检索结果-南通市图书馆

252kV GIS中特快速瞬态过电压和特快速瞬态电流特性试验研究

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电网技术 2015年第7期39卷 2046-2051页

作者：段韶峰李志兵詹花茂李成榕赵承楠王浩颜湘莲姚林志赵琳新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京市昌平区102206 菏泽供电公司山东省菏泽市274000 中国电力科学研究院北京市海淀区100192

为深入研究特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)和特快速瞬态电流(very fast transient current,VFTC)的波形特性,以及隔离开关运动速度对二者幅值的影响,采用一套可调节开关运动速度的252 k V气体绝缘组合电器(gas... 详细信息

为深入研究特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)和特快速瞬态电流(very fast transient current,VFTC)的波形特性,以及隔离开关运动速度对二者幅值的影响,采用一套可调节开关运动速度的252 k V气体绝缘组合电器(gas insulated switchgear,GIS)试验回路,对隔离开关分合闸操作中产生的特快速瞬态波形进行了试验研究。获得了VFTO、VFTC的单次击穿波形特征、单次击穿统计特性、波形的频率成分、全过程波形特征、全过程统计特性和残余电压统计特性。分析了开关运动速度对VFTO、VFTC幅值的影响,结果表明,随着开关速度的提高,击穿次数会降低,从而降低出现大幅值VFTO、VFTC的几率。

关键词：气体绝缘组合电器特快速瞬态过电压特快速瞬态电流开关速度

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集成光学声光光开关的研究

中国激光 2005年第8期32卷 1073-1076页

作者：肖立峰刘迎王启樟耿凡赵鸿敏天津大学理学院应用物理系光电信息技术科学教育部重点实验室天津300072 天津津航技术物理研究所津300072 北京交通大学理学院物理系天津300192

在集成光学声光可调谐滤波器的基础上,研制成一种偏振无关的集成光学波导型声光光开关,由于采用声光作用实现开关功能,使得开关速度可以达到微秒量级。介绍了这种集成光学波导型声光光开关的工作原理及其基本结构,并对它的插入损耗、隔... 详细信息

在集成光学声光可调谐滤波器的基础上,研制成一种偏振无关的集成光学波导型声光光开关,由于采用声光作用实现开关功能,使得开关速度可以达到微秒量级。介绍了这种集成光学波导型声光光开关的工作原理及其基本结构,并对它的插入损耗、隔离度、开关速度这三项光开关的重要性能指标进行了具体的理论分析与计算,然后对制作成的集成光学波导型声光光开关的器件样品进行了性能测试,在室内温度为20℃,入射波长为1.523μm时,测得插入损耗为4.8dB,隔离度为22.0dB。对实验与理论的误差进行了具体分析,并提出了进一步提高其性能指标的相关途径。

关键词：集成光学光开关声光可调谐滤波器光通信隔离度开关速度

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SMPS电感的安装方向会影响辐射吗?

电子产品世界 2022年第1期29卷 18-21,39页

作者： Keith Szolusha Gengyao Li Frank Wang ADI公司

开关模式电源(SMPS)产生的EMI辐射频谱是由许多参数组成的函数,包括热回路大小、开关速度(压摆率)和频率、输入和输出滤波、屏蔽、布局和接地。一个潜在的辐射源是开关节点,在很多原理图上称为SW。SW节点铜可用作天线,发射快速高效的高... 详细信息

开关模式电源(SMPS)产生的EMI辐射频谱是由许多参数组成的函数,包括热回路大小、开关速度(压摆率)和频率、输入和输出滤波、屏蔽、布局和接地。一个潜在的辐射源是开关节点,在很多原理图上称为SW。SW节点铜可用作天线,发射快速高效的高功率开关事件产生的噪声。这是大多数开关稳压器的主要辐射源。

关键词：开关速度 SMPS 压摆率开关稳压器辐射频谱功率开关安装方向关节点

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一种新型单相不对称五电平逆变器

中国电机工程学报 2004年第11期24卷 116-120页

作者：丁凯邹云屏蔡政英吴智超刘飞许湘莲华中科技大学电气学院湖北省武汉市430074

该文对一种新型单相不对称五电平逆变器进行研究,这种新型逆变器是通过将半桥二极管钳位逆变器和传统两电平半桥逆变器共享同一直流母线而获得的。针对这种新型拓扑结构该文分析了一种方波合成与消谐波三角载波PWM相结合的控制方法,在... 详细信息

