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一种低温漂的无运放带隙基准电压源

电子元件与材料 2023年第6期42卷 729-735页

作者：熊辉张涛刘劲武汉科技大学信息科学与工程学院湖北武汉430000

针对传统无运放带隙基准电压源温度特性差的问题,设计了一种低温漂的无运放带隙基准电压源电路。设计中通过电流镜以及环路反馈的方法来代替传统运放对电路进行钳位,避免了运放输入失调电压对带隙基准电压精度的影响。同时基于华虹0.35... 详细信息

针对传统无运放带隙基准电压源温度特性差的问题,设计了一种低温漂的无运放带隙基准电压源电路。设计中通过电流镜以及环路反馈的方法来代替传统运放对电路进行钳位,避免了运放输入失调电压对带隙基准电压精度的影响。同时基于华虹0.35μm BCD工艺,利用工艺库中温度系数不同的电阻来产生与温度相关的非线性项,从而对三极管负温度系数电压中的高阶非线性项进行补偿,实现了无运放带隙基准的低温漂特性。通过Cadence Spectre对电路进行仿真,仿真结果表明:在-55~125℃温度范围内,输入电压为5.5 V时,带隙基准电压的温漂系数为1.949×10^(-6)/℃;在10 kHz时,电源抑制比达到71.5 dB,在1 MHz时,电源抑制比达到46.3 dB。

关键词：带隙基准无运放低温漂温度补偿

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一种高PSRR的无运放带隙基准电路

微电子学 2023年第2期53卷 227-232页

作者：曹麒罗萍刘凡杨秉中冯冠儒杨健电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

设计了一种无运放带隙基准电路,该电路采用电压自调节技术来稳定输出基准电压,并实现该带隙基准电路在较宽频率范围内的高PSRR。该基准采用无运放结构,在降低电路复杂性的同时,避免了运算放大器的失调电压对输出基准的温度系数的影响。... 详细信息

设计了一种无运放带隙基准电路,该电路采用电压自调节技术来稳定输出基准电压,并实现该带隙基准电路在较宽频率范围内的高PSRR。该基准采用无运放结构,在降低电路复杂性的同时,避免了运算放大器的失调电压对输出基准的温度系数的影响。基于0.18μm BCD工艺,在Cadence环境下仿真得到该电路在10 Hz时,PSRR为-94 dB,在1 MHz时,PSRR为-44 dB;在-40~125℃温度范围内,温度系数为4×10^(-6)/℃;包含启动电路在内,该电路静态电流约为14μA,片上面积约为0.016 mm^(2)。

关键词：带隙基准电源抑制比无运放电压自调节

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一种新颖的无运放高性能带隙基准设计

微电子学 2021年第6期51卷 799-803页

作者：王豪代国定唐文海卓景铸西安电子科技大学电子工程学院超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室西安710071

基于180 nm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种新型的无运放高性能带隙基准电压源。该带隙基准通过共源共栅电流镜技术和负反馈网络来调节参考电压,消除了运放失调电压的不利影响。电路在Cadence Spectre下仿真。仿真结果... 详细信息

基于180 nm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种新型的无运放高性能带隙基准电压源。该带隙基准通过共源共栅电流镜技术和负反馈网络来调节参考电压,消除了运放失调电压的不利影响。电路在Cadence Spectre下仿真。仿真结果表明,设计的输出电压为1.228 V;在-40℃至125℃的温度范围内,温度系数为1.47×10^(-6)/℃;在1 kHz时的PSRR约为-86 dB;线性调整率为6.5×10^(-5)/V。

关键词：无运放高阶补偿超低温漂带隙基准

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一种高PSRR低温漂无运放带隙基准

现代电子技术 2024年第23期47卷 171-175页

作者：王凯张方晖杨旭王义晨李梓腾陕西科技大学电子信息与人工智能学院陕西西安710021 西安理工大学自动化与信息工程学院陕西西安710048

针对无运放带隙基准电压源温度特性及电源抑制比差的问题,设计一种高电源抑制比、低温漂的无运放带隙基准电路。该电路通过电流镜进行钳位,避免运算放大器失调电压对输出基准的影响,利用晶体管栅极与三极管基极生成稳定的补偿电流,以降... 详细信息

针对无运放带隙基准电压源温度特性及电源抑制比差的问题,设计一种高电源抑制比、低温漂的无运放带隙基准电路。该电路通过电流镜进行钳位,避免运算放大器失调电压对输出基准的影响,利用晶体管栅极与三极管基极生成稳定的补偿电流,以降低基准电压的高阶温度系数,输出端采用共源共栅结构提高电源抑制比。基于SMIC 0.18μm BCD工艺在Cadence环境下对电路进行仿真,仿真结果表明:在-40~125℃范围内,电路的温度系数为3.187×10^(-6)/℃,10 Hz时电源抑制比为-88.6 dB,1 MHz时电源抑制比为-50.2 dB。在考虑启动电路影响的情况下,电路在5 V电源下的静态电流为3.78μA,带隙基准的版图面积为160μm×183μm。可实现对基准电压高阶温度项的补偿,降低温度系数,并在没有滤波电容的条件下提高带隙基准的PSRR。

关键词：带隙基准无运放电源抑制比温度系数补偿电流启动电路

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一种基于BJT工艺的无运放低温度系数的带隙基准源

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成都信息工程大学学报 2019年第3期34卷 243-245页

