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电子与封装 2017年第11期17卷 44-48页

作者：刘佰清刘国柱吴健伟洪根深郑若成中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

基于抗辐射0.6μm CMOS工艺,对5 V/20 V&LV/HV NMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力≥500 krad(Si)高低压兼容的NMOS器件。重点研究了不同的栅氧化工艺对NMOS器件总剂量辐射电离效应的影响作用。... 详细信息

基于抗辐射0.6μm CMOS工艺,对5 V/20 V&LV/HV NMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力≥500 krad(Si)高低压兼容的NMOS器件。重点研究了不同的栅氧化工艺对NMOS器件总剂量辐射电离效应的影响作用。研究发现,在抗总剂量电离能力方面,湿法氧化工艺优于干法氧化工艺:即当栅氧厚度小于12.5 nm时,LVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移ΔV_(tn)受栅氧化方式的影响甚小;当栅氧厚度为26 nm时,HVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移ΔVtn受栅氧化方式及工艺温度的影响显著。在500 krad(Si)条件下,采用850℃湿氧+900℃干氧化方式的HVNMOS器件阈值电压漂移ΔV_(tn)比采用800℃湿氧氧化方式的高2倍左右。

关键词：栅氧化总剂量电离效应阈值电压漂移△Vtn

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Trench型N-Channel MOSFET低剂量率效应研究

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微电子学与计算机 2024年第5期41卷 134-139页

作者：徐海铭唐新宇徐政廖远宝张庆东谢儒彬洪根深中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

基于抗辐射100V Trench型N-Channel MOSFET开展了不同剂量率的总剂量辐射实验并进行了分析,创新性提出了器件随低剂量率累积以及不同偏置状态下的变化趋势和机理,给出了器件实验前后的转移曲线和直流参数,进行了二维数值仿真比较,证明... 详细信息

基于抗辐射100V Trench型N-Channel MOSFET开展了不同剂量率的总剂量辐射实验并进行了分析,创新性提出了器件随低剂量率累积以及不同偏置状态下的变化趋势和机理,给出了器件实验前后的转移曲线和直流参数,进行了二维数值仿真比较,证明了实验和仿真的一致性。研究表明:随高剂量率的剂量增加,器件阈值电压(V_(TH))发生了明显负向漂移现象,导通电阻(R_(DSON))出现5%左右的降低,击穿电压(BV_(DS))保持基本不变;低剂量率下总剂量效应与高剂量率有明显不同,阈值电压漂移量减小,同时出现正向漂移现象;此时导通电阻(R_(DSON))和击穿电压(BV_(DS))较高剂量率变化量进一步下降。研究认为,低剂量率下器件界面缺陷电荷增加变多,使得阈值电压的漂移方向发生改变,同时低剂量率实验周期是高剂量率的500倍,退火效应也较高剂量率的明显,导致器件参数辐射前后差异性减小。

关键词：槽型场效应管总剂量电离效应阈值漂移低剂量率

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90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究

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电子与封装 2018年第8期18卷 36-40,43页

作者：朱少立汤偲愉刘国柱曹立超洪根深吴建伟郑若成中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

研究了基于90 nm e FLASH工艺制备的浮栅型P-Channel FLASH单元的总剂量电离辐射效应,主要研究了FLASH单元随总剂量增加的变化规律及编程/擦除时间对FLASH单元抗总剂量能力的影响。研究表明:随着总剂量的增加,浮栅型P-FLASH器件"开"态... 详细信息

研究了基于90 nm e FLASH工艺制备的浮栅型P-Channel FLASH单元的总剂量电离辐射效应,主要研究了FLASH单元随总剂量增加的变化规律及编程/擦除时间对FLASH单元抗总剂量能力的影响。研究表明:随着总剂量的增加,浮栅型P-FLASH器件"开"态驱动能力(Idsat)、"关"态漏电(Ioff)及跨导(gm)未发生明显退化,但"擦除/编程"态的阈值窗口明显减小,且呈现"编程"态阈值电压(VTP)下降幅度较"擦除"态(VTE)快的特征;编程/擦除时间的增加会导致FLASH单元阈值电压漂移量,对编程态FLASH单元,编程时间的增大导致阈值电压漂移量增大,而对于擦除态器件FLASH单元,擦除时间的增加导致阈值电压漂移量减小。综上所述,总剂量的增加仅引起浮栅型P-FLASH单元阈值电压的漂移,即浮栅内电荷的转移;编程/擦除时间的增加导致FLASH单元阈值电压漂移量的差异,主要是由于编程/擦除应力时间的增加导致隧道氧化层及界面处陷阱电荷的引入所引起的。

关键词：浮栅型P-FLASH 总剂量电离效应编程/擦除时间阈值电压漂移

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CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究

CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究

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第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会

作者：李豫东郭旗陆妩余学峰何承发李茂顺兰博中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院研究生院

为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理,对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验,共选取了两种不同的电子通量,辐照后对器件进行了常温退火实验,实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功... 详细信息

为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理,对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验,共选取了两种不同的电子通量,辐照后对器件进行了常温退火实验,实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律,实验结果表明,CCD受电子辐照后主要产生总剂量电离损伤,在不同通量电子辐照下的损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。

关键词：线阵CCD 电子辐照不同通量总剂量电离效应时间相关效应

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