该文对一种新型单相不对称五电平逆变器进行研究,这种新型逆变器是通过将半桥二极管钳位逆变器和传统两电平半桥逆变器共享同一直流母线而获得的。针对这种新型拓扑结构该文分析了一种方波合成与消谐波三角载波PWM相结合的控制方法,在这种控制方法下,新型逆变器允许开关速度较快的器件和耐压值较高的器件工作在一起。文中将这种逆变器与其它三种单相五电平逆变器进行了比较。最后本文对一个单相五电平不对称逆变器电路进行了实验验证,并给出相关结论。

关键词：五电平逆变器单相消谐半桥逆变谐波耐压值直流母线开关速度载波二极管

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高压功率达林顿开关管的芯片设计与制造

半导体技术 1993年第1期 37-42页

作者：高勇八七七厂西安710061

本文论述了高压达林顿开关管芯片的设计思想和制造方法,重点考虑了耐压、电流特性、开关速度及工作可靠性的协调问题,按设计方案制造的产品达到了设计要求.

关键词：达林顿管外延层电阻率厚度电阻系数集电区高压器件基区电流特性饱和压降高阻层加速二极管集边效应开关速度电流放大倍数发射极集电极集电装置开关管

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新型整流二极管

半导体技术 1993年第1期 6-18页

作者：钱照明彭青浙江大学电机系电力电子研究所浙江大学电机系电力电子研究所杭州310027

本文对功率电路中传统使用的P-i-n整流器及肖特基势垒整流器、同步整流器、结势垒控制的肖特基整流器、砷化锭肖特基整流器等新型器件的发展水平、关键技术及前景进行综合论述.

关键词：同步整流器正向压降反向漏电流器件开关速度整流二极管整流管反向恢复势垒高度

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光注入X结GaAs全光开关的设计

光电子．激光 2004年第4期15卷 406-409页

作者：陈克坚杨爱龄唐奕江晓清王明华浙江大学信息工程与电子工程系浙江杭州310027

设计了一种基于全内反射原理和光生载流子注入效应的X结全内反射(TIR)全光开关。通过对传统X结的改进提高了器件的性能。模拟结果表明,改进后的X结的消光比可以达到30dB左右。串音小于-30dB。同时分析了该全光开关所具有的速度优势,其... 详细信息

设计了一种基于全内反射原理和光生载流子注入效应的X结全内反射(TIR)全光开关。通过对传统X结的改进提高了器件的性能。模拟结果表明,改进后的X结的消光比可以达到30dB左右。串音小于-30dB。同时分析了该全光开关所具有的速度优势,其开关速度可达100～102ns。

关键词：全内反射光注人全光开关砷化镓 X结GaAs 开关速度器件设计

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能华推出首款高Vth的增强型GaN器件

变频器世界 2022年第8期 48-49页

氮化镓GaN以开关速度快,导阻低,低输入输出电荷的优势,应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅MOS管。使用GaN取代硅MOS管,不仅降低了开关损耗,提高充电器的转换效率,使得充电器无需设计大面积的散热片;而且大幅提升了功率器件开关频率,减... 详细信息

氮化镓GaN以开关速度快,导阻低,低输入输出电荷的优势,应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅MOS管。使用GaN取代硅MOS管,不仅降低了开关损耗,提高充电器的转换效率,使得充电器无需设计大面积的散热片;而且大幅提升了功率器件开关频率,减小变压器电感量,缩小变压器尺寸,进而减小充电器的体积。目前市场上的GaN产品主要有Cascode GaN和E mode GaN两种,其中E mode GaN的阈值电压Vth典型值都在1.2-1.5V左右,而高压Si MOSFET的Vth典型值普遍是3-4V。

关键词：开关速度阈值电压 MOS管 GaN 转换效率充电器电感量散热片

碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

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电源学报 2018年第1期16卷 95-98页

作者：陈之勃陈永真辽宁工业大学电子与信息工程学院锦州121001

碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相同的碳化硅MOSFET和高性能硅MOSFET应用于反激式变换器中进行对比测试,实验结果表明,在相同的驱动条件和... 详细信息

碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相同的碳化硅MOSFET和高性能硅MOSFET应用于反激式变换器中进行对比测试,实验结果表明,在相同的驱动条件和负载条件下,碳化硅MOSFET的开关速度明显快于硅MOSFET;在12 V驱动电平条件下,直接采用碳化硅MOSFET替代硅MOSFET使得变换器的效率明显提升;采用20 V栅极驱动电平,效果更加明显。

关键词：碳化硅 MOSFET 导通电压开关速度器件损耗