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微波带片
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Journal of Semiconductors
2006年 第6期27卷 1147-1150页
作者:
王德强
曹磊峰
谢常青
叶甜春
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室
北京100029
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
绵阳621900
在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形
微波带片
,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形
微波带片
,得到可以应用于ICF诊断技术中的...
详细信息
在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.
关键词:
电子束
X射线光刻
微波带片
菲涅耳
波带片
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