检索结果-南通市图书馆

一种基于树莓派Pico单片机的晶体管β值测量仪

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电子设计工程 2025年第1期33卷 96-99页

作者：张锋王景石王妍徐正红薛薇西安交通大学陕西西安710049 西安交通大学城市学院陕西西安710018

针对低成本高精度地改进电子类课程教学中晶体管β值测量方法的目的,基于树莓派Pico单片机,利用Micropython语言开发设计了一种可充电便携晶体管β值测试仪。通过DAC模块输出可调驱动电压;通过电压跟随器提高负载能力、隔离测量和采样模... 详细信息

针对低成本高精度地改进电子类课程教学中晶体管β值测量方法的目的,基于树莓派Pico单片机,利用Micropython语言开发设计了一种可充电便携晶体管β值测试仪。通过DAC模块输出可调驱动电压;通过电压跟随器提高负载能力、隔离测量和采样模块;采用无源滤波和软件修正提高测量精度。经过测试和修正,该仪器相对于晶体管图示仪的测量结果误差值小于5,相对误差小于2%。该仪器操作简单、反应速度快、能有效满足电子类课程教学的要求,具有推广价值和经济性。

关键词：树莓派 Pico 晶体管放大倍数

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晶体管低频噪声的分形特性研究

仪器仪表学报 2003年第5期24卷 457-461页

作者：何凯王树勋戴逸松吉林大学通信工程学院长春130025

利用设计的低噪声放大器 ,测量出晶体管低频段 (10 0 m Hz— 1.6 5 Hz)噪声的功率谱及时间波形 ,找出了其无标度区间 ,并用多种方法计算了分形维。通过实验与理论分析 ,验证了晶体管低频段噪声具有明显的分形特性 ,从而为今后用分形理... 详细信息

利用设计的低噪声放大器 ,测量出晶体管低频段 (10 0 m Hz— 1.6 5 Hz)噪声的功率谱及时间波形 ,找出了其无标度区间 ,并用多种方法计算了分形维。通过实验与理论分析 ,验证了晶体管低频段噪声具有明显的分形特性 ,从而为今后用分形理论研究晶体管低频段噪声提供了理论依据。

关键词：晶体管低频噪声分形自相似尺度无标度区间

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柔性有机场效应晶体管研究进展

物理学报 2013年第4期62卷 431-444页

作者：董京柴玉华赵跃智石巍巍郭玉秀仪明东解令海黄维东北农业大学电气与信息学院哈尔滨150030 南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院南京210046

柔性有机场效应晶体管具有可折叠、质量轻、低成本等优点,在柔性显示、柔性传感器、柔性射频标签和柔性集成电路等方面显示了广阔的应用前景.本文在介绍柔性有机场效应晶体管最新研究进展的基础上,总结了柔性有机场效应晶体管的器件结... 详细信息

柔性有机场效应晶体管具有可折叠、质量轻、低成本等优点,在柔性显示、柔性传感器、柔性射频标签和柔性集成电路等方面显示了广阔的应用前景.本文在介绍柔性有机场效应晶体管最新研究进展的基础上,总结了柔性有机场效应晶体管的器件结构和柔性有机场效应晶体管所使用的衬底材料、栅绝缘层材料、有源层材料及电极材料,阐述了柔性有机场效应晶体管的制备工艺,并讨论了不同的弯曲方式对柔性有机场效应晶体管性能的影响,最后总结和展望了柔性有机场效应晶体管的应用领域.

关键词：柔性晶体管有机聚合物溶液加工

柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的研究进展

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物理学报 2014年第2期63卷 259-275页

作者：柴玉华郭玉秀卞伟李雯杨涛仪明东范曲立解令海黄维东北农业大学电气与信息学院哈尔滨150030 南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院南京210023 南京工业大学先进材料研究院南京211816

柔性有机非易失性场效应晶体管存储器具有柔性、质轻、成本低、可低温及大面积加工等优点,在射频识别标签、柔性存储、柔性集成电路和大面积柔性显示等领域展现出巨大的应用前景.本文在介绍柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的衬底材... 详细信息

柔性有机非易失性场效应晶体管存储器具有柔性、质轻、成本低、可低温及大面积加工等优点,在射频识别标签、柔性存储、柔性集成电路和大面积柔性显示等领域展现出巨大的应用前景.本文在介绍柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的衬底材料、器件结构和性能参数的基础上,总结了柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的分类,并讨论了机械应力和不同温度对柔性有机非易失性场效应晶体管存储器性能参数的影响,最后展望了柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的应用前景以及所面临的挑战.

