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文献类型

  • 4 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 4 篇 计算机科学与技术...

主题

  • 4 篇 擦写过程
  • 1 篇 磁盘
  • 1 篇 软盘
  • 1 篇 黑屏
  • 1 篇 掉电
  • 1 篇 eeprom
  • 1 篇 bios升级
  • 1 篇 陷阱俘获电荷
  • 1 篇 存储单元
  • 1 篇 主板厂商
  • 1 篇 bios
  • 1 篇 隧道氧化层
  • 1 篇 电脑
  • 1 篇 flash
  • 1 篇 死机
  • 1 篇 华硕
  • 1 篇 正常启动
  • 1 篇 版本
  • 1 篇 电流模型

机构

  • 1 篇 清华大学
  • 1 篇 信息产业部无锡微...

作者

  • 1 篇 张国华
  • 1 篇 蒋志
  • 1 篇 朱钧
  • 1 篇 王万业
  • 1 篇 曾莹
  • 1 篇 叶守银
  • 1 篇 许居衍
  • 1 篇 刘寅
  • 1 篇 小年
  • 1 篇 于宗光
  • 1 篇 徐征
  • 1 篇 黄卫

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=擦写过程"
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FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
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电子学报 2000年 第5期28卷 68-70,67页
作者： 于宗光 徐征 叶守银 张国华 黄卫 王万业 许居衍 信息产业部无锡微电子科研中心 无锡214035
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现... 详细信息
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FLASH存储单元擦写过程中的电流分析
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微电子学与计算机 1999年 第3期16卷 32-35页
作者： 刘寅 朱钧 曾莹 蒋志 清华大学微电子学研究所
文章将讨论不挥发存储器单元－ＦＬＡＳＨ的擦写过程，包括对擦写原理的描述，重点对其擦写过程中的电流进行分析，建立了适用于该单元的电流模型，并结合本所工艺线的实验单元进行测试，对所建立的模型和理论进行验证。
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全面接触BIOS
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电脑爱好者 2000年 第18期 62-68页
作者： 小年
自从去年笔者在本刊连续发表了“升级BIOS的每一步”、“识别您主板的身份”等文章以后,不断接到全国各地朋友的来信,纷纷就自己在升级BIOS的过程中遇到的问题进行咨询。 为了解答这些朋友们的问题,笔者又特意撰写此文,供大家参考。 文... 详细信息
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BIOS升级失败
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软件 2005年 第7期26卷 91-91页
升级BIOS时，在BIOS擦写过程中主机掉电，电脑不能正常启动，开机后，BIOS自检发出一声长鸣，然后黑屏死机。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
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