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中国数学力学物理学高新技术交叉研究学会第十二届学术年会

作者：宋庆功王延峰康建海严慧羽中国民航大学理学院河北工业大学理学院

介绍了用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法研究插层化合物 LiJiS系列的结构、能量性质、能带结构和电子结构的工作。理论结果与实验结果吻合较好, 表明用基于 DFT 的第一性原理方法研究有序 LiTiS系统的是可行的。

关键词：插层化合物有序-无序相变第一性原理计算

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石墨插层化合物的结构与特性

河北理工学院学报 1999年第4期21卷 67-72页

作者：魏环宋庆功

概述了石墨插层化合物的结构特征和主要物理与化学特性，介绍了这类新型材料的应用前景。

关键词：插层化合物晶体结构石墨撬支化合物物理性能

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FeCl3-石墨插层化合物的XPS研究

FeCl3-石墨插层化合物的XPS研究

C_X^+.HSO_4^-插层化合物结构模型的研究

2008全国功能材料科技与产业高层论坛

作者：张艳刘旭光许并社太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室太原理工大学材料科学与工程学院太原理工大学化学化工学院

以氯化铁(FeCl)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了氯化铁(FeCl)-石墨的插层化合物(GICs)。运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物。结果表明:经热处理后,在石墨和FeCl的比例为1∶1.7时,FeCl与石墨形成了纯五阶的石墨的插层化合物。... 详细信息

以氯化铁(FeCl)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了氯化铁(FeCl)-石墨的插层化合物(GICs)。运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物。结果表明:经热处理后,在石墨和FeCl的比例为1∶1.7时,FeCl与石墨形成了纯五阶的石墨的插层化合物。XRD分析表明,对网状层面结构的天然石墨,可以利用物理的方法使一些非碳反应物(原子、分子、离子、或粒子团)插入石墨层间,从而改变石墨的层面结构,使产物出现新的物理性质和化学性质。X射线光电子能谱(XPS)分析和表征了Fe离子以三价的形式存在于石墨插层化合物中。

关键词：石墨 FeCl3 插层化合物 XPS

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合肥工业大学学报（自然科学版） 2001年第5期24卷 991-993页

作者：朱继平合肥工业大学材料科学与工程学院安徽合肥230009

通过水热法成功地合成了 C+ .X HSO4- 插层化合物 ,在前人工作的基础上设计了石墨硫酸插层化合物的结构模型。较好地解释了 C+ .X HSO4- 插层化合物中各原子的排布方式 ,并通过 X射线 ( 0 0 L )衍射得到验证。从而为 C+ .X HSO4- 插层... 详细信息

通过水热法成功地合成了 C+ .X HSO4- 插层化合物 ,在前人工作的基础上设计了石墨硫酸插层化合物的结构模型。较好地解释了 C+ .X HSO4- 插层化合物中各原子的排布方式 ,并通过 X射线 ( 0 0 L )衍射得到验证。从而为 C+ .X HSO4- 插层化合物结构研究提供理论指导。

关键词： Cx^-HSO4^- 插层化合物结构模型水热法石墨硫酸原子排布方式石墨插层化合物

自洽LMTO-ASA方法计算插层化合物MTiS2（M=Li,Fe）电子结构（英文）

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固体电子学研究与进展 1989年第4期 476-476页

作者：冯先意,钟列平武汉大学物理系武汉大学物理系

The band structures and density of state function of layered material 1T-TiS2 and its intercalation compounds, LiTiS2 and FeTiS2, are calculated by a self-consistent LMTO-ASA. method. The results show that the ideal crystal1T-TiS2 is a semiconductor -with a narrow energy gap of about 0.49eV, and the intercalation compounds, LiTiS2 and FeTiS2, both have metal charateristics. These are generally in good agreement with the available experimental measurements. The features of electronic structures obtained are discussed and compared with other calculations. In our approaches an empty sphere model is used for the material with open structure,such as 1T-TiS2. The suitable ratio of atomic sphere radii for constituent elements is extremely concerned here to obtain reasonable results.

关键词：插层化合物 LMTO-ASA M=Li,Fe MTiS2 自洽电子结构

三氯化铁基少层石墨烯插层化合物边界处的新奇性质

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科技导报 2015年第5期33卷 3-3页

少层石墨烯插层化合物是将不同的原子或分子插入少层石墨烯层间,形成一层新的插层剂层的复合材料。插层剂的存在使得石墨烯层间距增大,同时不同插层剂也让石墨烯层的自由载流子发生迁移,从而得到具有不同电学、热学和磁学等性质的化合... 详细信息

少层石墨烯插层化合物是将不同的原子或分子插入少层石墨烯层间,形成一层新的插层剂层的复合材料。插层剂的存在使得石墨烯层间距增大,同时不同插层剂也让石墨烯层的自由载流子发生迁移,从而得到具有不同电学、热学和磁学等性质的化合物。同时,由于少层石墨烯拥有与单层石墨烯近似的优越的机械、电学、光学等性质,因此少层石墨插层化合物在电极、超导、催化剂、储氢、

关键词：石墨烯插层化合物自由载流子石墨层插层剂铁基拉曼层间结构载流子浓度岛状

含镧系元素Keggin结构杂多阴离子插层化合物的合成新途径

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东北师大学报（自然科学版） 1996年第3期28卷 122-122页

作者：贺庆林胡长文张洪业谢告雪张云峰王恩波东北师范大学化学系

含镧系元素Ｋｅｇｇｉｎ结构杂多阴离子插层化合物的合成新途径贺庆林，胡长文，张洪业，谢告雪，张云峰，王恩波（东北师范大学化学系，长春，１３００２４）单取代型Ｋｅｇｇｉｎ结构杂多阴离子插层化合物Ｚｎ：ＡＩ－ＸＷ；；Ｚ，已... 详细信息

含镧系元素Ｋｅｇｇｉｎ结构杂多阴离子插层化合物的合成新途径贺庆林，胡长文，张洪业，谢告雪，张云峰，王恩波（东北师范大学化学系，长春，１３００２４）单取代型Ｋｅｇｇｉｎ结构杂多阴离子插层化合物Ｚｎ：ＡＩ－ＸＷ；；Ｚ，已通过Ｚｎ２ＡＩ－ＮＯ。与ＸＷ；；Ｚ...

关键词：镧系元素 Keggin结构杂多阴离子插层化合物

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高氯酸—石墨插层化合物的X射线衍射研究

南开大学学报（自然科学版） 1990年第4期4卷 52-56页

作者：刘道志蓝国祥南开大学天津

采用三氯化铁为插层剂,我国成功合成两层以上一阶次的石墨烯插层化合物

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传感器世界 2011年第6期17卷 40-40页

在科技部重大科学研究计划和国家自然科学基金的支持下，中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室谭平恒研究员研究组和英国剑桥大学Ferrari博士研究小组合作，利用三氯化铁为插层剂，成功合成了两层以上一阶次石墨烯插层化合物... 详细信息

在科技部重大科学研究计划和国家自然科学基金的支持下，中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室谭平恒研究员研究组和英国剑桥大学Ferrari博士研究小组合作，利用三氯化铁为插层剂，成功合成了两层以上一阶次石墨烯插层化合物。通过控制反应条件和后处理方式，所合成的石墨烯插层化合物基本实现了石墨烯的完全掺杂，

关键词：插层化合物三氯化铁插层剂石墨合成阶次国家自然科学基金半导体超晶格