关键词：柔性晶体管非易失性存储

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氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展

科学通报 2023年第14期68卷 1741-1752页

作者：韩根全王轶博徐文慧巩贺贺游天桂郝景刚欧欣叶建东张荣郝跃西安电子科技大学微电子学院西安710071 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所测试分析平台苏州215123 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 南京大学电子科学与工程学院南京210023 江苏第三代半导体研究院沈阳材料科学国家研究中心苏州215123

超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga_(2)O_(3)材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的... 详细信息

超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga_(2)O_(3)材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的p型掺杂方法成为限制其复杂器件结构制备和器件性能提升的主要瓶颈.针对上述两大关键瓶颈,本文综述了利用异质材料集成的方法实现高导热衬底Ga_(2)O_(3)异质集成晶体管与基于p型氧化镍/n型氧化镓(p-NiO/n-Ga_(2)O_(3))异质结的Ga_(2)O_(3)功率二极管和超结晶体管的研究进展.采用离子刀智能剥离-键合技术实现的高导热衬底Ga_(2)O_(3)异质集成方案可有效解决其导热问题,碳化硅(SiC)和硅(Si)基Ga_(2)O_(3)异质集成晶体管展现出远优于Ga_(2)O_(3)体材料器件的热相关特性.采用异质外延技术制备的p-NiO/n-Ga_(2)O_(3)功率二极管和超结晶体管均展现出良好的电学特性,p-NiO/n-Ga_(2)O_(3)异质结为Ga_(2)O_(3)双极器件的发展提供了一种可行途径.异质集成和异质结技术可有效地克服Ga_(2)O_(3)本身的关键难点问题,助力高效能、高功率和商业可扩展的Ga_(2)O_(3)微电子系统的实现,推动其实用化进程.

关键词：氧化镓晶体管异质集成氧化镍异质结超结

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钙钛矿场效应晶体管中的离子迁移(特邀)

光子学报 2021年第10期50卷 17-29页

作者：董雪程鹏郭佩瑶刘国桦李逸群吴忠彬陈永华黄维西北工业大学柔性电子研究院西安710072 南京工业大学先进材料研究院南京210037

场效应晶体管是一种通过电压控制电路的电子开关,是现代电子技术的关键元件。随着新型半导体材料的发展,场效应晶体管沟道材料的选择更加多样化。近年来,钙钛矿材料作为一种新型的有机无机杂化半导体材料在光伏和发光领域发展迅速,但由... 详细信息

场效应晶体管是一种通过电压控制电路的电子开关,是现代电子技术的关键元件。随着新型半导体材料的发展,场效应晶体管沟道材料的选择更加多样化。近年来,钙钛矿材料作为一种新型的有机无机杂化半导体材料在光伏和发光领域发展迅速,但由于其本身具有离子迁移的特性,限制了其在场效应晶体管领域的发展。钙钛矿材料中的离子迁移能够引起栅极电场的部分屏蔽,影响栅极的调制作用,降低场效应晶体管的迁移率。本文系统阐释了离子迁移现象的产生机理,总结了抑制离子迁移的方法,最后展望了钙钛矿晶体管的应用前景。

关键词：晶体管离子迁移钙钛矿材料界面钝化维度组分调控

用于低功率神经形态晶体管的金属氧化物半导体纳米纤维中阳离子比例的合理调整

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Science China Materials 2023年第8期66卷 3251-3260页

作者：丛浩菲常宇周睿夫张文鑫孙广欣徐沛龙秦元斌 Seeram Ramakrishna 刘旭海王凤云 College of Physics and State Key Laboratory of Bio Fibers and Eco Textiles Qingdao UniversityQingdao 266071China College of Microtechnology&Nanotechnology Qingdao UniversityQingdao 266071China School of Materials Science and Engineering Xi’an Jiaotong UniversityXi’an 710000China Center for Nanofibers&Nanotechnology Department of Mechanical Engineering National University of SingaporeSingapore 117574Singapore

宽带隙金属氧化物半导体(MOS)纳米纤维神经形态晶体管(NFNTs)可以潜在地用于构建低功耗的仿生人工电路.但文献中对于NFNTs所采用MOS的阳离子配比并没有给出详细的原因.在本研究中,我们首次系统地研究了用低成本静电纺丝技术结合纳米纤... 详细信息

宽带隙金属氧化物半导体(MOS)纳米纤维神经形态晶体管(NFNTs)可以潜在地用于构建低功耗的仿生人工电路.但文献中对于NFNTs所采用MOS的阳离子配比并没有给出详细的原因.在本研究中,我们首次系统地研究了用低成本静电纺丝技术结合纳米纤维转移工艺制备的氧化铟锌(InZnO)基NFNTs的阳离子比例.基于双阳离子InZnO纳米纤维的电驱动NFNTs可以大大简化实验过程.在In_(x)Zn_(1−x)O的阳离子比(x=0.6,0.7,0.8,0.9)中,我们发现基于In_(0.7)Zn_(0.3)O的NFNTs表现出最低的兴奋性突触后电流,可以为低功耗操作和突触功能模拟提供电效益.MOS纳米纤维成分的合理调整可以为高性能低功耗NFNTs提供新的思路.

关键词：纳米纤维静电纺丝技术金属氧化物半导体突触功能电驱动晶体管氧化铟锌合理调整