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128dB数控衰减器的设计

武汉大学学报（自然科学版） 1999年第1期45卷 119-121页

作者：石振华文必洋石新智刘海文黄为民武汉大学电子信息学学院

根据ＥｌｅｃｔｒｉｃＥｒａｓａｂｌｅＰｏｔ（Ｅ２ＰＯＴ）电位器的电气参数和数字逻辑电路设计原理，设计和制作了一种可用数码控制的衰减器，该衰减器操作方便，而且可准确定位，掉电后可以保持原来的状态信息，并可提供衰减量的数... 详细信息

根据ＥｌｅｃｔｒｉｃＥｒａｓａｂｌｅＰｏｔ（Ｅ２ＰＯＴ）电位器的电气参数和数字逻辑电路设计原理，设计和制作了一种可用数码控制的衰减器，该衰减器操作方便，而且可准确定位，掉电后可以保持原来的状态信息，并可提供衰减量的数字显示．

关键词：电位器数字显示数控衰减器设计

内置驱动器的六位GaAs PHEMT宽带单片数控衰减器

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固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 69-72页

作者：李娜许正荣李晓鹏陈新宇南京电子器件研究所南京210016

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点,并且集成了驱动器,使得输入信号控制线减少了一半,大大减少了系统布线的难... 详细信息

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点,并且集成了驱动器,使得输入信号控制线减少了一半,大大减少了系统布线的难度。产品由GaAsPHEMT标准工艺线加工。测试结果表明,在0.05～3.0GHz带内,插入损耗≤2.3dB@3GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,衰减精度在±(0.3dB+3%)以内,1dB压缩功率点达到了27dBm,IP3超过了+45dBm。

关键词：砷化镓数控衰减器增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

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一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器

固体电子学研究与进展 2023年第4期43卷 353-358页

作者：孙俊峰姜理利刘水平郁元卫朱健黎明陈章余南京电子器件研究所南京210016 江苏联合职业技术学院南京工程分院南京211135

设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触... 详细信息

设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC~15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。

关键词：数控衰减器晶圆级封装 RF MEMS MEMS开关

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一款高精度大衰减量单片数控衰减器

半导体技术 2012年第1期37卷 59-62页

作者：刘志军高学邦中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减... 详细信息

介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减位,选择合适的衰减拓扑。通过采用创新的大衰减量衰减结构,既实现了63.5 dB的大衰减量,又满足其衰减精度的要求,还达到了整个单片数控衰减器低插入损耗和高衰减精度的目标。单片电路测试结果为:在3～100 MHz工作频率范围内,插入损耗≤2.2 dB,驻波比≤1.4∶1,衰减范围为0.5～63.5 dB。测试结果表明设计方法有效、可行。电路尺寸为3.5 mm×1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V。

关键词：大衰减量高精度单片式微波集成电路数控衰减器砷化镓

一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器

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半导体技术 2013年第3期38卷 184-188页

作者：甄建宇王清源赵瑞华刘金王凯电子科技大学成都610054 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,... 详细信息

分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片。测试结果表明,在DC～2 GHz频带内,衰减步进1 dB,最大衰减量63 dB,插入损耗小于1.7 dB,衰减精度小于±0.1 dB@1 dB～4 dB;小于±0.8 dB@8 dB～32 dB;小于±1.3 dB@48 dB～63 dB,两个端口在所有态下的驻波比小于1.2∶1。单片数控衰减器芯片尺寸为3.0 mm×2.0 mm,控制电压为0和5 V。

关键词：大衰减量数控衰减器正电控制微波单片集成电路数模混合

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一种正电控制低温漂单片数控衰减器

半导体技术 2014年第1期39卷 46-50页

作者：韩玉鹏赵国庆赵瑞华王凯甄建宇西安电子科技大学电子工程学院西安710071 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 电子科技大学物理电子学院成都610054

数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围，因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6bit数控衰减器，各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构，并通过对衰减结构的合理构建，在不采用电平转换驱... 详细信息

数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围，因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6bit数控衰减器，各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构，并通过对衰减结构的合理构建，在不采用电平转换驱动器的情况下，成功实现正电控制，面积得到进一步缩小。对电路进行了仿真与优化，采用GaAs工艺技术完成了流片，测试结果表明，在2．4～8GHz频带内，参考态插入损耗小于4．0dB；衰减精度小于±1dB@31．5dB；回波损耗小于-15dB；衰减量在高温或低温时较常温时的偏差控制在0．3dB以内；各衰减位为0．5，1，2，4，8和16dB，最大衰减量为31．5dB。单片数控衰减器芯片最终尺寸为2．9mm×1．3mm，控制电压为0V和5V。

关键词：低温漂数控衰减器正电控制单片微波集成电路(MMIC) 砷化镓

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一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器

微电子学 2018年第2期48卷 232-236页

作者：刘凡熊翼通刘志伟电子科技大学成都610054 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

提出了一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器。采用一种改进型开关T型衰减网络,实现了2dB与4dB的衰减位。网络在整个带宽内具有良好的附加相位特性。其他各衰减位采用了基于传输线的相位补偿结构。该6位单片数控衰减器基于0.25μm G... 详细信息

提出了一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器。采用一种改进型开关T型衰减网络,实现了2dB与4dB的衰减位。网络在整个带宽内具有良好的附加相位特性。其他各衰减位采用了基于传输线的相位补偿结构。该6位单片数控衰减器基于0.25μm GaAs工艺进行流片与验证,芯片面积为(2.2×1.4)mm^2。测试结果表明,在整个带宽内,该数控衰减器的插损小于4.1dB,输入输出回波损耗小于-10.7dB,RMS幅度误差小于0.26dB,RMS相位误差小于2.4°。

关键词：数控衰减器低附加相位微波IC

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DC～20GHz宽带单片数控衰减器

半导体技术 2009年第3期34卷 287-290页

作者：刘志军方园高学邦吴洪江中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC～20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波... 详细信息

介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC～20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波比≤1.5∶1。通过设计结果和测试结果对比,表明本单片的设计方法可行。最终,单片电路流片一次成功,实现了设计目标。电路尺寸为2.7mm×1.4mm×0.1mm,控制电压为0V和-5V,无直流功耗。

关键词：宽带衰减附加相移微波单片集成电路数控衰减器电磁仿真

2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片

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半导体技术 2013年第4期38卷 254-258页

作者：刘志军陈凤霞高学邦崔玉兴吴洪江中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端... 详细信息

在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号。电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm。在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高。

关键词：增强耗尽型均方根衰减误差 TTL 数控衰减器赝配高电子迁移率晶体管