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50℃下室温连续振荡波长638nm的短波长半导体激光器

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光电子技术 1990年第4期 83-83页

作者：盛柏桢

日本东芝综合研究所的电子部品研究所研制成温度50℃下输出3 mW 连续振荡波长为638nm 的短波长半导体激光器。至今,日本电气公司已制成20℃下连续振荡波长为640nm的半导体激光器。现今波长接近 He-Ne 激光器(633nm),提高了可靠性。市售... 详细信息

日本东芝综合研究所的电子部品研究所研制成温度50℃下输出3 mW 连续振荡波长为638nm 的短波长半导体激光器。至今,日本电气公司已制成20℃下连续振荡波长为640nm的半导体激光器。现今波长接近 He-Ne 激光器(633nm),提高了可靠性。市售的半导体激光器波长为660nm。若缩短半导体激光器的波长,有可能提高光盘的记录密度。如换成 He-Ne 激光器,能缩小光学系统。阈值电流为100mA(25℃下)。束放射角:水平方向为7～8°;垂直方向为38°。AlGaInP 系是折射率波导型。由于电流集中在有源层中心区,代替以前的电流狭窄层,其结构是在 p 型接触层中埋入台面状的 p 型涂层。为此,减少在高温下成膜次数,控制涂层的杂质扩散,保证涂层的杂质浓度,能在50℃下连续振荡。

关键词：半导体激光器半导体光激射器振荡波长短波长 nm

室温连续振荡600nm波段短波长半导体激光器

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激光与光电子学进展 1986年第8期 23-24+39页

作者：赵伯林

波长630～670nm、室温(300K)连续振荡的半导体激光器的研究很活跃。用于取代氦-氖气体激光器(波长632.8nm)的半导体激光器已不再是幻想了。日本电气公司已试制了671nm连续振荡的半导体激光器。索尼、日本电信电话、立石电机、上智大学... 详细信息

波长630～670nm、室温(300K)连续振荡的半导体激光器的研究很活跃。用于取代氦-氖气体激光器(波长632.8nm)的半导体激光器已不再是幻想了。日本电气公司已试制了671nm连续振荡的半导体激光器。索尼、日本电信电话、立石电机、上智大学、工学

关键词：半导体激光器振荡波长日本电气半导体光激射器短波长 nm 波段

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六方铝酸镁镧激光晶体的最新进展

激光与红外 1988年第2期 9-15页

作者：孙昭性吕学身

本文扼要介绍六方铝酸镁镧系晶体结构、光谱特性、晶体生长、激光振荡特性以及最新进展。指出这种激光晶体不仅物化性能优异,而且荧光浓度猝灭效应弱,是一种很有前途的高功率激光基质。

关键词：激光晶体前途高功率激光强激光铝酸镁振荡波长最新进展

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激光与光电子学进展 1992年第7期 36-48页

战略平衡转变与经济萧条影响激光工业目前美国经济萧条,开始严重冲击一些领域和工业部门,并波及其他领域。新英格兰最早受到冲击,已大量削减国防项目和微型计算机。目前的经济萧条已蔓延到硅谷区的其他高技术公司,部分激光工业正遭受到... 详细信息

战略平衡转变与经济萧条影响激光工业目前美国经济萧条,开始严重冲击一些领域和工业部门,并波及其他领域。新英格兰最早受到冲击,已大量削减国防项目和微型计算机。目前的经济萧条已蔓延到硅谷区的其他高技术公司,部分激光工业正遭受到严重损失。激光工业已在战略防御倡议计划的高能激光武器重点转移中遭受损失。少数是拥有战略防御倡议大合同的激光公司,但多数是为从事这项工作的航天公司提供硬件,其他公司则经战略防御倡议局同意将尖端激光器售给研究人员。随着这些市场的萎缩,这些公

关键词：激光器市场激光波长激光工业电子工业准分子激光器二聚物激光器计算机全息图二极管泵浦激光系统振荡波长碰撞脉冲锁模调谐范围固体激光器非线性晶体准相位匹配光参量振荡器消息新闻

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激光与光电子学进展 1989年第2期 40-48页

新式光印刷机日本富士通研究所上月在新奥尔良召开的第4届非击式印刷机国际会议上发表了新研制成不用电晕带电的光印刷法。它将代替目前作为电子照相印刷的卡尔松法,该所把这种新方法称为"光背面记录法。"

关键词：染料激光器液体激光器激光束莱塞光束保偏光纤二极管泵浦激光谐振腔光谐振腔光学系统半导体激光器半导体光激射器激光倍频光纤材料激光脉冲振荡波长光纤传感器长波红外探测器消息新闻

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波长可调的激光器及其应用

激光与光电子学进展 1973年第Z1期 11-26页

序言激光器被认为是本世纪的最大发明之一,Schawlow和Townes的论文发表是1958年,Maiman的红宝石激光器、Javan等的He-Ne激光器振荡的相继成功是1960年,激光器自出现以来已经过了十几个年

关键词：激光器共振腔光激射器电子器件光参量振荡器振荡波长激光工作物质激光材料波长可调

光纤传输用的GaInAsP/InP注入式半导体激光器

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半导体光电 1979年第3期 92-100页

作者：山本杲也末松安晴郑广富

一、前言作为光纤传输系统用的光源,最近长波长(与0.8～0.9μm 的 Ga As 半导体激光器振荡波长相比)半导体激光器方面的研究工作迅速活跃起来。对此,可认为有如下的背景。(1)由于 Horiguchi,Osanai等人的努力,使导致光纤传输损耗大的主... 详细信息

一、前言作为光纤传输系统用的光源,最近长波长(与0.8～0.9μm 的 Ga As 半导体激光器振荡波长相比)半导体激光器方面的研究工作迅速活跃起来。对此,可认为有如下的背景。(1)由于 Horiguchi,Osanai等人的努力,使导致光纤传输损耗大的主要原因的OH 根含量得到降低,从而使传输损耗最小的波段向长波长方向移动,并使光纤的传输损耗得到进一步降低。最近,在1.2～1.4和1.5～1.6μn 波长区域获得了0.5db/km 的超

关键词：半导体激光器长波长半导体光激射器 GaInAsP/InP GaAs 振荡波长光纤传输