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掺杂剂含量对钽粉性能的影响

有色金属:冶炼部分 2023年第11期 75-78页

作者：赵春霞雒国清赵勇刚宁夏东方钽业股份有限公司宁夏石嘴山753000 宁夏中色金航钛业有限公司宁夏石嘴山753000

分析了掺杂剂对电容器级钽粉性能的影响,重点分析了不同掺杂剂含量下钽粉的物理性能、化学成分及电性能的变化。研究表明,在相同的工艺条件下,随着掺杂剂含量的增加,钽粉的氧含量有增加趋势,钽粉的松装密度、费氏粒径呈降低趋势,-0.043... 详细信息

分析了掺杂剂对电容器级钽粉性能的影响,重点分析了不同掺杂剂含量下钽粉的物理性能、化学成分及电性能的变化。研究表明,在相同的工艺条件下,随着掺杂剂含量的增加,钽粉的氧含量有增加趋势,钽粉的松装密度、费氏粒径呈降低趋势,-0.043 mm细粉含量有所增加,漏电流、容量呈上升趋势,收缩率、击穿电压呈下降趋势。

关键词：钽粉掺杂剂物理性能化学成分电性能

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掺杂剂对SnO2基导电膜性能的影响

中国有色金属学报 2020年第11期30卷 2648-2657页

作者：樊琳许珂敬张衡魏春城山东理工大学材料科学与工程学院淄博255000

以SnCl4·5H2O和SnCl2·2H2O为Sn源,分别以SnF2、SbCl3和La(NO3)3·6H2O为掺杂剂,采用溶胶−凝胶−气相沉积法制备了SnO2基导电膜,主要研究掺杂剂的掺入对薄膜的表面形貌、微观晶体结构及光电性能的影响,探讨其掺杂机理。通过四探针电阻率... 详细信息

以SnCl4·5H2O和SnCl2·2H2O为Sn源,分别以SnF2、SbCl3和La(NO3)3·6H2O为掺杂剂,采用溶胶−凝胶−气相沉积法制备了SnO2基导电膜,主要研究掺杂剂的掺入对薄膜的表面形貌、微观晶体结构及光电性能的影响,探讨其掺杂机理。通过四探针电阻率/方阻测试仪、双光束紫外可见分光光度计、扫描电子显微镜、X射线粉末衍射仪和X射线光电子能谱分析系统等设备对SnO2基导电膜进行测试分析。结果表明:采用3种掺杂剂制备的SnO2基导电膜均为四方金红石结构,其表面形貌分别为金字塔状、贝壳状以及不规则多面体状。其中SnO2:Sb导电膜的性能最好,当以掺杂量为12%(摩尔比)的SbCl3为掺杂剂时,SnO2基导电膜的电阻率为1.36×10^−3Ω·cm,透射率为78.9%,综合光电性能指数为61.87×10^−4Ω−1。另外,不同掺杂元素的掺杂类型不同,对能级结构、晶胞结构、表面形貌、综合光电性能的影响也不同,且n型掺杂剂改性效果优于p型掺杂剂。

关键词： SnO2基导电膜光电性能掺杂剂掺杂机理

掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响

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物理学报 2015年第9期64卷 450-455页

作者：张越赵剑董鹏田达晰梁兴勃马向阳杨德仁浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江金瑞泓科技股份有限公司宁波315800

对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的.基于密度泛函理论的第一性... 详细信息

对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的.基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明:与磷原子相比,锑原子是更有效的空位俘获中心,从而抑制空位与自间隙硅原子的复合.因此,在经历相同的热氧化时,氧化产生的自间隙硅原子与空位复合后所剩余的数量在重掺锑硅片中的更多,从而导致OSF更长.

关键词：掺杂剂点缺陷氧化诱生层错直拉硅

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非磁性/磁性掺杂剂对SnO体系的性能调控

四川大学学报(自然科学版) 2023年 164-177页

作者：高禹郭华忠四川大学物理学院

本文通过第一性原理计算在GGA+U框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质.计算得到的形成能结果表明,V元素单掺杂体系比L... 详细信息

本文通过第一性原理计算在GGA+U框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质.计算得到的形成能结果表明,V元素单掺杂体系比Li元素单掺杂体系更稳定.其中,VO存在的掺杂体系稳定性更高,而VSn对掺杂体系的稳定性不利.磁性分析表明,Li掺杂体系的磁矩大于V掺杂体系的磁矩.当有点缺陷存在时,VSn的加入显著提高了掺杂体系的磁性,而VO对非磁性金属元素/磁性金属元素掺杂体系的磁性影响不同:当VO存在于Li掺杂体系时,Li原子周围的O原子自旋极化减少,因此导致磁矩降低;当V掺杂体系中有VO存在,磁性不仅来源于V原子的自旋极化,同时来源于VO周围的O原子的自旋极化,因此磁矩增大.结合电子结构分析可知,Li掺杂体系的磁性是由O-p和Li-p轨道之间的双交换作用产生的,V掺杂体系的磁性是由O-p和V-d轨道之间的双交换作用产生的.键合分析发现VO的存在可以提高两种金属掺杂体系键(Li-O和V-O)的共价性.在可见光区域内,Sn15LiO32和Sn15VO32具有较高的光学透明度.以上这些结果为非磁性金属元素(Li)和磁性金属元素(V)及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2在自旋电子器件中的应用提供了新的思路.

