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快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 174-178页

作者：谢南伍冬刘辉高岑岑潘立阳清华大学微电子学研究所北京100084

在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方... 详细信息

在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。

关键词：快闪存储器阈值电压分布多电平

快闪存储器KM29N16000TS与单片微机的接口

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电子技术应用 1997年第3期23卷 41-43页

作者：曹玉珍丁北生关红彦天津大学精仪学院 300072

介绍快闪存储器KM29N1600OTS的特性及其与单片机的接口和编程方法

关键词：快闪存储器单片机接口

一种适用于NOR结构快闪存储器的快速页编程算法

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电路与系统学报 2008年第4期13卷 116-119页

作者：伍冬潘立阳杨光军朱钧清华大学微电子学研究所北京100084

为了降低NOR结构快闪存储器的编程时间,本文提出一种能够根据编程数据的特点改变编程脉冲时序的快速页编程算法。它通过一个简单的判断电路对输入的编程数据中"1"的个数进行判断,并在状态机的控制下产生具有最小编程时间的页编程脉冲时... 详细信息

为了降低NOR结构快闪存储器的编程时间,本文提出一种能够根据编程数据的特点改变编程脉冲时序的快速页编程算法。它通过一个简单的判断电路对输入的编程数据中"1"的个数进行判断,并在状态机的控制下产生具有最小编程时间的页编程脉冲时序,从而达到缩短页编程时间的目的。统计结果表明,本算法的页编程时间不到传统方法的70%。

关键词：快闪存储器 NOR结构编程算法状态机

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嵌入式低压低功耗新型快闪存储器电路研究

嵌入式低压低功耗新型快闪存储器电路研究

作者：段志刚清华大学

学位级别：硕士

本论文针对低压低功耗的嵌入式快闪存储器,采用我们提出并研制的新型快闪存储器技术,设计了高性能的128K Bit快闪存储器。由于其采用了源极诱导带带隧穿热电子注入SIBE(Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron Injection)... 详细信息

本论文针对低压低功耗的嵌入式快闪存储器,采用我们提出并研制的新型快闪存储器技术,设计了高性能的128K Bit快闪存储器。由于其采用了源极诱导带带隧穿热电子注入SIBE(Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron Injection) 的编程机理和独特的系统电路设计,使得该快闪存储器(SIBE Flash)达到了在嵌入式应用中高编程速度、高读取速度和低压低功耗的要求。论文根据SIBE Flash单元特性和其对电路的独特要求,确定了存储器的系统架构、阵列架构。论文还首次设计了适用于SIBE Flash的高速读取通路和高速页编程通路,并且对高压的产生和管理,参考源电路等进行了设计和优化。同时提出了一种利用SIBE自收敛特性进行验证的高速擦除算法。最后,论文对SIBE Flash宏单元电路的物理版图设计进行了研究。相关研究表明该存储器具有低编程电压、低编程功耗、高编程速度、高访问速度、高可靠性的优点,在低压低功耗嵌入式快闪存储器产品中有着广阔的应用前景。

关键词：低压低功耗快闪存储器高速读取通路高速页编程通路高速擦除算法

同方学位论文库评论

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金属纳米晶快闪存储器研究进展

微电子学 2007年第3期37卷 369-373页

作者：张敏丁士进陈玮张卫专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海201203

金属纳米晶具有态密度高、费米能级选择范围广以及无多维载流子限制效应等优越性,预示着金属纳米晶快闪存储器在下一代闪存器件中具有很好的应用前景。从金属纳米晶存储器的工作原理、纳米晶的制备方法、以及新型介质材料和电荷俘获层... 详细信息

金属纳米晶具有态密度高、费米能级选择范围广以及无多维载流子限制效应等优越性,预示着金属纳米晶快闪存储器在下一代闪存器件中具有很好的应用前景。从金属纳米晶存储器的工作原理、纳米晶的制备方法、以及新型介质材料和电荷俘获层结构等方面,对金属纳米晶存储器近年来的研究进展进行了总结。

关键词：金属纳米晶快闪存储器能带工程

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快闪存储器市场:芝麻开花节节高

今日电子 1998年第1期 79-80页

作者：唐敏思潮

在目前存储器市场中,占绝对主导地位的是动态随机存取存储器(DRAM),但切断电源后其存储信息亦随之消失的缺点在很大程度上限制了它的应用和发展。为此,美、日、西欧、韩等国正努力寻找能克服DRAM缺点的新型传感器。美国Intel公司于80年... 详细信息

在目前存储器市场中,占绝对主导地位的是动态随机存取存储器(DRAM),但切断电源后其存储信息亦随之消失的缺点在很大程度上限制了它的应用和发展。为此,美、日、西欧、韩等国正努力寻找能克服DRAM缺点的新型传感器。美国Intel公司于80年代末90年代初率先推出的快闪存储器(FlashRAM)以其优异性能令商家耳目一新,在很多应用场合,它正逐年取代EPROM。

关键词：快闪存储器市场 DRAM 存储器

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快闪存储器需求显著上升