作者：王银聂海毛焜成都信息工程大学

如今集成电路工艺更多采用的是CMOS工艺,因为具有功耗低便于集成等特点。但BJT工艺仍然有不可替代的优点,它具有电驱动能力强上电速度快的特点,且工艺简单,成本更低,在需要高功率大电压的环境中,采用BJT工艺仍然是不错的选择。提出了一... 详细信息

如今集成电路工艺更多采用的是CMOS工艺,因为具有功耗低便于集成等特点。但BJT工艺仍然有不可替代的优点,它具有电驱动能力强上电速度快的特点,且工艺简单,成本更低,在需要高功率大电压的环境中,采用BJT工艺仍然是不错的选择。提出了一种基于BJT工艺的无运放低温度系数的带隙基准源,适用温度范围广,在-40℃~140℃都具有较好的温度特性。该电路采用重庆二十四所的WX40工艺,测试结果显示能产生较高精度的3.3 V电压源,且电压源抑制比高达85 dB,同时具有极高的线性调整率,可以在11~40 V的电压范围下工作,温漂系数为14 PPM。

关键词：基准电压源温度系数无运放三极管

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一种无运放高电源抑制比的带隙基准设计

电子与封装 2016年第4期16卷 24-28页

作者：刘俐中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035

为满足集成电路中高电源抑制比/低温度系数的要求,设计了一款没有运放的精简的带隙电压电路。相比传统有运放结构,电路芯片面积更小且具有更低的电流损耗。并在0.5μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明,在-40℃^+100℃温度范围内电路... 详细信息

为满足集成电路中高电源抑制比/低温度系数的要求,设计了一款没有运放的精简的带隙电压电路。相比传统有运放结构,电路芯片面积更小且具有更低的电流损耗。并在0.5μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明,在-40℃^+100℃温度范围内电路的温度系数为17×10-6,电源抑制比PSRR在100 k Hz以下达到-50 d B,在1 k Hz以下能达到-80 d B,而整个电路在3.3 V电压下电流损耗仅为24μA。

关键词：电源抑制比带隙基准 PTAT 无运放温度系数

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一种无运放输出可调的带隙基准电压源设计

电子与封装 2018年第8期18卷 33-35页

作者：杜士才方芳李娟中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072

设计了一种输出可调的带隙基准电压源。该电路结构简单,无运放结构,避免了运放失调电压对基准电压源精度的影响。调整电阻即可调整带隙基准的输出电压。该设计基于TSMC 0.18μm BCD工艺,采用Spectre进行仿真。仿真结果显示,在电源电压2~... 详细信息

设计了一种输出可调的带隙基准电压源。该电路结构简单,无运放结构,避免了运放失调电压对基准电压源精度的影响。调整电阻即可调整带隙基准的输出电压。该设计基于TSMC 0.18μm BCD工艺,采用Spectre进行仿真。仿真结果显示,在电源电压2~6 V、温度-55~125℃的范围内,可产生输出可调的带隙基准电压,最大功耗为57μW。

关键词：带隙基准电压无运放输出可调

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一种无运放低温系数带隙基准源

成都信息工程大学学报 2017年第1期32卷 41-43页

作者：米磊毛焜聂海成都信息工程大学四川成都610225

为产生一个低温度系数的基准电源,设计一种无运算放大器的带隙基准电路。通过对晶体管基射级电压进行高阶温度补偿的方式,产生具有更低温度系数的基准电压。其中二阶温度补偿电路采用MOS管,PTAT电流由电流镜实现,省掉运算放大器,节省芯... 详细信息

为产生一个低温度系数的基准电源,设计一种无运算放大器的带隙基准电路。通过对晶体管基射级电压进行高阶温度补偿的方式,产生具有更低温度系数的基准电压。其中二阶温度补偿电路采用MOS管,PTAT电流由电流镜实现,省掉运算放大器,节省芯片面积。电路采用0.5μm BCD工艺进行仿真。在5.8 V供电电源下、-40℃~150℃的温度内,得到基准电压为1.26~1.262 V,温度系数为8.07×10-6/℃。

关键词：基准电源高阶补偿温度系数无运放

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一种无运放电流模式带隙基准设计

现代电子技术 2010年第4期33卷 19-22,34页

作者：胡养聪周伟周长胜电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 中国科学院嘉兴微电子与系统工程中心浙江嘉兴314000

为满足集成电路中低功耗/低温度系数的要求,基于负反馈钳位原理,采用分段线性补偿技术,通过在高低温度段分别插入非线性电流修正项对基准进行了曲率补偿,得到一种新型的无需运放的曲率补偿电流模式带隙电压基准源。仿真得到典型工艺下... 详细信息

为满足集成电路中低功耗/低温度系数的要求,基于负反馈钳位原理,采用分段线性补偿技术,通过在高低温度段分别插入非线性电流修正项对基准进行了曲率补偿,得到一种新型的无需运放的曲率补偿电流模式带隙电压基准源。仿真得到典型工艺下电路在室温27℃,工作电压4.5V下输出电压1.25062V,工作电流小于38μA,功耗小于170μW。在-40～+150℃。宽温度范围内,基准电压在1.25018～1.25086V之间变化,温度系数约为2.86ppm/℃。

关键词：带隙电压基准源负反馈钳位电流模式无运放分段线性补偿