检索结果-南通市图书馆

科技与创新 2016年第3期 115-115,117页

作者：杨全忠佛山市蓝箭电子股份有限公司广东佛山528000

主要对有效加快晶体三极管开关速度的方法展开了探讨,详细阐述了晶体三极管的开关过程和开关时间,并给出了一些有效加快晶体管开关速度的方法,以期能为有关方面提供一定的参考和借鉴。

关键词：晶体三极管开关速度开关时间驱动信号

英飞凌推出可提高开关速度的第六代650V CoolSiC^(TM)肖特基二极管

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太阳能 2017年第10期 80-80页

9月29日，全球领先的半导体科技公司英飞凌科技股份公司推出第六代650VCoolSiCTM肖特基二极管，是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。它立足于第五代产品与众不同的特性，能确保可靠性、质量并提高效率。第六代CoolSiC二极管是对600V和6... 详细信息

9月29日，全球领先的半导体科技公司英飞凌科技股份公司推出第六代650VCoolSiCTM肖特基二极管，是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。它立足于第五代产品与众不同的特性，能确保可靠性、质量并提高效率。第六代CoolSiC二极管是对600V和650VCoolMOSTM7产品系列的完美补充。它们面向当前和未来的服务器和PC电源、电信设备电源和光伏逆变器应用。

关键词：肖特基二极管开关速度光伏逆变器股份公司电信设备半导体第五代可靠性

英飞凌推出可提高开关速度第六代650 VCoolSiC^(TM)肖特基二极管

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变频器世界 2017年第10期 25-25页

英飞凌科技股份公司（FSE：IFX／OTCQX：IFNNY）推出第六代650V CoolSiC^TM肖特基二极管，是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。它立足于第五代产品与众不同的特性，能确保可靠性、质量并提高效率。CoolSiC G6二极管是对600V和650V Cool... 详细信息

英飞凌科技股份公司（FSE：IFX／OTCQX：IFNNY）推出第六代650V CoolSiC^TM肖特基二极管，是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。它立足于第五代产品与众不同的特性，能确保可靠性、质量并提高效率。CoolSiC G6二极管是对600V和650V CoolMOS^TM7产品系列的完美补充。

关键词：肖特基二极管开关速度股份公司第五代可靠性品系

英飞凌低通阻抗HOSFET开关速度高达150V／ns

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电力电子 2005年第4期3卷 5-5页

英飞凌（Infineon）公司的CoolMOS CS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更... 详细信息

英飞凌（Infineon）公司的CoolMOS CS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

关键词：导通阻抗开关速度 ns 功率MOSFET CoolMOS 低通 CS服务器工程师封装

飞兆半导体改进型栅极驱动光耦合器功耗更低、开关速度更快

维普期刊数据库评论

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电子与电脑 2010年第12期10卷 85-85页

为了满足全球各地的能效标准要求,太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和马达驱动等工业应用的设计人员需要具备更低功耗和更快开关速度的性能更高的栅极驱动光耦合器。飞兆半导体公司（Fairchild）为此开发出一款输出电流为3A的高速MOSFET... 详细信息

为了满足全球各地的能效标准要求,太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和马达驱动等工业应用的设计人员需要具备更低功耗和更快开关速度的性能更高的栅极驱动光耦合器。飞兆半导体公司（Fairchild）为此开发出一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品FOD3184。该器件适用于工作频率高达250kHz的功率MOSFET和IGBT的高频驱动，

关键词：飞兆半导体公司栅极驱动光耦合器开关速度低功耗 MOSFET/IGBT 改进型功率MOSFET

用于手机射频前端的高线性度快速建立的射频开关设计

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用于手机射频前端的高线性度快速建立的射频开关设计

作者：张沛琳华南理工大学

学位级别：硕士

手机的更新换代离不开高性能的射频前端模块设计,射频开关作为射频前端的一部分,在收发系统中起着切换射频通道的作用,以保证仅用单根天线就能接收和发射不同制式和频段的信号。手机中集成的多项通信技术无疑增加了射频开关设计的复杂度... 详细信息

