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固体推进剂喷气羽烟对微波衰减的理论模拟

推进技术 1991年第1期12卷 57-62页

作者：彭培根柳青国防科学技术大学

本文根据流体力学理论和等离子体知识,建立了推进剂喷气羽烟电磁特性的理论模型,并利用非平衡化学反应模拟了二次燃烧和电子捕获剂对喷气羽烟电磁特性的影响.计算值与实验结果的一致性较好,误差的最大值约为10%.模拟计算表明:添加少量... 详细信息

本文根据流体力学理论和等离子体知识,建立了推进剂喷气羽烟电磁特性的理论模型,并利用非平衡化学反应模拟了二次燃烧和电子捕获剂对喷气羽烟电磁特性的影响.计算值与实验结果的一致性较好,误差的最大值约为10%.模拟计算表明:添加少量电子捕获剂和降低铝粉含量,能有效地改善喷气羽烟的微波透射性.

关键词：模拟微波衰减固体推进剂喷气羽烟电磁特性

AIN-SiC复相材料的制备及其微波衰减性能

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硅酸盐学报 2003年第9期31卷 828-831页

作者：步文博丘泰徐洁中国科学院上海硅酸盐研究所南京工业大学材料科学与工程学院南京210009

以氮化铝、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,1900～2000℃、氮气氛下,制备了AlN-SiC复相材料。运用XRD,高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段,研究了微波衰减剂碳化硅含量及AlN-SiC部分固溶体的形成对材料微波衰减性能的影响,... 详细信息

以氮化铝、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,1900～2000℃、氮气氛下,制备了AlN-SiC复相材料。运用XRD,高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段,研究了微波衰减剂碳化硅含量及AlN-SiC部分固溶体的形成对材料微波衰减性能的影响,结果表明:AlN-SiC复相材料的频谱特性随衰减剂碳化硅含量的变化而呈现出选频衰减、宽频衰减等特性。当衰减剂SiC质量分数少于40％时,AlN-SiC复合材料具有选频衰减特性,SiC含量为40％～60％时,复合材料具有宽频衰减特性。AlN-SiC部分固溶体的形成有助于改善材料的宽频衰减特性。

关键词：氮化铝碳化硅固溶体微波衰减

复合固体推进剂喷气羽烟对微波衰减的实验研究

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推进技术 1991年第4期12卷 73-77页

作者：彭培根柳青国防科技大学

本文根据推进剂喷气持续时间短这一特性,选择功率比法作为测量微波衰减的方法.结果表明:推进剂的喷气羽烟对微波的衰减与配方有关;在固体含量不变的情况下,适当地降低Al粉含量或用硝胺(HR)部分替代高氯酸铵(AP)都能降低羽烟对微波的衰减... 详细信息

本文根据推进剂喷气持续时间短这一特性,选择功率比法作为测量微波衰减的方法.结果表明:推进剂的喷气羽烟对微波的衰减与配方有关;在固体含量不变的情况下,适当地降低Al粉含量或用硝胺(HR)部分替代高氯酸铵(AP)都能降低羽烟对微波的衰减,但HR/AP的比值不宜过大;在推进剂中添加少量的电子捕获剂和二次燃烧抑制剂,不仅能有效地改善喷气羽烟的电磁特性而且对推进剂的其它性能影响不大,因此是制备微波衰减小的推进剂的有效方法.

关键词：固体推进剂助剂喷气羽烟微波衰减电磁特性

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不同碳纳米材料的微波衰减性能研究

含能材料 2007年第2期15卷 148-150,154页

作者：王红霞刘代志翟为刚第二炮兵工程学院陕西西安710025

为了探索碳纳米材料在电磁波无源干扰领域中的应用,采用静态测试方法,研究了纳米碳粉、碳纳米管、纳米碳纤维七种不同结构和尺寸的碳纳米材料在8~12 GHz波段内的微波衰减性能,并对其衰减机理进行了分析。测试结果表明,纤维状碳纳米材料... 详细信息

