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  • 4 篇 期刊文献

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学科分类号

  • 4 篇 工学
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主题

  • 4 篇 掺氧半绝缘多晶硅
  • 2 篇 lpcvd
  • 2 篇 钝化
  • 1 篇 功率型半导体晶体...
  • 1 篇 实验研究
  • 1 篇 低压化学气相沉积
  • 1 篇 薄膜淀积
  • 1 篇 沉积速率
  • 1 篇 性能
  • 1 篇 平面工艺
  • 1 篇 铝迁移
  • 1 篇 氧含量
  • 1 篇 薄膜
  • 1 篇 实验设计

机构

  • 1 篇 东南大学
  • 1 篇 西安交通大学
  • 1 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 中日合资扬州晶新...
  • 1 篇 海军装备部军械保...
  • 1 篇 北京航空航天大学
  • 1 篇 扬州大学

作者

  • 1 篇 陈荣发
  • 1 篇 谢劲松
  • 1 篇 朱秉升
  • 1 篇 魏敦林
  • 1 篇 翁璐
  • 1 篇 赵毅红
  • 1 篇 吕卫民
  • 1 篇 胡冬
  • 1 篇 郝跃
  • 1 篇 刘伯实
  • 1 篇 刘红侠

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=掺氧半绝缘多晶硅"
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半绝缘多晶硅薄膜的钝化与性能研究
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真空 2004年 第6期41卷 8-11页
作者： 赵毅红 陈荣发 刘伯实 扬州大学机械工程学院 江苏扬州225009 中日合资扬州晶新微电子有限公司 江苏扬州225000
通过LPCVD的方法,在Si基体表面制备了掺氧半绝缘多晶硅薄膜(SIPOS),分析了钝化机理,讨论了不同流量比与沉积速率、含氧量的关系以及SIPOS膜的含氧量对膜系结构、电阻率、折射率的性能影响,获得了最佳钝化条件,测试结果表明SIPOS薄膜晶... 详细信息
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平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验
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北京航空航天大学学报 2011年 第12期37卷 1515-1518页
作者： 吕卫民 胡冬 谢劲松 翁璐 北京航空航天大学可靠性与系统工程学院 北京100191 海军装备部军械保障部 北京100841
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同... 详细信息
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LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究
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西安电子科技大学学报 2000年 第3期27卷 309-311页
作者： 刘红侠 郝跃 朱秉升 西安电子科技大学微电子所 陕西西安710071 西安交通大学电子工程系 陕西西安710049
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .
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SIPOS薄膜工艺及其稳定性研究
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电子与封装 2009年 第7期9卷 37-41页
作者： 魏敦林 东南大学IC学院 南京210096
SIPOS半绝缘多晶硅薄膜在分立式器件特别是一些高压器件的钝化中有着广泛的应用,其不仅能够提升器件的反向击穿电压,而且也极大地提高了器件的可靠性。文章阐述了SIPOS薄膜的器件钝化机理,工艺过程中各参数对薄膜特性及应用的影响。同... 详细信息
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