手机的更新换代离不开高性能的射频前端模块设计,射频开关作为射频前端的一部分,在收发系统中起着切换射频通道的作用,以保证仅用单根天线就能接收和发射不同制式和频段的信号。手机中集成的多项通信技术无疑增加了射频开关设计的复杂度,尤其是近年来应用的载波聚合和多输入多输出等技术,对射频开关的线性度提出了更严苛的要求。在射频开关集成模组中,射频开关的性能还会受到开关控制器的影响,控制器能否提供稳定快速的偏置显著影响着开关的功率容量和建立速度,而更快的建立速度也是和低延迟通信相契合的。本文基于0.13μm SOI工艺,设计了一款高线性度的工作在0.6GHz～1GHz的SP7T开关和工作在1.7GHz～2.7GHz的SP10T开关,并设计了负压快速建立的射频开关控制器,包括低压差线性稳压器,负压产生电路以及电平转换电路。主要研究成果包括:1.为了提高射频开关的线性度,本文对引起开关非线性的因素进行了分析,并建立了等效分析电路,其中,晶体管偏置电阻上的泄漏电流显著恶化了二次谐波的性能。针对此问题,考虑到开关串联支路和并联支路在传输信号时的差异性,本文提出了一种开关串并联支路采用不同偏置网络的非对称偏置方式,并采用公共支路的方法优化开关插入损耗的性能。2、为了加快控制器负压的建立速度,本文在分析了影响负压建立速度的相关因素后,一方面,提出了一种跳频控制电路,在开关建立的时候,采用更高的时钟频率驱动,并且短路电荷泵输出处的滤波电阻。另一方面,提出了一种改进的电平转换电路,增加辅助下拉支路以节省负电荷的损耗,同时增加辅助上拉支路以提高电平转换电路的翻转可靠性。后仿真结果表明,所设计的SP7T开关在0.6～1GHz范围内插入损耗大于-0.5dB。TRX通路27dBm输入功率下的二次谐波和三次谐波分别能达到-82.4dBm和-82.8dBm,TX通路35dBm输入功率下的二次谐波和三次谐波分别能达到-71.72dBm和-63.79dBm。SP10T开关在1.7～2.7GHz范围内,插入损耗大于-0.95dB。TRX通路27dBm输入功率下的二次谐波和三次谐波分别能达到-81.07dBm和-80.04dBm,TX通路33dBm输入功率下的二次谐波和三次谐波分别能达到-68.79dBm和-65.21dBm。开关控制器负压建立时间为2.6μs。对所设计的开关的TX通路在输入信号1.9GHz、33dBm条件下测试的结果表明,SP7T开关的二次谐波和三次谐波分别为-66.7dBm和-64.5dBm;SP10T开关的二次谐波和三次谐波分别为-67.7dBm和-61.4dBm。测试结果验证了本文提出的射频开关设计方法的可行性。

关键词：射频开关开关控制器线性度开关速度

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高压纳秒脉冲源的驱动技术研究

高压纳秒脉冲源的驱动技术研究

作者：袁腾飞杭州电子科技大学

学位级别：硕士

最新的研究成果发现高压脉冲电场治疗肿瘤具有非热效应、靶向安全和可激发特异性免疫等优势,但是其窗口效应和通路机制没有达成共识,需要研发脉冲宽度及幅值可调的高压纳秒脉冲源。本课题组采用Marx电路架构和Si C MOSFET阵列,以实现脉... 详细信息

最新的研究成果发现高压脉冲电场治疗肿瘤具有非热效应、靶向安全和可激发特异性免疫等优势,但是其窗口效应和通路机制没有达成共识,需要研发脉冲宽度及幅值可调的高压纳秒脉冲源。本课题组采用Marx电路架构和Si C MOSFET阵列,以实现脉宽30ns～500ns、幅值0～10k V的参数可调纳秒脉冲系统,满足相关生物电磁研究的需要。由于高压脉冲的前沿十分陡峭(10ns之内),因此对驱动电路的波形质量提出了极高的要求。同时,Si C MOSFET阵列涉及多个开关,对驱动电路的同步性问题提出了极大的挑战。针对这两个问题,本文对高压纳秒脉冲源的驱动技术展开了以下研究:1.针对驱动电路波形质量问题,基于SiC MOSFET的特性以及开关瞬态行为的分析,并探究了驱动电路中多个参数对其开关行为的影响。提出了一种基于共源共栅配置的新型栅极驱动电路,该电路可以抑制米勒平台效应、进而提高MOSFET开关速度。仿真结果表明新型栅极驱动下脉冲前沿为9ns,开关延迟为10ns,而传统电阻驱动下前沿为20ns,开关延迟为22ns。同时在有源钳位关断状态下,栅极放电速率几乎不受负载电流影响。这些结果验证了所设计的驱动电路可以提供给高压纳秒脉冲源前沿更陡、开关速度(10ns之内)更快的驱动信号。2.针对驱动电路同步性问题,基于Marx电路架构和驱动信号同步性的分析,研究了Si C MOSFET阵列中并联MOSFET和级联MOSFET的多路驱动信号延时不同对高压纳秒脉冲源的影响。提出了一种延时补偿方案:对于并联多路驱动信号,相对延时在3ns以内,其脉冲源负载输出电压幅值在4.8k V以上,符合脉冲源的输出要求;对于级联驱动信号,相对延时在5ns以内,则MOSFET在一个开关周期内漏-源电压最大值不会超过其最大耐压值1200V。最终采用锁相环技术实现多路驱动信号的相对延时控制在1ns可调,以保证脉冲源正常工作,验证了本文的延时补偿方案的可行性。3.设计了一个硬件原型,基于该实验样机进行了实验,结果表明:加入新型栅极驱动电路之后MOSFET的开关延时缩短11ns,前沿缩短8ns相比传统栅极驱动电路,并且在有源钳位关断下MOSFET栅极放电速率受负载电流影响不明显。验证了本文所研究的高压纳秒脉冲源的驱动技术的可行性。