为了探索碳纳米材料在电磁波无源干扰领域中的应用,采用静态测试方法,研究了纳米碳粉、碳纳米管、纳米碳纤维七种不同结构和尺寸的碳纳米材料在8~12 GHz波段内的微波衰减性能,并对其衰减机理进行了分析。测试结果表明,纤维状碳纳米材料对微波的衰减性能好于颗粒状碳纳米材料,直径约为60 nm的纳米碳纤维对微波的衰减最显著,平均单位质量密度对应的衰减量在-2.84^-4.27 dB之间,约是纳米碳粉衰减量的10倍多。

关键词：材料科学碳纳米材料碳纳米管纳米碳纤维微波衰减

MgO-Mg_2SiO_4-SiC复相损耗钮扣的微波衰减性能

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压电与声光 2010年第4期32卷 650-653页

作者：贾琳蔚李晓云丘泰方勇南京工业大学材料科学与工程学院江苏南京210009

采用热压工艺在1 500℃下保温1 h制备了MgO-Mg2SiO4-SiC复相微波衰减损耗钮扣材料,通过矢量网络分析仪测试了不同MgO、Mg2SiO4配比的复相材料在X波段（8~12 GHz）的微波衰减性能,并研究了SiC添加量对复相材料微波衰减性能的影响。结果表... 详细信息

采用热压工艺在1 500℃下保温1 h制备了MgO-Mg2SiO4-SiC复相微波衰减损耗钮扣材料,通过矢量网络分析仪测试了不同MgO、Mg2SiO4配比的复相材料在X波段（8~12 GHz）的微波衰减性能,并研究了SiC添加量对复相材料微波衰减性能的影响。结果表明,热压烧结MgO和Mg2SiO4的衰减频率分别为10.68 GHz和11.80 GHz,MgO-Mg2SiO4复相材料的衰减频率介于两者之间,随着复相材料中Mg2SiO4相的增加,衰减频率向高频方向移动;SiC的加入使复相材料的致密度下降,衰减频率向低频方向移动。从测试原理和波导性质方面分析了直径6.1 mm、高度4.2 mm的损耗钮扣材料需满足9.9〈rε〈18.66,可抑制行波管的边带震荡,此时衰减频率f0为37.7×rε-0.5（GHz）。

关键词：损耗钮扣热压烧结微波衰减边带震荡

FeSiAl微波衰减材料激光3D打印技术研究

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真空科学与技术学报 2020年第3期40卷 207-213页

作者：刘颖琴张永清肖静宇李光华金鹤高向阳中国科学院大学北京101407 中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室北京101407 昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093

为适应新型微波真空电子器件对微波衰减材料"薄、轻、宽、强"的发展需求,解决传统人工涂敷和烧结无法精确控制涂层厚度的问题,本文提出了使用3D打印SLM技术制备FeSiAl涂层的新思路。首先,筛选出SLM成型后衰减性能最好的FeSiAl合金粉末;... 详细信息

为适应新型微波真空电子器件对微波衰减材料"薄、轻、宽、强"的发展需求,解决传统人工涂敷和烧结无法精确控制涂层厚度的问题,本文提出了使用3D打印SLM技术制备FeSiAl涂层的新思路。首先,筛选出SLM成型后衰减性能最好的FeSiAl合金粉末;其次,研究3D打印工艺参数对成型件衰减性能的影响规律。研究表明,选择200目以细、Fe∶Si∶Al∶O的质量百分比为74.63∶11.64∶3.36∶10.37的FeSiAl合金粉末,取3D打印的工艺参数为激光功率175 W、扫描速度1600mm/s、扫描间距0.06 mm、铺粉厚度0.02 mm,预热温度为80℃,可制备出具有优异微波衰减性能的FeSiAl涂层,较好地满足器件设计及制造需求。

关键词： FeSiAl涂层 3D打印 SLM 微波衰减

常压烧结制备AlN-W复合微波衰减材料及其性能研究

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硅酸盐通报 2013年第9期32卷 1741-1746,1750页

