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晶圆清洗技术应用

清洗世界 2018年第7期34卷 10-12页

作者：李东旭陈立新郭晓婷马岩蒋兴桥荣宇沈阳仪表科学研究院有限公司辽宁沈阳110143

介绍在半导体IC制成中晶圆清洗的重要性,随着集成电路的发展,对硅片的表面的洁净度要求越来越高,对比以往的湿法化学清洗存在的污染物质不易处理的问题,提出利用先进旋转喷淋技术,同时采用气液混合的清洗方式对硅片表面进行清洗,清洗后... 详细信息

介绍在半导体IC制成中晶圆清洗的重要性,随着集成电路的发展,对硅片的表面的洁净度要求越来越高,对比以往的湿法化学清洗存在的污染物质不易处理的问题,提出利用先进旋转喷淋技术,同时采用气液混合的清洗方式对硅片表面进行清洗,清洗后采用惰性气体直接干燥。旋转喷淋清洗方式避免其他清洗方式的不足,提高了硅片的清洗效率。

关键词：晶圆清洗机晶圆清洗旋转喷淋技术

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晶圆清洗过程中静电电压超标原因与改进

电子与封装 2012年第4期12卷 31-33,37页

作者：伏国秀刘定斌乔友学天水华天科技有限公司甘肃天水741000

分析划片后的晶圆在清洗过程中静电电压严重超标的原因,提出4种改进方案,采用16种晶圆进行了验证。结果表明:清洗过程中关闭清洗机剥离胶膜用反冲气,操作人员佩戴防静电腕带,在取出晶圆过程中采用手持式可移动离子风枪对晶圆进行风淋,... 详细信息

分析划片后的晶圆在清洗过程中静电电压严重超标的原因,提出4种改进方案,采用16种晶圆进行了验证。结果表明:清洗过程中关闭清洗机剥离胶膜用反冲气,操作人员佩戴防静电腕带,在取出晶圆过程中采用手持式可移动离子风枪对晶圆进行风淋,可解决长期存在的晶圆划片后清洗过程中表面静电电压严重超标的问题。

关键词：封装静电电压超标晶圆清洗改进方案

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用单片清洗设备进行晶圆背面清洗(英文)

电子工业专用设备 2006年第7期35卷 14-19,51页

作者： Lewis Liu Eric Brause Ismail Kashkoush Alan Walter Richard Novak Akrion Inc. 6330 Hedgewood Drive #150m Allentown Pa U.S.A

晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一... 详细信息

晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一种单片清洗设备,它具有清洗晶圆正反两面的功能。在起初评价时,设备经过了大量的粒子去除效率的变化。这种大量的变化使我们不能了解这种设备真实的清洗能力。氮化硅(Si3N4)粒子污染的晶片被用以进行粒子去除效率测试。我们发现有Si3N4粒子的晶片引起了背面粒子去除效率的变化。这种含Si3N4粒子的晶片是通过在裸芯片上沉积Si3N4粒子而特意准备的。我们发现,一些较大的Si3N4粒子在晶片清洗时又分解成更小的粒子。如若在清洗之后分解的粒子仍保留在晶片上,它们便会降低晶片总的粒子去除效果。因此,在这些粒子沉积到晶片上之前,这些粒子群需要进一步分解成实际的粒子。经过了解晶片的预习处理,我们实现了这种清洗设备背面清洗效果的评价。

关键词：晶圆清洗背面清洗氮化硅(Si3N4)粒子粒子去除效率清洗设备

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考虑工件释放时间和柔性维护的单机调度问题

计算机集成制造系统 2023年第2期29卷 581-592页

作者：李小林司佳佳尹传传李玉鹏中国矿业大学矿业工程学院江苏徐州221116

针对晶圆制造过程中考虑清洗维护的生产调度联合优化问题,以最小化最大完工时间为求解目标,优化工件加工顺序及维护活动执行时间。证明了该问题为NP难的,建立了问题的整数规划模型并进行线性化。结合机器役龄约束下的成批调度问题特征,... 详细信息

针对晶圆制造过程中考虑清洗维护的生产调度联合优化问题,以最小化最大完工时间为求解目标,优化工件加工顺序及维护活动执行时间。证明了该问题为NP难的,建立了问题的整数规划模型并进行线性化。结合机器役龄约束下的成批调度问题特征,证明了解的性质,并设计ERD-LPT-BFLD启发式算法对问题进行求解。构建了考虑工件释放时间及清洁活动约束的下界算法。通过不同规模算例仿真实验,将所提启发式算法与CPLEX及下界算法求解结果进行比较,验证了所提算法的有效性。

