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铱及铱基合金多元化研究进展

稀有金属材料与工程 2018年第2期47卷 711-716页

作者：潘新东魏燕蔡宏中胡昌义昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室云南昆明650106

概括论述了铱的特点和纯铱在室温条件下脆性断裂的几种可能机制,说明了纯铱在超高温应用领域存在的问题;系统地综述了世界各国在铱合金多元化方面的研究思路和取得的研究成果,展望了铱基合金在高温结构材料领域的发展前景,最后特别指出... 详细信息

概括论述了铱的特点和纯铱在室温条件下脆性断裂的几种可能机制,说明了纯铱在超高温应用领域存在的问题;系统地综述了世界各国在铱合金多元化方面的研究思路和取得的研究成果,展望了铱基合金在高温结构材料领域的发展前景,最后特别指出了铱合金未来的研究方向。

关键词：铱基超合金共格强化晶格失配度

Si(111)和Si(100)衬底上磁控反应溅射制备AlN薄膜

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光电子．激光 2010年第10期21卷 1524-1527页

作者：纪红杨保和李翠平天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384

采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取... 详细信息

采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取向AlN薄膜,而且N2百分比为40%时,AlN薄膜的c-轴取向最好,具有尖锐的XRD峰,此时对应于AlN(002)晶向。计算了(002)取向AlN和两种Si衬底的失配度,Si(111)面与AlN(002)面可归结为正三角形晶系之间的匹配,失配度为23.5%;而Si(100)面与AlN(002)面可归结为正方形晶系与正三角形晶系之间的匹配,失配度为0.8%,可以认为完全共格。理论分析和实验结果相符。

关键词： AlN薄膜射频磁控反应溅射择优取向晶格失配度

高洁净度Al-5Ti-1B晶粒细化剂的制备与微结构特征

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特种铸造及有色合金 2012年第3期32卷 203-207页

作者：廖成伟李洋涂睿陈建春潘春旭武汉大学物理科学与技术学院湖南金联星特种材料股份有限公司武汉大学电子显微镜中心

在传统氟盐法工艺的基础上,利用电磁场作用下合金化处理、旋转除气及高效过滤等技术,提出了一种制备高洁净度Al-5Ti-1B晶粒细化剂的新工艺。试验研究表明,采用新的高洁净度制备工艺使Al-5Ti-1B合金中的杂质减少、洁净度大幅度提高。微... 详细信息

在传统氟盐法工艺的基础上,利用电磁场作用下合金化处理、旋转除气及高效过滤等技术,提出了一种制备高洁净度Al-5Ti-1B晶粒细化剂的新工艺。试验研究表明,采用新的高洁净度制备工艺使Al-5Ti-1B合金中的杂质减少、洁净度大幅度提高。微结构表征显示采用新工艺制备的Al-5Ti-1B合金中TiAl3相和TiB2粒子分布均匀,尺寸细小,分别为5～30μm和0.37～1.24μm,能够很好地满足高品质铝合金细化处理的要求。并对Al-5Ti-1B细化剂的细化机理进行了讨论,为工业生产中进一步提高Al-5Ti-1B细化剂的质量提供理论依据和技术参考。

关键词： Al-5Ti-1B合金晶粒细化剂氟盐法高洁净度微观组织晶格失配度

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应变Ge_(1-y)C_y合金的带隙

华侨大学学报（自然科学版） 2002年第1期23卷 19-22页

作者：吴丽清郭亨群黄美纯朱梓忠华侨大学信息科学与工程学院泉州362011 厦门大学物理系厦门361005

采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法 ,研究 Si(0 0 1)和 Ge(0 0 1)衬底上的应变 Ge1-y Cy 合金 ,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况 .结果发现 ,带隙对应变条件非常敏感 .硅衬底上应变 Ge1-y Cy 合金的带隙随碳组分... 详细信息

采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法 ,研究 Si(0 0 1)和 Ge(0 0 1)衬底上的应变 Ge1-y Cy 合金 ,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况 .结果发现 ,带隙对应变条件非常敏感 .硅衬底上应变 Ge1-y Cy 合金的带隙随碳组分的增加而增加 ,而锗衬底上应变 Ge1-y Cy

