检索结果-南通市图书馆

现代电子技术 2024年

作者：薛炳君郭世龙严焱津三峡大学电气与新能源学院

随着SiC MOSFET器件的广泛应用，其可靠性问题备受关注。键合线失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因，因此就需要对其进行状态监测以保证器件的正常运行。为此，提出了一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法。当键合线... 详细信息

随着SiC MOSFET器件的广泛应用，其可靠性问题备受关注。键合线失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因，因此就需要对其进行状态监测以保证器件的正常运行。为此，提出了一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法。当键合线失效时，其等效阻抗发生变化。在开尔文源极和功率源极之间注入恒定的高频脉动电流，将阻抗的变化转换为开尔文源极和功率源极两端电压的变化，通过该电压对键合线健康状态进行监测。实验表明，所提监测参量的变化可以直观地反映失效键合线的数目。该方法通过外加高频脉动电流源实现对键合线的监测，只需测量对应电压，参数提取简单，特征参量与键合线失效关系明显，无需复杂的数据处理和计算。此外，不受源极电流等功率回路参数和驱动回路的影响。电路结构精简可靠，具有在线监测的潜力。

关键词： SiC MOSFET器件健康状态监测键合线失效高频脉动电流开尔文封装源极键合线等效阻抗

来源：

同方期刊数据库评论

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：