关键词：单机调度晶圆清洗柔性维护释放时间启发式算法

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基于湿法清洗中快排槽节水性能的优化研究

电子工业专用设备 2020年第2期49卷 53-56页

作者：赵宏亮高津平刘建民边晓东中国电子科技集团公司第四十五研究所北京100176

现有的清洗设备中,当完成晶圆的清洗工艺后,再次利用快速排水的工艺方法会消耗大量水资源。针对这一问题,探讨了一种适用于该类工艺流程的节水设计方案。通过改进排放阀的结构,将废水排放与回收功能集成相结合,使得去离子水的利用率得... 详细信息

现有的清洗设备中,当完成晶圆的清洗工艺后,再次利用快速排水的工艺方法会消耗大量水资源。针对这一问题,探讨了一种适用于该类工艺流程的节水设计方案。通过改进排放阀的结构,将废水排放与回收功能集成相结合,使得去离子水的利用率得到了提高,不仅节约了成本,并且避免了资源的浪费。

关键词：晶圆清洗快排阀快排槽

含氮碱基缓蚀剂在铜研磨抛光后清洗液中的应用

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集成电路应用 2024年第2期41卷 48-51页

作者：史筱超马丽王溯上海市集成电路关键工艺材料重点实验室上海201616 上海新阳半导体材料股份有限公司上海201616

阐述对比不同缓蚀剂配方对铜dummy片表面腐蚀抑制的影响,并辅助不同温度、时间、浓度下的不同缓蚀剂腐蚀速率,提出含有含氮碱基缓蚀剂配方的优势。对比不同缓释剂配方的清洗效果、表面粗糙度、对PVA清洗刷表面划伤的影响,进一步验证含... 详细信息

阐述对比不同缓蚀剂配方对铜dummy片表面腐蚀抑制的影响,并辅助不同温度、时间、浓度下的不同缓蚀剂腐蚀速率,提出含有含氮碱基缓蚀剂配方的优势。对比不同缓释剂配方的清洗效果、表面粗糙度、对PVA清洗刷表面划伤的影响,进一步验证含有含氮碱基缓蚀剂配方的PCMP样品,在碱性条件下表现最佳。可将晶圆表面铜层清洗干净,且对铜表面腐蚀起到有效抑制作用,降低表面粗糙度,延长Q-Time时间。分析PCMP处理后的晶圆表面SP2和XPS表征,验证Cu_(2)O可以有效延长Q-time时间。

关键词：集成电路制造 PCMP 缓蚀剂腐蚀晶圆清洗

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快排清洗槽中节水阀的应用分析

清洗世界 2020年第3期36卷 43-45页

作者：赵宏亮边晓东刘建民高津平中国电子科技集团公司第四十五研究所北京100176

在晶圆的清洗洁净过程中,利用快速排水清洗槽进行快速排水清洗法是比较常见的一种晶圆清洗方式。快速排水清洗法是先将晶圆完全浸泡于快速清洗槽的去离子水中,再快速排除清洗槽中的去离子水,用于达到清洗晶圆的目的。现有的清洗设备中,... 详细信息

在晶圆的清洗洁净过程中,利用快速排水清洗槽进行快速排水清洗法是比较常见的一种晶圆清洗方式。快速排水清洗法是先将晶圆完全浸泡于快速清洗槽的去离子水中,再快速排除清洗槽中的去离子水,用于达到清洗晶圆的目的。现有的清洗设备中,当完成对晶圆的清洗工艺后,再次利用快速排水的工艺方法会消耗大量水资源。本文针对这一问题,提出了一种适用于该类工艺流程的节水阀。

关键词：晶圆清洗节水阀 QDR

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摩尔定律继续驱动设备厂商提升业务指标

电子产品世界 2003年第08B期10卷 28-28,35页

作者：依然

近日在美国旧金山举办的SEMICONWest上,许多半导体厂商在展会上锋芒尽现,纷纷发布了在光刻、测量、晶圆检测、热处理、湿洗处理、原材料以及封装等技术方面最前沿的创新,表现出摩尔定律仍在驱动芯片制造商和设备制造商持续不断地开发出... 详细信息

近日在美国旧金山举办的SEMICONWest上,许多半导体厂商在展会上锋芒尽现,纷纷发布了在光刻、测量、晶圆检测、热处理、湿洗处理、原材料以及封装等技术方面最前沿的创新,表现出摩尔定律仍在驱动芯片制造商和设备制造商持续不断地开发出用于集成电路创新的工具和技术平台,并将其付诸实施.

关键词：摩尔定律光刻热处理晶圆清洗 RF芯片尺寸封装业务指标