检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

掩模式脉冲YAG激光印标机

应用激光 1996年第4期16卷 169-170页

作者：沈玉明叶建华王颖蒋加文龚焕明上海市激光技术研究所

以大能量脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光为光源，以掩模缩微成像方式在工件表面完成一次性打印标记，印标高效清晰，完成了实用化整机一台。

关键词：激光印标掩模缩微成像激光技术

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

结合光学掩模调制的鼠眼像差精确测量

中国光学（中英文） 2023年第5期16卷 1100-1108页

作者：王亮孔文何益黄江杰史国华中国科学技术大学生物医学工程学院安徽合肥230026 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所江苏苏州215163

进行波前探测时,标准动物模型小鼠的眼底视网膜双层反射光会导致像差探测失效。为解决这一问题,本文提出了一种结合光学掩模调制的鼠眼像差测量方法,以期提高鼠眼波前像差测量精度。首先,根据鼠眼视网膜的关键参数,建立鼠眼波前像差探... 详细信息

进行波前探测时,标准动物模型小鼠的眼底视网膜双层反射光会导致像差探测失效。为解决这一问题,本文提出了一种结合光学掩模调制的鼠眼像差测量方法,以期提高鼠眼波前像差测量精度。首先,根据鼠眼视网膜的关键参数,建立鼠眼波前像差探测的光学系统模型并进行光学仿真。然后,分析比较不同孔径的光学掩模对视网膜非目标层反射光束的遮拦效果,确定光学掩模参数与实验方案。最后,搭建鼠眼波前像差探测系统并开展在体鼠眼波前像差的测量实验。实验结果表明:0.5 mm孔径的光学掩模可以将鼠眼波前像差的测量均方根误差降低74.9%,与理论仿真的80%区域实现非目标层反射光遮拦效果近似。本文研究实现了对鼠眼视网膜非目标层反射光的有效遮拦,提升了鼠眼波前像差探测精度,为进一步实现鼠眼高分辨率成像奠定了基础。

关键词：波前探测鼠眼像差掩模夏克—哈特曼波前传感器

维普期刊数据库博看期刊

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

32nm节点极紫外光刻掩模的集成研制

光学学报 2013年第10期33卷 320-326页

作者：杜宇禅李海亮史丽娜李春谢常青中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成研究室北京100029 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033

报道了国内首块用于极紫外投影光刻系统的6inch(1inch=2.54cm)标准极紫外光刻掩模。论述了32nm节点6inch标准极紫外光刻掩模的设计方案,及掩模衬底、反射层、吸收层材料的工艺特性研究,对缺陷控制及提高掩模效率的方法进行了分析。运用... 详细信息

报道了国内首块用于极紫外投影光刻系统的6inch(1inch=2.54cm)标准极紫外光刻掩模。论述了32nm节点6inch标准极紫外光刻掩模的设计方案,及掩模衬底、反射层、吸收层材料的工艺特性研究,对缺陷控制及提高掩模效率的方法进行了分析。运用时域有限差分法对掩模的光学特性进行了仿真,根据仿真结果确定合适的Cr吸收层厚度。运用电子束光刻技术进行了掩模的图形生成,针对其中的电子束光刻临近效应进行了蒙特卡罗理论分析,用高密度等离子体刻蚀进行了图形转移,所制造的掩模图形特征尺寸小于100nm,特征尺寸控制精度优于20nm,满足技术设计要求。

关键词： X射线光学极紫外投影光刻掩模电子束光刻 32 nm节点时域有限差分法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

分数阶微分掩模及其滤波器的构造

华南理工大学学报（自然科学版） 2011年第7期39卷 95-101页

作者：张意蒲亦非周激流四川大学计算机学院四川成都610065

基于整数阶微分定义的一阶图像增强模板在处理图像时会产生宽边缘,而二阶模板会同时增强纹理和噪声.为了避免整数阶微分模板所产生的副作用,根据分数阶微积分的Riemann-Liouville定义分析和推导了数字图像的1～2阶分数阶微分掩模,构造... 详细信息

基于整数阶微分定义的一阶图像增强模板在处理图像时会产生宽边缘,而二阶模板会同时增强纹理和噪声.为了避免整数阶微分模板所产生的副作用,根据分数阶微积分的Riemann-Liouville定义分析和推导了数字图像的1～2阶分数阶微分掩模,构造了基于该定义的1～2阶分数阶微分滤波器.仿真实验表明,该滤波器不仅可以保留平滑区域的低频轮廓信息,还可以非线性地增强图像中的高频边缘和高频的纹理信息,对于纹理信息的意义相对重要的图像而言,该滤波器具有独特的优势和良好的效果.

