积的要求,设计了一种新型的曲折线结构全向型陶瓷天线,其谐振频率为1.85GHz,S11=-15.5dB,最大尺寸为0.06λ0。对陶瓷天线二元阵列进行了仿真与测试,发现虽然在陶瓷中可以很好地控制单元天线的相位,但是在空气中由于干涉效应不明显,并不能很好地控制方向图。故设计各单元天线独立馈电的阵列时,单元间距应该达到可以与λ0相比拟的程度。

关键词：曲折线陶瓷天线二元阵

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介质支撑曲折线简介

真空电子技术 1980年第5期 26-34页

作者：薛焕玉

一、引言介质支撑曲折线是最近在研制正交场放大管的过程中发展起来的一种大功率、宽频带慢波结构。由于它的成就,使注入式正交场放大管在C波段和S波段的倍频程带宽内能获得一千瓦的连续波输出功率和十千瓦的峰值输出功率。采用介质支... 详细信息

一、引言介质支撑曲折线是最近在研制正交场放大管的过程中发展起来的一种大功率、宽频带慢波结构。由于它的成就,使注入式正交场放大管在C波段和S波段的倍频程带宽内能获得一千瓦的连续波输出功率和十千瓦的峰值输出功率。采用介质支撑曲折线,还可以使体积小、重量轻著称的正交场放大管的体积和重量进一步大为减小。例如,一支采用介质支撑曲折线作为慢波结构的S波段注入式正交场放大管可成功地包装在24×12×11立方厘米的体积内,其包括磁钢在内的整管总重量仅为4.3公斤。

关键词：曲折线无氧铜钎焊波段钎接慢波线传输线金属化层正交场放大管磁控型放大管

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一种用于移动终端的新型内置五频芯片天线

西安电子科技大学学报 2008年第4期35卷 654-657页

作者：刘英龚书喜傅德民 Hyeongdong Kim 西安电子科技大学天线与微波技术重点实验室陕西西安710071 Dept.of Electrical and Computer Eng.of Hanyang Univ. Seoul 133-791Korea

研制了一种用于GSM850/GSM900/DCS1800/PCS1900/UMTS频段的五频内置芯片天线.芯片天线将FR-4介质（介电常数为4.4）上的曲折线和螺旋线相结合,两者分别产生谐振频段进行叠加从而实现天线宽频工作特性.弯曲的折线结构实现了天线尺寸的小... 详细信息

研制了一种用于GSM850/GSM900/DCS1800/PCS1900/UMTS频段的五频内置芯片天线.芯片天线将FR-4介质（介电常数为4.4）上的曲折线和螺旋线相结合,两者分别产生谐振频段进行叠加从而实现天线宽频工作特性.弯曲的折线结构实现了天线尺寸的小型化,天线的体积为20 mm×8 mm×3.2 mm,适合用作移动手机终端的内置天线.电路板的尺寸为40 mm×93 mm,适用于新款小型手机.在驻波比小于3时,测试低频带宽为146 MHz（1030-1176 MHz）,高频工作带宽为530 MHz（1756-2286 MHz）.

关键词：芯片天线五频天线内置天线曲折线螺旋线

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高TcYBCO超导薄膜微带延迟线研制

低温物理学报 1996年第6期18卷 426-431页

作者：任琮欣，陈国梁，柳襄怀，屠恺元，汪祥兴，冯学敬中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室，电子工业部第二十三研究所

本文报导了延时为２．２ｎｓ的高Ｔｃ超导薄膜延迟线的制作工艺．应用直流磁控溅射在１０×１０ｍｍ２ＬａＡｌＯ３衬底上均匀地外延生长４５０ｎｍ优质ＹＢＣＯ超导薄膜，采用离子束干法刻蚀技术制作出宽为１６６μｍ长为１７４ｍｍ的... 详细信息

本文报导了延时为２．２ｎｓ的高Ｔｃ超导薄膜延迟线的制作工艺．应用直流磁控溅射在１０×１０ｍｍ２ＬａＡｌＯ３衬底上均匀地外延生长４５０ｎｍ优质ＹＢＣＯ超导薄膜，采用离子束干法刻蚀技术制作出宽为１６６μｍ长为１７４ｍｍ的曲折线图形，配以合适的气密性封装，经美国ＨＰ８５０７矢量网络分析仪测量，在温度７８Ｋ频率１．２ＧＨｚ时，延迟线的插入损耗低达０．０４ｄＢ，仅为相同条件下铜膜延迟线插损的１／１６０．

关键词：超导延迟线直流磁控溅射曲折线衬底插损铜膜基片超导薄膜 T_cYBCO 微带线正向损耗插入损耗刻蚀工艺

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一种D波段小型化定向耦合器芯片设计

太赫兹科学与电子信息学报 2019年第3期17卷 353-358页

作者：罗显虎程序张亮韩江安陈凤军夏鑫淋邓贤进中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心四川成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621999

基于GaAs 0.1 μm pHEMT工艺,设计了一款工作在0.1~0.14 THz的小型化定向耦合器芯片。采用加载开路枝节线的方式提高传输线的等效电长度,进而实现电路结构的小型化;利用曲折线的方式构成开路枝节线,使得耦合器的物理尺寸进一步缩小。采... 详细信息

基于GaAs 0.1 μm pHEMT工艺,设计了一款工作在0.1~0.14 THz的小型化定向耦合器芯片。采用加载开路枝节线的方式提高传输线的等效电长度,进而实现电路结构的小型化;利用曲折线的方式构成开路枝节线,使得耦合器的物理尺寸进一步缩小。采用电磁仿真软件仿真表明,所设计的小型化定向耦合芯片中心工作频率为0.12 THz,相对带宽大于30%,带内的回波损耗高于20 dB,带内插入损耗小于1 dB,耦合度为(10±0.5) dB,带内隔离度大于20 dB,直通端口与耦合端口相位差为90°±3.5°,其尺寸为0.21 mm×0.19 mm(不计Pad尺寸)。

关键词：砷化镓小型化定向耦合器开路枝节曲折线

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