检索结果-南通市图书馆

Chinese Science Bulletin 2009年第20期54卷 3663-3669页

作者： WANG Tao LI Qing GAO DingShan Wuhan National Laboratory for Optoelectronics College of Optoelectronic Science and Engineering Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074 China

All-optical switch with the ultrafast optical switching rate is a key device in the next generation optical network.In this article,we propose a polarization switch with ps switching time,which is constructed from one-dimensional resonant photonic crystal(1D RPC).The model of switch operating at 1.5 μm is established based on the optical stark effect(OSE).We calculate the performance indices of the switch and the influences of errors of periods and refractive index on the performance characteristics.

关键词：一维光子晶体光开关性能分析超高速 Stark效应偏振下一代光网络开关速度

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帶状线锁式铁氧体开关

磁性材料及器件 1980年第3期 1-9页

作者：戴际欣宋同勤钱发蓉

铁氧体环行器,可以利用具有矩形磁滞回线的铁氧体材料和“旋矩”铁氧体材料,构成一个磁回路,以此回路的剩磁作环行器的工作场,并借助使剩磁由“+Br"改变为“-Br”,即改变激励电流脉冲的极性,而获得锁式开关的工作方式。本文提出了外回... 详细信息

铁氧体环行器,可以利用具有矩形磁滞回线的铁氧体材料和“旋矩”铁氧体材料,构成一个磁回路,以此回路的剩磁作环行器的工作场,并借助使剩磁由“+Br"改变为“-Br”,即改变激励电流脉冲的极性,而获得锁式开关的工作方式。本文提出了外回路式铁氧体锁式开关的磁路设计方案,并对器件的开关速度进行了计算。作为一个实验,采用文中给出的磁路设计方案,并结合“双Y”结环行器的设计方法,获得了有如下指标的锁式开关: 频率范围:3.7GHz～4.2GHz 正向损耗:≤0.5dB 反向隔离:≥20dB 驻波系数:≤1.25 开关时间:20μs 开关能量:1600μJ 开关次数:每秒500次使用温度范围:-60～+55℃

关键词：磁路设计器件开关速度励磁线圈铁氧体材料磁回路锁式

高速TTL ALS/AS系列集成电路(一)

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电光与控制 1988年第4期 44-52页

74ALS/AS系列IC,是继74、74L、74H第一代,74LS、74S第二代,由德克萨斯仪器公司研制的第三代TTL数字IC.以74打头是民用,54打头是军用品,除了使用温度不同外,其它特性完全相同.ALS的A是英文“Advanced”的缩写,即先进的LS、S电路.ALS系列... 详细信息

74ALS/AS系列IC,是继74、74L、74H第一代,74LS、74S第二代,由德克萨斯仪器公司研制的第三代TTL数字IC.以74打头是民用,54打头是军用品,除了使用温度不同外,其它特性完全相同.ALS的A是英文“Advanced”的缩写,即先进的LS、S电路.ALS系列IC,比LS系列速度更高、功耗更小;同样,AS系列比S系列也更快、功耗更低.此外ALS、AS系列IC,驱动能力大幅度改善,扇出也大大增加.本文首先分析其直流及交流特性,然后说明使用ALS、AS系列IC,在系统设计中应注意的问题.

关键词： TTL ALS/AS 第三代扇出驱动能力器型传输时间开关速度电源电压范围数据手册参考图

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半导体负阻场致发光二极管

发光学报 1971年第8期 22-27页

得到室温下具有负阻的场致发光二极管。是采用含有深受主能级锰作主要杂质的的砷化镓半导体作基底,因而是P型半导体。在砷化镓基底的表面上,再外延生长(例如气相外延)一层含有n型杂质(譬如碲)的砷化镓。当二极管加有适当电压时,这层n型... 详细信息

得到室温下具有负阻的场致发光二极管。是采用含有深受主能级锰作主要杂质的的砷化镓半导体作基底,因而是P型半导体。在砷化镓基底的表面上,再外延生长(例如气相外延)一层含有n型杂质(譬如碲)的砷化镓。当二极管加有适当电压时,这层n型区就提供称作少数载流子的电子注入高阻区。在远离掺碲区的砷化镓基底的另一个表面上,扩散锌作浅能级杂质,以获得锌占优势的掺杂区。扩散的结果是一边锌占优势,另外一边仍然锰占优势,中间形成高阻区。室温 20℃或更低时,电压刚超过 1伏二极管呈现高阻。当达到临界击穿电压时,就出现电流随电压下降而上升的负阻。对于1伏量级的过电压,二极管电流由小变大的开关速度小于10毫微秒。

