检索结果-南通市图书馆

中国表面工程 2022年第6期35卷 266-273页

作者：李慎重梁兴勃田达晰马向阳杨德仁浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江金瑞泓科技股份有限公司宁波315800

外延片生产中有时会遇到外延硅片在洁净室中暴露--段时间后产生雾状宏观缺陷(即所谓的时间雾)的不利情形,然而关于外延硅片表面时间雾的成因目前尚不清楚。通过探究常压化学气相外延工艺生长的外延硅片表面时间雾的形成条件,发现外延硅... 详细信息

外延片生产中有时会遇到外延硅片在洁净室中暴露--段时间后产生雾状宏观缺陷(即所谓的时间雾)的不利情形,然而关于外延硅片表面时间雾的成因目前尚不清楚。通过探究常压化学气相外延工艺生长的外延硅片表面时间雾的形成条件,发现外延硅片取出之前生长腔和传递腔之间的压力差是时间雾形成与否的关键因素。分析认为:取片之前,当生长腔相对传递腔为正压时,外延尾气的返流使得外延硅片表面吸附了尾气中的SiCl_(2)及其团簇(SiCl_(2))_(n),进一步吸附空气中的水分并与之发生化学反应,这是时间雾形成的内因。采用扫描电子显微镜(SEM)、X光能量色散谱(EDS)和全反射X光荧光光谱(TXRF)等手段,对时间雾相关的颗粒形貌和组分进行表征。结果表明:时间雾相关的颗粒呈现为规则多面体和球形两种典型形貌,前者与NH_(4)Cl小晶体有关,而后者与有机物有关。分析认为:洁净室空气中的含NH_(4)^(+)无机组分以及异丙醇(IPA)等有机组分是形成时间雾的外因。生产中避免外延硅片表面时间雾的根本措施在于,在外延炉腔中取片之前必须避免外延工艺的尾气不会返流至生长腔。

关键词：外延硅片时间雾无机组分有机组分

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

采用热纯水漂洗消除时间雾缺陷

引用

半导体技术 2009年第9期34卷 849-851页

作者：熊诚雷齐旭东麦斯克电子材料有限公司河南洛阳471009

清洗工艺在抛光Si片加工中广泛使用,其纯水槽使用的纯水受区域和季节变化的影响,温度最大波动可以达到10℃以上。阐述了这种波动对清洗后Si片表面化学残留物浓度造成的影响,当冬季水温出现下降,Si片表面化学残留浓度上升,导致时间雾的... 详细信息

清洗工艺在抛光Si片加工中广泛使用,其纯水槽使用的纯水受区域和季节变化的影响,温度最大波动可以达到10℃以上。阐述了这种波动对清洗后Si片表面化学残留物浓度造成的影响,当冬季水温出现下降,Si片表面化学残留浓度上升,导致时间雾的出现。提出使用热纯水漂洗技术,通过纯水加热器对最终清洗机纯水溢流槽纯水进行加热,使纯水温度保持在稳定水平,在生产中可有效地消除时间雾缺陷并且将Si片表面化学残留浓度控制在良好的水平。

关键词： Si抛光片 IPA干燥器时间雾热纯水全反射X射线荧光法

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究

引用

电子与封装 2022年第7期22卷 49-52页

作者：刘勇仇光寅邓雪华杨帆金龙南京国盛电子有限公司南京211111

针对硅外延加工过程及所处环境,研究了200 mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢(HCl)和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾... 详细信息

针对硅外延加工过程及所处环境,研究了200 mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢(HCl)和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾的主要原因。通过增强硅外延设备排外能力降低环境中的阳离子浓度,可有效降低时间雾产生的概率。

关键词：硅外延时间雾环境阳离子载片腔氯化氢

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Si抛光片存储中表面起“雾”的研究

引用

半导体技术 2009年第4期34卷 337-340页

作者：程国庆詹玉峰万向硅峰电子股份有限公司浙江开化324300

存储中Si片起"雾"是Si片存储面临的最大挑战,"雾"缺陷是可见或可印刷的晶体结构,从污染生长而来,已是困扰半导体业界长达10年以上的大问题。半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。所以研究Si片的"雾"缺陷,并克服"雾"缺陷显得尤... 详细信息

存储中Si片起"雾"是Si片存储面临的最大挑战,"雾"缺陷是可见或可印刷的晶体结构,从污染生长而来,已是困扰半导体业界长达10年以上的大问题。半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。所以研究Si片的"雾"缺陷,并克服"雾"缺陷显得尤为迫切。从实际生产出发,根据实验数据分析和理论推导,建立了一个起"雾"原因基本模型,对引起"雾"缺陷影响因素进行了独立细致的分析,并在这个模型的基础上提出了相对应的有效的解决方案。

关键词：时间雾携带层气载分子污染温湿度

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响

引用

电子工业专用设备 2010年第5期39卷 22-25页

作者：吕菲赵权刘春香窦连水中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表... 详细信息

因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降。检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂。要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度。

关键词：磨削粗糙度化学机械抛光(CMP) 抛光速率时间雾

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：