作者：杨振涛鲁燕萍北京真空电子技术研究所北京100015

以氮化铝、钨为原料,在氮气气氛下,采用无压烧结方式制备了AlN-W复合微波衰减材料。采用扫描电子显微镜、矢量网络分析仪及激光导热仪对样品的微观结构、介电性能及热导率进行测试分析。结果表明:随着烧结温度的增加,AlN-W复合陶瓷的介... 详细信息

以氮化铝、钨为原料,在氮气气氛下,采用无压烧结方式制备了AlN-W复合微波衰减材料。采用扫描电子显微镜、矢量网络分析仪及激光导热仪对样品的微观结构、介电性能及热导率进行测试分析。结果表明:随着烧结温度的增加,AlN-W复合陶瓷的介电常数逐渐增大,介电损耗变化不大。随着烧结助剂添加量的增加,AlN-W复合陶瓷的介电常数和介电损耗相应增大。随着W含量的增加,AlN-W陶瓷的介电常数呈增加的趋势,介电损耗逐渐降低,当W添加量为60%时损耗几乎为零。随着W颗粒粒径的增加,AlN-W复合陶瓷的介电常数变化不大,介电损耗逐渐降低。由此可通过调节烧结温度、衰减剂含量、衰减剂粒径及烧结助剂的添加量,来制备符合实际需要的复合微波衰减材料。1750℃下制备的A1N-40%W复合陶瓷热导率为91 W/m·K。初步分析了AlN-W复合陶瓷的微波衰减机理。

关键词：常压烧结衰减纽扣 AlN-W 微波衰减介电性能

高导热AlN-TiB_2微波衰减陶瓷制备与性能研究

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硅酸盐通报 2013年第10期32卷 2008-2011,2015页

作者：刘文彬熊宁王铁军李永卿中国钢研科技集团有限公司安泰科技股份有限公司北京市难熔金属材料工程技术研究中心北京100081 北京工业大学材料学院北京100124

以TiB2为微波衰减剂,通过高温热压烧结工艺制备出AlN基微波衰减陶瓷材料。研究了微波衰减剂含量对陶瓷材料的显微结构与热导率、介电性能的影响。结果表明:随着TiB2含量的增加,材料的热导率从110 W/m·K降低到72 W/m·K,微波频率10 GHz... 详细信息

以TiB2为微波衰减剂,通过高温热压烧结工艺制备出AlN基微波衰减陶瓷材料。研究了微波衰减剂含量对陶瓷材料的显微结构与热导率、介电性能的影响。结果表明:随着TiB2含量的增加,材料的热导率从110 W/m·K降低到72 W/m·K,微波频率10 GHz下介电常数逐渐增加,介电损耗从0增加到0.17,具备了较好的衰减性能和导热性能。

关键词：氮化铝热导率微波衰减介电性能

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高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展

材料科学与工程学报 2007年第2期25卷 321-324页

作者：陈贵巧李晓云丘泰南京工业大学材料科学与工程学院江苏南京210009

本文主要综述国内外高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展。具有优良微波衰减性能的材料体系有两种:氮化铝-导体复相微波衰减陶瓷和氮化铝-半导体复相微波衰减陶瓷。氮化铝-导体复相衰减陶瓷包括AlN-金属复相陶瓷、AlN-石墨复相陶瓷、... 详细信息

本文主要综述国内外高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展。具有优良微波衰减性能的材料体系有两种:氮化铝-导体复相微波衰减陶瓷和氮化铝-半导体复相微波衰减陶瓷。氮化铝-导体复相衰减陶瓷包括AlN-金属复相陶瓷、AlN-石墨复相陶瓷、AlN-金属氮化物复相陶瓷。其中AlN-金属复相陶瓷因具有优良的高导热性能及微波衰减调节性能,成为今后微波衰减材料的主要研究方向。

关键词：高导热 AlN基微波衰减