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机构

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作者

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语言

  • 17 篇 中文
检索条件"主题词=掺氧"
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基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径
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物理 2005年 第4期34卷 293-299页
作者： 李延辉 刘技文 赵燕平 李昌龄 李娟 天津理工大学材料物理研究所 天津300191 天津理工大学材料科学与工程学院 天津300191
掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器,更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径,已成为研究的热点之一.文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理,指出了制约实用化方面存在的问题.从不同方面着重探讨... 详细信息
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半绝缘多晶硅在大功率开关管3DK106中的应用
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半导体技术 1994年 第6期10卷 45-48页
作者： 张京俊 邹秋芝 邓子龙 陶广斌 吕秀昭 哈尔滨晶体管厂
介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ－ＳＩＰＯＳ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ－ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法、生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
新型n型金属—绝缘层—半导体（MIS）太阳电池的研究
新型n型金属—绝缘层—半导体（MIS）太阳电池的研究
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作者： 谷书辉 河北工业大学
学位级别：硕士
能源短缺和环境污染推动了太阳电池的快速发展,开发低成本、低能耗和高转换效率的太阳电池具有重要意义。新型n型金属-绝缘层-半导体(MIS)太阳电池因具备了上述要求而备受国内外关注。MoO空穴传输层作为电池重要的部分,对电池的性能提... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
FEA用的非晶态金刚石碳薄膜
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光电技术 2003年 第2期44卷 41-43页
作者： 季旭东 华东电子集团公司，南京210028
文章对用于FEA的非晶态金刚石碳膜的制备、测量、场致发射特性以及发射性能改良的掺氧非晶态金刚石碳薄膜作了介绍。
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提升倾动炉复杂原料冶炼能力研究实践
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铜业工程 2018年 第4期 52-55页
作者： 官样昌 江西铜业集团公司贵溪冶炼厂 江西贵溪335424
随着原料市场结构变化,倾动炉入炉物料变得日趋复杂,各种高杂物料明显增多,不仅影响产品质量,更影响倾动炉的稳定顺行。通过对倾动炉杂铜冶炼实践研究,采取优化配料方式,掺氧助熔,强化熔池传氧,氧化期局部掺氮等措施,提升了倾动炉应对... 详细信息
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高岭石基掺N纳米TiO_2的制备及对农药的降解研究
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环境科技 2010年 第5期23卷 12-13,17页
作者： 李艳霞 王岩 上海东振环保工程技术有限公司 上海201203
采用溶胶-凝胶法制备高岭石基掺N纳米TiO2,利用FTIR,SEM等技术对样品进行表征,结果表明N取代氧晶格中的部分氧原子位,与Ti键合形成Ti-N键,纳米TiO2均匀分布在高岭石表面。利用高岭石基掺N纳米TiO2在氙灯下处理敌敌畏农药,取得较好的降... 详细信息
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真空薄膜SIPOS工艺与应用
真空薄膜SIPOS工艺与应用
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江苏省真空学会第十一届学术交流会
作者： 俞诚 李建立 吴丹 吉鹏程 刘文龙 黄强 江苏江阴新顺微电子公司 江苏江阴新顺微电子公司 江苏江阴新顺微电子公司 江苏江阴新顺微电子公司 江苏江阴新顺微电子公司 江苏江阴新顺微电子公司
反向击穿电压较高的半导体器件,一般多为台面工艺采用玻璃钝化, 但这种工艺有不少弊端。因此人们一直在努力使高耐压半导体器件工艺平面化。而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。真空薄膜半绝缘多晶硅SIPOS 的开发几乎与高压... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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