关键词： SiC MOSFET 驱动电路高压纳秒脉冲源开关速度同步性

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低干扰低损耗新型MOSFET三阶驱动电路

中国电机工程学报 2007年第10期27卷 67-72页

作者：孙亚秀孙力聂剑红姜保军严冬哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院黑龙江省哈尔滨市150001

由于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)存在开关速度快、驱动容易等特点,故在变流电路中大量使用,但由此而产生的电磁干扰也越来越严重。驱动电路作为功率单元与控制电路的接口,其性能对电磁干扰的影响十分重要。该文在对MOSFET开... 详细信息

由于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)存在开关速度快、驱动容易等特点,故在变流电路中大量使用,但由此而产生的电磁干扰也越来越严重。驱动电路作为功率单元与控制电路的接口,其性能对电磁干扰的影响十分重要。该文在对MOSFET开关暂态过程进行详细地分析后,提出一种新的驱动电路,该驱动电路在不影响开关速度的情况下可以减小电磁干扰及开关损耗,而且该驱动电路与传统驱动电路相比仅需增加几个额外的低压器件,易于实现。文中最后给出了三阶驱动电路与其它几种不同驱动电路开通与关断时的电压电流波形及相应的传导发射。实验结果表明该驱动电路电磁干扰小,功率损耗低,开关速度快,无电压及电流的过冲现象,实现了驱动电路的优化。

关键词：三阶驱动策略电流电压变化率电磁干扰开关损耗开关速度密勒效应

两种偶氮聚合物光致异构的全光开关过程的稳态研究

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中山大学学报（自然科学版） 2002年第1期41卷 15-18页

作者：陈禧陈胜立黄亚萍王坚王惠中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室广东广州510275 中山大学化学与化学工程学院广东广州510275

比较研究了在稳态条件下两种偶氮苯聚合物 (双偶氮苯和单偶氮苯 )光致异构效应的全光开关过程。结果表明 ,双偶氮苯的开关速度远远快于单偶氮苯的开关速度。

关键词：光致异构全光开关过程偶氮聚合物开关速度全光开关效应双偶氮苯单偶氮苯

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高频谐振逆变器的功率MOS管驱动电路

电工技术学报 2011年第5期26卷 113-118页

作者：刘教民李建文崔玉龙韩明华北电力大学电气工程与电子工程学院北京102206 河北科技大学信息科学与工程学院石家庄050018 北京化工大学信息科学与技术学院北京100029

负载谐振桥式逆变器中功率MOS管工作在软开关状态,开关频率的提高,要求门极驱动电路具有充电电流大、开关速度快、驱动损耗小的特点。文章通过对传统门极驱动电路和现存的谐振驱动电路分析比较后,提出了适合高频谐振逆变器中功率MOS管... 详细信息

负载谐振桥式逆变器中功率MOS管工作在软开关状态,开关频率的提高,要求门极驱动电路具有充电电流大、开关速度快、驱动损耗小的特点。文章通过对传统门极驱动电路和现存的谐振驱动电路分析比较后,提出了适合高频谐振逆变器中功率MOS管的谐振电流型驱动电路,并分析了其工作过程。理论分析与实验结果表明:此驱动电路中功率MOS管的充放电电流近似为恒流,减少了开关时间;电感电流不连续,降低了驱动电路的通态损耗;二极管钳位电路,为功率MOS管门极关断提供反压,进一步缩短了功率MOS管关断时间;电感存储能量回馈给供电电源,提高了驱动栅压,降低了功率MOS管的导通电阻等优点。

关键词：高频谐振逆变器驱动电路驱动损耗开关速度