检索结果-南通市图书馆

半导体技术 2018年第4期43卷 250-254,265页

作者：方园高学邦韩芹刘会东中国电子科技集团公司第十三研究所

基于标准的GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成电路（MMIC）工艺设计并制备了一款宽带收发一体多功能电路芯片。该多功能芯片包含了功率放大器、低噪声放大器和收发开关。放大器采用电流复用拓扑结构实现了低功耗的目标... 详细信息

基于标准的GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成电路（MMIC）工艺设计并制备了一款宽带收发一体多功能电路芯片。该多功能芯片包含了功率放大器、低噪声放大器和收发开关。放大器采用电流复用拓扑结构实现了低功耗的目标。收发开关采用浮地结构避免了使用负电源。芯片在14~24 GHz工作频率的实测结果显示：接收支路噪声系数小于3.0 dB,增益大于18 dB,输入及输出电压驻波比（VSWR）均小于2.0,1 dB压缩点输出功率大于0 dBm,直流功耗为60 mW;发射支路增益大于21 dB,输入输出VSWR均小于1.8,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,直流功耗为180 mW。芯片尺寸为2 600μm×1 800μm。该多功能收发电路的在片测试结果和仿真结果一致,性能达到了设计要求。

关键词：收发一体多功能电路 GaAs单片微波集成电路(MMIC) 宽带电流复用浮地

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