关键词：从头赝势法带隙硅衬底锗衬底碳含量晶格失配度能带结构半导体材料应变Ge1-yCy合金

Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文)

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发光学报 2003年第4期24卷 421-425页

作者：孙国胜罗木昌王雷赵万顺孙艳玲曾一平李晋闽林兰英中国科学院半导体研究所新材料实验室北京100083

单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的... 详细信息

单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法 ,其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息 ,其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(10 0 )和蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜 ,在生长的所有样品中均观察到了典型的 3C SiC的TO和LO声子峰 ,在3C SiC/Si材料中 ,这两个声子峰分别位于 970 3cm-1和 796 0cm-1,在 3C SiC/蓝宝石材料中 ,分别位于96 5 1cm-1和 80 1 2cm-1,这一结果表明这两种外延材料均为 3C SiC晶型。利用一个 3C SiC自由膜作为无应力标准样品 ,并根据 3C SiC/Si和 3C SiC/蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量 ,得到 3C SiC中的内应力约分别为 1GPa和 4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反 ,通过比较 3C SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数 ,预期Si衬底上的 3C SiC外延膜受到的应力为张应力 ,而蓝宝石衬底上 3C SiC受到的应力则为压应力。

关键词： 3C-SiC 碳化硅拉曼光谱 Raman光谱蓝宝石(0001)衬底晶格失配度热膨胀系数失配度背散射

InGaN/GaN量子阱光致发光特性的测试与分析

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InGaN/GaN量子阱光致发光特性的测试与分析

作者：郭媛南京大学

学位级别：硕士

从20世纪90年代初开始,世界范围内掀起了研究高亮度可见光发光二极管(LED)的热潮,以它为基础的固体照明正在迅猛发展。因为高亮度LED采用双异质结构,要求材料具有良好的晶格匹配,这个要求对用于异质结LED的材料体系提出了严格的限制。Ⅲ... 详细信息

从20世纪90年代初开始,世界范围内掀起了研究高亮度可见光发光二极管(LED)的热潮,以它为基础的固体照明正在迅猛发展。因为高亮度LED采用双异质结构,要求材料具有良好的晶格匹配,这个要求对用于异质结LED的材料体系提出了严格的限制。Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,拥有优良的光电性质,化学性质非常稳定,可在高温、酸碱、辐射环境下使用,并且禁带宽度大,因此在大功率的电子器件方面颇具吸引力,已引起了国内外众多研究者的兴趣。人们最感兴趣的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是AIN、GaN、InN及其合金,通过控制它们各自的组份,其禁带宽度可从InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到AlN的6.2eV连续变化,覆盖了整个可见光区,并扩展到紫外范围,适合制备高亮度LED。本论文就是在这种情况下立题的,首先利用光荧光的测量方法,研究了宽禁带半导体量子阱的发光特性,比较了分别在蓝宝石和GaN衬底上生长的两组InGaN/GaN多量子阱室温下的发光性能,然后进一步分析了在GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱低温下的发光特性。最后,通过AFM,变功率光致发光(PL)和阴极荧光谱(CL)的实验手段,研究了4个InGaN/GaN单量子阱的发光特性,除了生长温度,这4个样品的其它生长条件都是相同的。得到如下结论：1.在相同的激发功率密度下,GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱发光强度明显高于蓝宝石衬底上的,由此证明扩展缺陷对复合效率有很大的影响。2.在任何温度大功率激发条件下,自由载流子(或自由激子)的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域的杂质能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度或者激发功率的下降而单调上升。3.带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。4.带边复合的半峰宽(FWHM)不随温度及激发功率变化,局域的束缚激子复合的半峰宽随激发功率增加而增加。5. InGaN系统是否会发生相分离同温度有关,同时GaN与InGaN之间的晶格失配度也影响InGaN外延层中的相分离。6.在670℃下生长的样品中,InGaN发生了相分离,形成了富InN区量子点。