关键词：第一性原理掺杂剂点缺陷电子结构磁性光学性质

非磁性/磁性掺杂剂对SnO_(2)体系的性能调控

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四川大学学报:自然科学版 2023年第5期60卷 157-170页

作者：高禹郭华忠四川大学物理学院成都610065

本文通过第一性原理计算在GGA+U框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(V_(O)/V_(Sn))掺杂SnO_(2)基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质.计算得到的形成能结果表明,V元素单... 详细信息

本文通过第一性原理计算在GGA+U框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(V_(O)/V_(Sn))掺杂SnO_(2)基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质.计算得到的形成能结果表明,V元素单掺杂体系比Li元素单掺杂体系更稳定.其中,V_(O)存在的掺杂体系稳定性更高,而VSn对掺杂体系的稳定性不利.磁性分析表明,Li掺杂体系的磁矩大于V掺杂体系的磁矩.当有点缺陷存在时,VSn的加入显著提高了掺杂体系的磁性,而V_(O)对非磁性金属元素/磁性金属元素掺杂体系的磁性影响不同:当V_(O)存在于Li掺杂体系时,Li原子周围的O原子自旋极化减少,因此导致磁矩降低;当V掺杂体系中有V_(O)存在,磁性不仅来源于V原子的自旋极化,同时来源于V_(O)周围的O原子的自旋极化,因此磁矩增大.结合电子结构分析可知,Li掺杂体系的磁性是由O-p和Li-p轨道之间的双交换作用产生的,V掺杂体系的磁性是由O-p和V-d轨道之间的双交换作用产生的.键合分析发现V_(O)的存在可以提高两种金属掺杂体系键(Li-O和V-O)的共价性.在可见光区域内,Sn_(15)LiO_(32)和Sn_(15)VO_(32)具有较高的光学透明度.以上这些结果为非磁性金属元素(Li)和磁性金属元素(V)及相应的点缺陷(V_(O)/VSn)掺杂SnO_(2)在自旋电子器件中的应用提供了新的思路.

关键词：第一性原理掺杂剂点缺陷电子结构磁性光学性质

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不同掺杂剂对磷矿碳热还原反应的影响

化工进展 2020年第12期39卷 5112-5118页

作者：郑光亚曹任飞夏举佩梅毅陈正杰昆明理工大学化学工程学院云南昆明650500 云南省磷化工节能与新材料重点实验室云南昆明650093 云南省高校磷化工重点实验室云南昆明650500 昆明理工大学化学冶金与能源工程学院云南昆明650093

对比分析了分别以K2CO3、Na2CO3、NiSO4、K2CO3-NiSO4为掺杂剂的不同磷矿碳热还原反应体系,结果表明,1200℃时,掺杂碱金属的体系由于其更易产生液相,利于扩散,因此,其反应进度比其他体系略好;对比掺杂物体系和无掺杂体系的各温度XRD图... 详细信息

对比分析了分别以K2CO3、Na2CO3、NiSO4、K2CO3-NiSO4为掺杂剂的不同磷矿碳热还原反应体系,结果表明,1200℃时,掺杂碱金属的体系由于其更易产生液相,利于扩散,因此,其反应进度比其他体系略好;对比掺杂物体系和无掺杂体系的各温度XRD图谱可知,掺杂物只是强化了反应的进度,并未有新的物质产生。添加掺杂物后残渣的流动温度也有明显差异,1250℃时,掺杂碱金属的残渣其流动温度较低,而随着温度的升高,残渣的流动温度均下降;但1350℃时,混合掺杂体系和掺杂硫酸镍体系的流动温度却低于碱金属体系;从1300℃下残渣的SEM图谱分析可知,具有掺杂物体系的残渣外观形态与无掺杂体系基本一致,说明添加掺杂物并没改变残渣的外观形态,均是固体残渣,符合窑法磷酸固态排渣的要求。

关键词：窑法磷酸掺杂剂磷矿碳热还原

掺杂剂和调节剂在离子迁移谱检测毒害物质中的应用研究进展

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防化研究

防化研究 2023年第1期2卷 1-8页

作者：杨柳郭腾霄杨俊超张根伟赵将国民核生化灾害防护国家重点实验室北京102205

离子迁移谱(Ion Mobility Spectrometry,IMS)技术是现场检测化学毒害物质的主要技术之一,除了优化传感器硬件参数外,使用掺杂剂和调节剂是提升离子迁移谱技术检测性能的重要方法。综述了掺杂剂和调节剂在离子迁移谱检测化学毒剂、模拟... 详细信息

