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L波段无线电引信晶体管
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探测与控制学报 1990年 第3期18卷 48-53页
作者： 崔思录
本文从理论上分析了实现L波段无线电引信晶体管高频率大动态,高耐压低噪声的可行途径。并设计和制造出了电性能优良的引信晶体管。
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同轴可变衰减器的进展
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宇航计测技术 1982年 第3期7卷 24-34,92页
作者： 韦祖鑫
本文系统地评述了近二十多年来,各种类型同轴连续、步进、连续步进组合式可变衰减器的进展和特性。
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新型集成电路及其应用
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电子技术应用 1986年 第5期 32-35页
作者： 刘秉强 公安部第一研究所
立体集成电路目前,集成电路（IC）的集成度已经做得很高,以随机存储器（RAM）为例,256千位CMOS 静态随机存储器（SRAM）在一个6.68×8.86mm;硅芯片上就集成了160万个元件;日本东芝公司1985年11月投产的1兆位CMOS DRAM,在一个4.5×12.3mm... 详细信息
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BOD器件及其应用
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武汉工程大学学报 1989年 第2期23卷 68-72页
作者： 戴克中
本文介绍了一种新型半导体器件BOD,并对其主要应用一对晶闸管进行过压保护一的设计方法作了比较详细的阐述。
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大容量高速开关在电网中节能应用
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涟钢科技与管理 2013年 第6期 12-15页
作者： 李明和 能源中心
大容量高速开关具有断流能力强、开关速度快的优点，本文对大容量快速开关原理与动作过程的描述，论证了大容量快速开关与限流电抗器并联使用，可减少系统损耗，提高电力系统供电的可靠性。
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机电与机械器件
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电子产品世界 2004年 第12期 23-27页
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日本出售SiC肖特基势垒二极管
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半导体信息 2004年 第1期 20-21页
作者： 周慧
日本供货商Rohm于2004年春季出售SiC肖特基势垒二极管。同时,它还将扩大产品范围,生产包括晶体管在内的多种器件以满足世界市场对SiC器件的强大需求。 Rohm肖特基势垒二极管尺寸小(是同类Si器件的1/4),耐高温(可在高达400℃的温度下工作... 详细信息
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功率MOS场效应晶体管的开发现状及应用动向
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集成电路应用 1989年 第3期 21-23页
作者： 王东红 曹年裕
本文主要内容是概述功率MOS器件的最新技术动向及应用动向.一、功率MOS器件的技术动向1.功率MOS器件功率MOSFET与双极型器件比较有以下优点,故其市场正飞速扩大:(1)它是电压驱动,激励功率小;(2)没有少数载流子的累积效应,速度高;
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最活跃的十大口技术发展趋势
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中国经济信息 2002年 第3期 40-41页
作者： 晓杰
虽然当今对高科技产业来说,很多领域市场出现了大幅滑坡,然而 IT 技术却并未停步,一个又一个被赋予了全新概念和形象的产品、技术纷至沓来,丝毫让人感觉不到市场的低迷。这种掩饰不住的生机让我们有理由相信,不久高科技即会迎来更加光... 详细信息
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英飞凌推出CoolSiC CIPOS Maxi全球首款采用转模封装的1200V碳化硅IPM
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半导体信息 2020年 第6期 8-9页
英飞凌科技股份公司推出了采用转模封装的1200V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列是业界在这一电压级别上的第一款产品。该系列为变速驱动应用中的三相交流电动机和永磁电动机... 详细信息
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