关键词：宽带隙蓝宝石衬底 GaN衬底 InGaN/GaN多量子阱光致发光(PL) 变功率变温自由激子束缚激子相分离晶格失配度量子点

A systematic analysis of good matching sites between two lattices

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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Science China(Technological Sciences) 2012年第5期55卷 1343-1352页

作者： YANG XiaoPeng ZHANG WenZheng Laboratory of Advanced Materials Department of Materials Science and EngineeringTsinghua UniversityBeijing 100084China

The geometrical matching/mismatching of lattices overlapped in 1, 2 and 3 dimensions have been analyzed systematically by variation of lattice misfit in a large range, far beyond the limits for semicoherent interfaces. In order to evaluate the degree of matching, the density of good matching site (GMS) between two lattices is calculated. The analysis shows that the GMS density remains approximately constant, irrespectively to the degree of lattice misfit. This constant, defined as the average GMS density, decreases exponentially with the increasing dimension of misfit. Typically, for δ= 15%, the average GMS densities are approximately 30%, 7%, and 1.4% for 1D, 2D, and 3D lattice misfits, respectively. The GMS density deviates significantly if a CSL of small ∑ can be defined. The relationship between the GMS distribution and O-lattice is investigated. It indicates that an abrupt increase in the GMS density in an interface parallel to a principal O-lattice plane is equivalent to a reduction of dimension of misfit. This shows the agreement between the selections of principal O-lattice planes as candidates of the preferred interfaces and the condition that interfaces with high GMS density are preferred.

关键词：几何匹配系统晶格失配度密度计算网站平均密度湄公河次区域

纳米化学:贵金属/半导体单晶纳米复合结构的制备及光电性能调控

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纳米化学:贵金属/半导体单晶纳米复合结构的制备及光电性能调控

用PLD在不同衬底上制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜

中国化学会第28届学术年会

作者：张加涛曹传宝朱鹤孙北京理工大学材料学院美国马里兰大学帕克分校物理系

单晶半导体纳米结构、贵金属纳米晶,因为尺寸、形貌的不同,具有可调的能带结构、荧光、表面等离子体共振（SPR）等光电性质。那么,集成单晶半导体纳米结构与贵金属纳米晶,实现贵金属与单晶半导体纳米结构轴向、径向上的直接、间接耦合,... 详细信息

单晶半导体纳米结构、贵金属纳米晶,因为尺寸、形貌的不同,具有可调的能带结构、荧光、表面等离子体共振（SPR）等光电性质。那么,集成单晶半导体纳米结构与贵金属纳米晶,实现贵金属与单晶半导体纳米结构轴向、径向上的直接、间接耦合,将为研究两种材料之间光电相互作用,开发新型的、高效率的光电转化器件提供重要的材料基础。我们充分利用纳米化学的手段,即相似相容原理下的界面反应以及分子配合物与胶体纳米结构之间软硬酸碱反应的热力学与动力学调控,实现了单晶半导体纳米结构在不同形貌金属纳米衬底上的非外延生长,并实现了半导体部分的组分调控,为大晶格失配度下材料的非外延生长提供了新的方法学。在此基础上,研究了金属与半导体之间的光电性质的调控及相互耦合效应,为开发新型光电信息材料、高效光伏能源材料提供了新的途径。

关键词：纳米复合结构单晶晶格失配度金属/半导体光电性能

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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科技传播 2011年第18期3卷 143-144页

作者：马维云新疆众和股份有限公司新疆乌鲁木齐830013

用固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3靶材,采用在LaAl03(100)衬底上PLD法制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的最佳条件(衬底温度760℃,生长氧压5Pa,脉冲激光能量350mj,频率5Hz,不退火直接降温),利用PLD技术在LaAl03(100),SrTiO3(100),LSAT(100)单晶平衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。通过分析x射线衍射图谱,晶格失配度,单θ摇摆曲线半高宽,表明在三种衬底上薄膜是沿[00I]取向的近外延生长,影响薄膜生长的主要因素并不是衬底与晶格的失配度,如希望消除失配度对薄膜生长造成的不利影响,我们可以通过优化PLD工艺参数,这在一定程度上是有效的。

关键词： Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜晶格失配度单θ摇摆曲线 PLD