离子迁移谱(Ion Mobility Spectrometry,IMS)技术是现场检测化学毒害物质的主要技术之一,除了优化传感器硬件参数外,使用掺杂剂和调节剂是提升离子迁移谱技术检测性能的重要方法。综述了掺杂剂和调节剂在离子迁移谱检测化学毒剂、模拟剂等毒害物质中的应用,重点阐述其用于时间分辨离子迁移谱和非对称场离子迁移谱检测毒害物质的研究进展。最后,对掺杂剂和调节剂未来的开发和研究发展趋势进行了展望。

关键词：离子迁移谱掺杂剂调节剂检测毒害物质离子化

掺杂剂对氧化锌纳米组装体系形貌及性能的影响

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功能材料与器件学报 2022年第4期28卷 316-322页

作者：张秉义司伟丁超裴笠然大连交通大学材料科学与工程学院大连116028 大连市生态环境事务服务中心大连116023

目前,ZnO半导体材料在紫外激光器、气体传感器、场发射晶体管、光电探测器、压电传感器等光电子器件上已得到广泛的应用。但ZnO独特的结构缺陷即自补偿现象,限制了它在许多光电器件中的使用。本文综述了近年来主族金属离子、过渡金属离... 详细信息

目前,ZnO半导体材料在紫外激光器、气体传感器、场发射晶体管、光电探测器、压电传感器等光电子器件上已得到广泛的应用。但ZnO独特的结构缺陷即自补偿现象,限制了它在许多光电器件中的使用。本文综述了近年来主族金属离子、过渡金属离子、稀土元素离子等掺杂剂对ZnO纳米组装体系形貌及性能的影响,并对掺杂剂制备特殊形貌ZnO的发展方向和应用前景进行了展望,以期为制备性能优越的ZnO纳米材料提供参考。

关键词：掺杂剂氧化锌纳米材料组装体系

卟啉配合物空穴传输材料掺杂剂设计及光伏应用

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卟啉配合物空穴传输材料掺杂剂设计及光伏应用

作者：刘亚君兰州大学

学位级别：硕士

有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池具有制备工艺简单、成本低廉且光电转换效率高等优点,已经成为最有前途的太阳能电池之一。空穴传输层作为高效钙钛矿太阳能电池重要组成部分,不仅可以实现空穴的有效传输,而且还可以避免外界环境与钙钛矿... 详细信息

有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池具有制备工艺简单、成本低廉且光电转换效率高等优点,已经成为最有前途的太阳能电池之一。空穴传输层作为高效钙钛矿太阳能电池重要组成部分,不仅可以实现空穴的有效传输,而且还可以避免外界环境与钙钛矿层直接接触而导致的降解。然而,常用有机空穴传输材料电荷迁移率较低,为了提高电荷传输性能通常需要进行掺杂。但掺杂剂双(三氟甲磺酰)亚胺锂(Li-TFSI)的强吸水性和离子易迁移等特征严重影响电池器件长期稳定性。因此,开发新型、稳定的掺杂剂已经成为热门研究课题。卟啉因其较好的电荷传输性能和优异的稳定性有望成为一类潜在的有机空穴传输材料掺杂剂。所以,本论文设计合成一系列功能化卟啉金属配合物,将其作为常用有机空穴传输材料掺杂剂,促进空穴提取和传输。同时解决因掺杂Li-TFSI引起的电池器件不稳定问题,实现高效稳定钙钛矿太阳能电池的制备。研究内容分为以下几部分:(1)首先设计合成Mn卟啉配合物(Mn(OAc)P,Mn(Cl)P)对常用有机空穴传输材料酞菁进行掺杂。电池性能测试结果表明,虽然与未掺杂的电池相比,掺杂Mn卟啉的电池效率有所降低。但是Mn(Cl)P掺杂显著改善了空穴传输材料的疏水性,进而提高了电池器件的稳定性,为寻求新型卟啉掺杂剂以获得既高效又稳定的钙钛矿太阳能电池奠定基础。(2)进一步设计合成Fe(Ⅲ)卟啉配合物对有机空穴传输材料酞菁进行掺杂。实验结果表明,Fe(Ⅲ)卟啉的引入使空穴传输材料与钙钛矿的能级更加匹配,促进了空穴的传输。此外,Fe(Ⅲ)卟啉钝化了界面处的缺陷,进而减少了界面电荷的复合,提高了电池的性能和稳定性,为有机空穴传输材料掺杂剂的设计开发提供新策略。(3)为了证明Fe(Ⅲ)卟啉在常用有机空穴传输材料中具有良好的普适性,直接将其掺杂到Spiro-OMe TAD薄膜中作为表面电荷调制器,Fe(Ⅲ)卟啉进一步自组装形成氧桥二聚体基超分子分布在Spiro-OMe TAD薄膜晶界处。由于二聚体中表面极化子的振动耦合,改善了界面空穴的离域性和传输性能。这种方法有效地调节了Spiro-OMe TAD表面载流子传输行为,使空穴迁移率显著提高8倍,基于Fe(Ⅲ)卟啉掺杂Spiro-OMe TAD制备的电池表现出优异的性能和显著增强的稳定性。本工作通过表面载流子的调制来提高空穴传输材料的固有迁移率,为提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性提供了一种新策略。

关键词：钙钛矿太阳能电池有机空穴传输材料卟啉金属配合物掺杂剂