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Z箍缩等离子体均匀色散晶体光谱成像

强激光与粒子束 2012年第2期24卷 357-360页

作者：鲁建阳庆国肖沙里黄显宾蔡红春重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室重庆400030 中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳621900

为了诊断Z箍缩等离子体X射线相关信息,利用自聚焦和均匀色散原理,研制了一种新型的均匀色散弯晶谱仪。晶体分析器采用α-石英(1010),布拉格角为43.4°～72.7°,利用有效面积为10mm×50mm的X射线胶片接收光谱信号,实验在中国工程物理研... 详细信息

为了诊断Z箍缩等离子体X射线相关信息,利用自聚焦和均匀色散原理,研制了一种新型的均匀色散弯晶谱仪。晶体分析器采用α-石英(1010),布拉格角为43.4°～72.7°,利用有效面积为10mm×50mm的X射线胶片接收光谱信号,实验在中国工程物理研究院阳加速器装置上进行,摄谱元件获得了Z箍缩铝丝阵等离子体的类H及类He谱线。实验结果表明:谱线分布遵循均匀色散条件,所研制均匀色散弯晶谱仪线色散率为-116.198mm/nm,与理论值-120mm/nm的相对误差为3.168%,能够用于Z箍缩等离子体X射线的光谱学研究。

关键词： Z箍缩等离子体弯晶谱仪均匀色散晶体分析器 X射线诊断

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球面弯晶在X射线诊断中的应用

强激光与粒子束 2010年第10期22卷 2313-2316页

作者：刘利锋肖沙里王洪建施军刘慎业韦敏习陈伯伦钱家渝重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室重庆400030 中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900

为了诊断等离子体X射线,利用X射线布拉格衍射原理研制了球面弯晶谱仪。实验采用α-石英作为其晶体分析器色散元件,晶体弯曲半径为250 mm,布拉格角为30°~67.5°;采用接收面积10 mm×50mm的X射线胶片作为摄谱器件,接收等离子体X射线谱线... 详细信息

为了诊断等离子体X射线,利用X射线布拉格衍射原理研制了球面弯晶谱仪。实验采用α-石英作为其晶体分析器色散元件,晶体弯曲半径为250 mm,布拉格角为30°~67.5°;采用接收面积10 mm×50mm的X射线胶片作为摄谱器件,接收等离子体X射线谱线信息。通过在＂阳＂加速器装置上进行实验,得到了钛等离子体X射线K壳层激发谱线信息,其光谱分辨力可达到1 000以上,光谱带宽约为0.43 eV。

关键词：球面弯晶谱仪 X射线诊断布拉格衍射晶体分析器光谱分辨力

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X—线谱分析的现状

化学通报 1960年第4期 10-16页

作者： Э.Е.Вайштейн 沈联芳李安模

X—线谱学作为分析物质的化学组成或者研究化合物中原子间相互作用的方法还是比较新的。这一领域中最初的工作是1922—1925年间霍廷、海威许和诺达克所完成的,并以发现二个新的化学元素铪(海威许,1923年)以及铼(诺达克,1925年)而著名。... 详细信息

X—线谱学作为分析物质的化学组成或者研究化合物中原子间相互作用的方法还是比较新的。这一领域中最初的工作是1922—1925年间霍廷、海威许和诺达克所完成的,并以发现二个新的化学元素铪(海威许,1923年)以及铼(诺达克,1925年)而著名。自此以后,X—线谱分析法在解决各种化学,化学工艺学,地质学,地球化学,固体化学,金相学等的问题上的应用不断地在扩大和增加。近十年来X—线谱分析方法的实际应用的规模扩大得特别快。一方面由于理论方面

关键词：元素分析微量分析仪分析法地球化学地球科学幅射晶体分析器化学键分子结构监察器金属金属材料双光路金相学选择激发方法应用原子序

用X射线晶片分析器同时测定硅片上薄膜的厚度及组成

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分析测试仪器通讯 1995年第2期5卷 79-92页

作者：河野久征小林宽日本理学电机工业株式会社大阪分析中心

晶片专用X射线荧光分析装置在半导体工业中被用于多种工程的评价。在半导体分析中XRF法的显著特征是能分析各种薄膜(氧化膜、硅化物膜、金属膜等);能同时分析晶片上同一部位的膜厚及组成;XRF法是非破坏分析,因受化学键的影响不大,同一... 详细信息

晶片专用X射线荧光分析装置在半导体工业中被用于多种工程的评价。在半导体分析中XRF法的显著特征是能分析各种薄膜(氧化膜、硅化物膜、金属膜等);能同时分析晶片上同一部位的膜厚及组成;XRF法是非破坏分析,因受化学键的影响不大,同一个试样可以反复使用。厚度在400nm以上的掺硼磷硅玻璃(BPSG)膜的分析结果已做报道。近年,随着对半导体器件的高度集成化、高性能化(64 Mbit以上)要求的提高,希望能更准确地分析。作为有代表性的氧化膜——BPSG膜,为改善其在工程中的热处理特性,B_2O_3、P_2O_5的浓度控制是不可缺少的。为了满足这些要求,必须分析更薄的薄膜(300nm以下),在薄膜分析中的关键问题是B Kα背底的变动。 B分析的新光学系统改善了声噪比(S/N),使250nm以上的BPSG膜的分析成为可能。为了提高晶片分析器的性能,在装置上做了一些改良:真空度的稳定化;减轻污染的特制真空泵;分光室部分的恒温化。新的晶体分析器无论在短期或长期的测定,对10％B_2O_3的测定能做到1％的相对精度。对在硅晶片上的钨硅化物的分析,不能使用W Lα及Si Kα两种谱线,而应使用W的两种谱线(浓度分析用W-N线,膜厚分析对用W-Lα线)。膜厚测定的相对精度在0.2％以下,对于Si/W=2.5,摩尔比精度约0.015％(相对精度约为0.56％)。

关键词：掺硼磷硅玻璃(BPSG) 钨硅化物 X射线荧光光谱法(XRF) 基本参数(FP)法晶体分析器半导体