关键词：分数阶微分滤波器图像增强掩模

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

应用X射线光刻的微针阵列及掩模板补偿

光学精密工程 2010年第2期18卷 420-425页

作者：陈少军李以贵杉山进上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200240 日本立命馆大学微系统研究中心

提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状... 详细信息

提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状并非完全与掩模板上吸收体的形状一致。如果不对X光光刻掩模板的吸收体形状进行补偿,即会使被加工的微结构侧面变形,从而影响微针的性能。分析了微针阵列侧面变形的原因,认为这种变形是由于显影时间与曝光量之间的非线性关系导致结构形状与曝光量分布不完全一致造成的。利用PCT方法制作的PMMA微针其长度为100～750μm,直径为30～150μm,针尖的直径最小可达100nm。通过对LIGA掩模板上的吸收体图形进行适当的补偿,使吸收体图形从中空的双直角三角形变为中空的半椭圆图形,增强了带沟道的微注射针阵列的强度。

关键词： X射线光刻聚甲基丙烯酸甲酯三维微结构掩模吸收体

基于遗传算法的接近式紫外光刻中掩模补偿优化研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

系统仿真学报 2008年第17期20卷 4601-4604页

作者：李晓光沈连婠李木军郑津津张四海中国科学技术大学精密机械与精密仪器系合肥230027 中国科学技术大学计算机科学技术系合肥230027

针对接近式紫外光刻图形转移中的曝光形状失真问题,基于补偿思想,应用遗传算法,在引起衍射的掩模特征处,通过调整其形状,实现了光刻胶表面的衍射光场调制。根据光刻曝光轮廓特点,设计评价策略,提出一种分段分类的思想,减小了问题的求解... 详细信息

针对接近式紫外光刻图形转移中的曝光形状失真问题,基于补偿思想,应用遗传算法,在引起衍射的掩模特征处,通过调整其形状,实现了光刻胶表面的衍射光场调制。根据光刻曝光轮廓特点,设计评价策略,提出一种分段分类的思想,减小了问题的求解空间,快速优化了掩模设计图形。仿真结果表明优化补偿后的掩模图形降低了衍射造成的曝光图形的形状失真程度。该研究为如何提高接近式紫外光刻精度提供了一种新的思路。

关键词：接近式光刻遗传算法掩模优化掩模 UV-LIGA

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子束散射角限制投影光刻掩模研制

光电工程 2004年第4期31卷 13-16页

作者：杨清华陈大鹏叶甜春刘明陈宝钦李兵董立军中国科学院微电子研究所北京100029

掩模制作是电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL)的关键技术。通过优化工艺,制作出具有“纳米硅镶嵌结构”的低应力SiNx薄膜作为支撑;开发了电子束直写胶图形的加法工艺,在支撑薄膜上得到清晰的钨 / 铬散射体图形。研制出的SCALPEL掩模,... 详细信息

掩模制作是电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL)的关键技术。通过优化工艺,制作出具有“纳米硅镶嵌结构”的低应力SiNx薄膜作为支撑;开发了电子束直写胶图形的加法工艺,在支撑薄膜上得到清晰的钨 / 铬散射体图形。研制出的SCALPEL掩模,其晶片尺寸为80mm,图形线宽达到0.1m,经缩小投影曝光得到78nm的图形分辨力。

关键词：电子束光刻掩模投影光刻

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

50 nm X射线光刻掩模制备关键技术

核技术 2004年第2期27卷 96-98页

作者：董立军陈大鹏谢常青韩敬东叶甜春伊福廷彭良强韩勇张菊芳中国科学院微电子中心北京100010 中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室北京100039

X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困... 详细信息

X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm XRL 的掩模制备的关键技术。

关键词： X射线光刻掩模金刚石吸收体键合

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

极紫外投影光刻掩模阴影效应分析

光学学报 2012年第8期32卷 42-46页

作者：曹宇婷王向朝步扬刘晓雷中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室上海201800 中国科学院研究生院北京100049

极紫外(EUV)投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸(CD)都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿,得到了掩模(物方)最佳焦面位置和... 详细信息

极紫外(EUV)投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸(CD)都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿,得到了掩模(物方)最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模(物方)焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移;基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正,以目标CD为22nm的线条图形为例,入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3nm,但当目标CD继续减小时理论公式误差增大,需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。

关键词：光学制造极紫外投影光刻掩模阴影效应严格电磁场仿真