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无位错<110>直拉硅单晶的研究

中国科技期刊数据库工业A 2016年第9期 31-32页

作者：徐强张雪囡孙晨光王岩王彦君高树良天津市环欧半导体材料技术有限公司天津300384

本项目研究了直拉炉热场系统及拉晶工艺对拉制无位错直拉硅单晶的影响。通过合理调整直拉炉热系统,大幅度提高拉晶速度、控制引晶直径和长度,采取控制放肩速度、增加单晶收尾长度及控制收尾单晶直径等技术手段成功拉制无位错单晶。本项... 详细信息

本项目研究了直拉炉热场系统及拉晶工艺对拉制无位错直拉硅单晶的影响。通过合理调整直拉炉热系统,大幅度提高拉晶速度、控制引晶直径和长度,采取控制放肩速度、增加单晶收尾长度及控制收尾单晶直径等技术手段成功拉制无位错单晶。本项目研制的硅单晶适用于半导体和太阳能光电器件的制造,采用晶向硅单晶制备的超薄—高效太阳能电池可获取较高的输电效率大大降低了材料成本。

关键词：直拉硅单晶无位错太阳能电池

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

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现代材料动态 2007年第5期 5-7页

作者：邓志杰（摘译）

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。... 详细信息

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。

关键词：生长技术光电应用晶体管无位错大直径半导体性质贝尔实验室晶片

国产炉拉制Φ>76.2mm无位错FZ硅单晶的两种工艺热场分析

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半导体技术 1999年第2期24卷 55-59页

作者：黄立新峨眉半导体材料厂

对国产设备试制及生产Φ＞７６．２ｍｍ无位错ＦＺ硅单晶的两种最为稳定的工艺热场作了较全面的分析总结。

关键词：硅单晶无位错 FZ硅单晶工艺热场分析

Ti-36Nb-2Ta-3Zr-0.35O合金在热加工与冷加工过程中的组织演变（英文）

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Transactions of Nonferrous Metals Society of China 2016年第5期26卷 1310-1316页

作者：张卫东刘咏吴宏刘彬陈紫瑾汤慧萍中南大学粉末冶金国家重点实验室长沙410083 西北有色金属研究院金属多孔材料国家重点实验室西安710012

采用元素粉末法通过冷等静压、真空烧结、热锻、冷锻等方法制备了Ti-36Nb-2Ta-3Zr-0.35O(质量分数,%)(TNTZO)合金。运用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、金相显微镜以及万能试验机对加工前后合金材料进行显微组织分析和力学性能检测,... 详细信息

采用元素粉末法通过冷等静压、真空烧结、热锻、冷锻等方法制备了Ti-36Nb-2Ta-3Zr-0.35O(质量分数,%)(TNTZO)合金。运用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、金相显微镜以及万能试验机对加工前后合金材料进行显微组织分析和力学性能检测,探究热加工与冷加工对合金组织与性能的影响。结果表明:TNTZO合金具有良好的可加工性,通过热锻与冷旋锻可以得到良好的细晶组织;85%冷旋锻的合金样品呈现典型大理石状显微组织,并且在其冷加工过程中伴随有应力诱导α"马氏体相变。此外,热加工与冷加工后合金的强度及塑形都有显著提高。

关键词：橡胶金属热锻冷旋锻显微组织无位错应力诱导马氏体相变

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Φ200mm硅单晶的生长工艺特点

稀有金属 1998年第1期22卷 67-68页

作者：张果虎常青方锋吴志强周旗钢北京有色金属研究总院

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。

关键词：硅单晶无位错热场拉晶半导体

Femoral head fracture without hip dislocation

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Chinese Journal of Traumatology 2013年第5期16卷 304-307页

作者： Aditya K Aggarwal Ashwani Soni Daljeet Singh Department of Orthopaedic Surgery Postgraduate Institute of Medical Education & Research Chandigarh India

没有脱臼或 subluxation 的大腿骨的头破裂是极其稀罕的损害。没有一年持续时间的新潮的脱臼或 subluxation，我们在由于道路交通事故支撑了一处高精力损伤的一个 36 岁的病人报导大腿骨的头的孤立的弄碎的骨折的一个忽视的案例。他与... 详细信息

没有脱臼或 subluxation 的大腿骨的头破裂是极其稀罕的损害。没有一年持续时间的新潮的脱臼或 subluxation，我们在由于道路交通事故支撑了一处高精力损伤的一个 36 岁的病人报导大腿骨的头的孤立的弄碎的骨折的一个忽视的案例。他与痛苦的右臀部和无能介绍了与 39 中的哈里斯臀部 20 个在恰好更低的手足上忍受完整的重量。他收到了无水泥的全部的新潮的代替。在 2.3 年的最近的后续，功能的结果与 95 中的哈里斯臀部 20 个是优秀的。如此的孤立的损害在文学被描述了仅仅一次并且没被分类到现在为止。这份报告的目的是加亮极端稀有，包含的可能的机制和分类如此的损害的一个新奇分类系统。

关键词：髋关节脱位股骨头骨折 Harris 道路交通事故分类系统伤害无位错

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石英坩埚对大直径直拉硅单晶生长的影响

电子工艺技术 2021年第1期42卷 46-49页

作者：莫宇张颖武韩焕鹏赵堃李明佳中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂层的石英坩埚,一种是内层为高纯合成石英砂的坩埚(SQC),另一种是内层涂抹了碱土金属钡的离子溶液的天然... 详细信息

大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂层的石英坩埚,一种是内层为高纯合成石英砂的坩埚(SQC),另一种是内层涂抹了碱土金属钡的离子溶液的天然石英砂的坩埚(NQC)。使用两种石英坩埚长时间生长大直径(350 mm)单晶后,通过金相显微镜对两种石英坩埚表面形态进行了观察,并使用粗糙度测试仪对其粗糙度进行了测试,同时使用ICP-MS测试了生长出的晶体的金属浓度。结果表明,使用NQC有较多杂质颗粒进入到硅熔体中,对单晶的无位错生长和单晶质量造成了影响,而使用SQC可减少杂质颗粒进入到硅熔体。

关键词：石英坩埚无位错直拉硅单晶粗糙度金属浓度