关键词：二极管电流开关速度负阻电阻半导体结构场致发光电致发光

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国外硅功率晶体管发展概况

半导体技术 1979年第5期 6-18页

功率晶体管是电流放大器件,其参数依赖于结构和几何图形。有四个重要参数:击穿电压、电流增益、速度和功率耗散。它们相互制约,限制着功率晶体管的设计。功率晶体管的设计有不同的方案,因而出现了几种不同的结构,其各种结构的优缺点归... 详细信息

功率晶体管是电流放大器件,其参数依赖于结构和几何图形。有四个重要参数:击穿电压、电流增益、速度和功率耗散。它们相互制约,限制着功率晶体管的设计。功率晶体管的设计有不同的方案,因而出现了几种不同的结构,其各种结构的优缺点归纳于表1。

关键词：晶体管开关速度发射区半导体三极管集电区集电极电流发射极基区发展概况

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集成注入逻辑的现状与展望

微电子学与计算机 1975年第4期 1-8页

作者：刘恩荣

讨论了用横向pnp晶体管作电流源,多收集极npn晶体管作反相器的集成注入逻辑(I~2L),或称并合晶体管逻辑(MTL)。对五级闭环反相器链测得的速度-功率乘积为每门0.13微微焦耳,封裝密度达400门/毫米~2。与MOS逻辑的版图设计进行了比较。提出... 详细信息

讨论了用横向pnp晶体管作电流源,多收集极npn晶体管作反相器的集成注入逻辑(I~2L),或称并合晶体管逻辑(MTL)。对五级闭环反相器链测得的速度-功率乘积为每门0.13微微焦耳,封裝密度达400门/毫米~2。与MOS逻辑的版图设计进行了比较。提出了制造较高速电路的可行方法。

关键词：晶体管 MOS 乘积半导体三极管基极电流晶体管逻辑封装密度集电极集电装置开关速度发射极反相器版图设计电路设计

实現毫微秒計算的組合同步---異步邏輯电路

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计算机研究与发展 1964年第11期 7-12+29页

作者： J. F. Kruy C. V. Ramamoorthy 张龄

本文介绍了适用于各种功能元件的組合邏輯电路。元件中所用的迭接电路方法把同步和異步操作的优点結合在一起。采用了混合的隧道二极管-晶体管电路技术来加快开关速度和降低对零件和电源容差的要求。文中描述了可逆二进制計數器和組合編... 详细信息

本文介绍了适用于各种功能元件的組合邏輯电路。元件中所用的迭接电路方法把同步和異步操作的优点結合在一起。采用了混合的隧道二极管-晶体管电路技术来加快开关速度和降低对零件和电源容差的要求。文中描述了可逆二进制計數器和組合編碼-譯碼器的邏輯及其工作和設計标准。最后討論了組合邏辑电路在比较器和优先控制部件中的可能应用。

关键词：隧道二极管晶体管电路异步电路同步电路开关速度容差触发器置位江畸二极管电路单元功能元件

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产品介绍

光机电信息 1994年第1期 26-33页

日本三洋电机公司开发出高密度视频光盘。其记录密度是高清晰度视频光盘的4倍。记录节距窄于光点直径,采用绿色激光器作

关键词：光电开关卜夕任延光学元件光学部件绿色激光器高密度光盘高非线性凸出部分光栅触觉传感器光磁盘开关速度激光加工莱塞加工激光技术光隔离器光无源器件测长传感器

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高功率毫米波整体控制元件

现代防御技术 1988年第2期 32-38页

作者：方镇鲁生

一种新的固态控制元件的设计方案会极大地增强和放宽从X波段到毫米波频段内的控制装置的功能。其主要特点是具有功率高、频带宽、损失小等特征。该设计方案利用装在波导体上的一个整体PIN二极管阵以取得优于以前所设计的方案的性能。PI... 详细信息

一种新的固态控制元件的设计方案会极大地增强和放宽从X波段到毫米波频段内的控制装置的功能。其主要特点是具有功率高、频带宽、损失小等特征。该设计方案利用装在波导体上的一个整体PIN二极管阵以取得优于以前所设计的方案的性能。PIN二极管以并联或串联方式排成阵列,利用直流电压对射频能量形成一种电子控制窗式的开关。在Ka波段,采用窗式阵列(WINAR)设计的SPST开关一般在26.5到40.0GHz波段内有0.6dB的插入损失和22dB的绝缘性。这种开关有超过500W的峰值功率和25W的平均功率的容量。

关键词：二极管 PIN 阵列高功率毫米波开关速度控制元件控制设备反向偏压波导馈电设备

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同轴可变衰减器的进展

宇航计测技术 1982年第3期7卷 24-34,92页

作者：韦祖鑫

本文系统地评述了近二十多年来,各种类型同轴连续、步进、连续步进组合式可变衰减器的进展和特性。

关键词：步进衰减器损耗开关速度套筒介质基片外导体电阻膜损失消耗同轴

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