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  • 5 篇 期刊文献

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  • 5 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电气工程
    • 1 篇 动力工程及工程热...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 5 篇 开通过程
  • 3 篇 关断过程
  • 1 篇 通态特性
  • 1 篇 igct
  • 1 篇 米勒效应
  • 1 篇 结电容
  • 1 篇 损耗能量
  • 1 篇 mosfet
  • 1 篇 开关速度
  • 1 篇 绝缘栅双极型晶体...
  • 1 篇 阻断状态
  • 1 篇 igbt
  • 1 篇 i_g电流
  • 1 篇 缓冲电路
  • 1 篇 损耗功率
  • 1 篇 感性负载
  • 1 篇 栅氧层老化

机构

  • 1 篇 横滨国立大学
  • 1 篇 中国振华集团永光...
  • 1 篇 沧州师专物理与电...
  • 1 篇 全球能源互联网研...
  • 1 篇 华北电力大学
  • 1 篇 株洲南车时代电气...
  • 1 篇 南京泉峰汽车精密...
  • 1 篇 南京工业职业技术...

作者

  • 1 篇 代骞
  • 1 篇 曲振江
  • 1 篇 吕前进
  • 1 篇 沙国荣
  • 1 篇 陈芳林
  • 1 篇 任真伟
  • 1 篇 李金元
  • 1 篇 左树萍
  • 1 篇 蒋谊
  • 1 篇 付媛媛
  • 1 篇 王研艳
  • 1 篇 雷云
  • 1 篇 吴煜东
  • 1 篇 吴双彪
  • 1 篇 钱青
  • 1 篇 赵哿
  • 1 篇 张朋
  • 1 篇 崔翔
  • 1 篇 唐新灵

语言

  • 5 篇 中文
检索条件"主题词=开通过程"
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基于开通过程的IGBT模块栅氧层老化研究
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电力电子技术 2022年 第9期56卷 137-140页
作者： 沙国荣 钱青 王研艳 南京工业职业技术大学 交通工程学院江苏南京210023 横滨国立大学 电子与计算机工程系日本横滨240-8501 南京泉峰汽车精密技术股份有限公司 江苏南京211106
新能源行业快速发展促进了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的广泛应用,作为电力电子变换器中的核心部件,IGBT模块的可靠性问题受到越来越多的关注。IGBT作为电压源型功率器件,其开关速度可达到20 kHz,而栅极端的栅氧层会受到栅极电压的持... 详细信息
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感性负载条件下IGBT开通过程分析
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华北电力大学学报（自然科学版） 2017年 第2期44卷 33-41页
作者： 唐新灵 崔翔 张朋 李金元 赵哿 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室 北京102206 全球能源互联网研究院 北京102209
针对IGBT的开通过程中,研究了感性负载条件下IGBT的开通过程中栅极电压、集电极电流、集射极电压随时间变化的特点及其相互关系。详细阐述了栅极电容随栅极电压变化的机理以及栅极平台电压产生的机理,分析了驱动电阻对栅极电压的影响。... 详细信息
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RDC缓冲电路的技术分析
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高电压技术 2007年 第5期33卷 176-179页
作者： 曲振江 左树萍 付媛媛 沧州师专物理与电子信息系 沧州061001
为了使功率器件经常使用的RDC缓冲电路所用元件的选择摆脱经验与实验的传统方法,在理想条件下从能量与电压的角度用数学方法分析了RDC缓冲电路的工作过程,得到了功率器件在既有关断缓冲电路又有开通缓冲电路的条件下,功率器件与缓冲电... 详细信息
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集成门极换流晶闸管器件特性研究
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大功率变流技术 2012年 第6期 1-4页
作者： 吴煜东 陈芳林 雷云 蒋谊 株洲南车时代电气股份有限公司 湖南株洲412001
简要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)器件的结构,描述了IGCT的阻断状态、开通过程、导通状态及关断过程4个阶段的特点,并针对该4个阶段介绍了器件的重要参数及应用注意事项。
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结合CSP640SS型MOSFET分析影响增强型功率MOSFET开关速度的主要因素
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电子测试 2020年 第14期31卷 43-44,35页
作者： 代骞 任真伟 吴双彪 吕前进 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 贵州贵阳550018
与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很大,导致电路工作异常,甚至出现MOSFET器件损坏的现象。因此,本文结合CSP640SS型MOSFET对影响增强型功率MOS... 详细信息
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